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電子發(fā)燒友網(wǎng)>EMC/EMI設(shè)計(jì)>深亞微米CMOS IC全芯片ESD保護(hù)技術(shù)

深亞微米CMOS IC全芯片ESD保護(hù)技術(shù)

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CMOS電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)要求

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全面了解cmos電路中esd保護(hù)結(jié)構(gòu)原理及應(yīng)用

要求,重點(diǎn)討論了在I/O電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)要求。 1 引言 靜電放電會(huì)給電子器件帶來(lái)破壞性的后果,它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展,CMOS電路的特征尺寸不斷縮小,管子的柵氧厚度越來(lái)越薄,芯片的面積規(guī)模越來(lái)越大,MOS管能
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2021-07-29 07:00:00

CMOS集成電路ESD防護(hù)設(shè)計(jì)研討會(huì)

, EOS等各項(xiàng)指標(biāo)的要求。隨著IC先進(jìn)制程技術(shù)的應(yīng)用, 芯片功能的增多和尺寸的減小, 對(duì)于半導(dǎo)體廠和設(shè)計(jì)公司來(lái)說(shuō), 不斷面臨著產(chǎn)品對(duì)靜電保護(hù)ESD提出的越來(lái)越高的要求。這次授課老師為Bart Keppens
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?! ?b class="flag-6" style="color: red">IC制造商已經(jīng)將ESD損傷確定為互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)元件現(xiàn)場(chǎng)可靠性的一項(xiàng)主要威脅,它可能損害品牌形象并妨礙市場(chǎng)接受新技術(shù)。為避免此情況,業(yè)界積極努力用后續(xù)新制程世代來(lái)最佳化整合ESD
2011-11-24 15:00:58

ESD保護(hù)元件的對(duì)比分析及大電流性能鑒定

統(tǒng)提供ESD保護(hù),可以從不同的角度來(lái)著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護(hù)架構(gòu)。不過(guò),日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來(lái)越不足以承受進(jìn)行內(nèi)部2kV等級(jí)的ESD保護(hù)所需要的面積。安森美半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部
2008-07-29 09:51:53

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UM5051/5052的重要參數(shù)ESD保護(hù)器件的種類(lèi)ESD應(yīng)用舉例
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能夠承受ESD的沖擊,并繼續(xù)正常工作。ESD保護(hù)方法為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護(hù),可以從不同的角度來(lái)著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護(hù)架構(gòu)。不過(guò),日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來(lái)越不足以承受進(jìn)行
2011-07-05 14:19:03

ESD保護(hù)界線新技術(shù)

取舍,實(shí)際上會(huì)使系統(tǒng)整體性能在某種程度上受損。對(duì)于設(shè)計(jì)能夠同時(shí)符合更高數(shù)據(jù)率和更好ESD保護(hù)新需求的芯片的制造商來(lái)說(shuō),要實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)極具挑戰(zhàn)性。ESD保護(hù)領(lǐng)域的變化 由于采用更小的制造幾何尺寸、片上保護(hù)
2011-01-27 10:35:10

ESD保護(hù)策略解析

水平,以便使那些采用了對(duì)ESD越來(lái)越敏感的IC的終端產(chǎn)品保持高可靠性。 ESD波形 以系統(tǒng)級(jí)的方法來(lái)定義典型的ESD事件所采用的最常見(jiàn)的波形,是以其納秒上升時(shí)間和高電流電平(參見(jiàn)圖1)為顯著特征
2010-08-18 19:44:07

ESD保護(hù)

徑,把異常電壓箝制在一個(gè)安全的水平,從而保護(hù)保護(hù)IC或線路。ESD二極管憑借體積小、封裝多樣化、響應(yīng)速度快(小于1ns)、電容值低、漏電流低(小于1uA)、超低箝位電壓、電壓值低等獨(dú)有優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用
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如何正確保護(hù)IC?ESD傳遞模式有哪幾種?ESD保護(hù)和應(yīng)用電路如何提高ESD保護(hù)
2021-04-23 06:23:47

ESD如何選擇最有效的保護(hù)方案?

ESD波形是什么ESD方面所需考慮因素ESD如何選擇最有效的保護(hù)方案
2021-04-08 06:07:41

ESDIC設(shè)計(jì)又一挑戰(zhàn)

告訴《中國(guó)電子報(bào)》記者,據(jù)統(tǒng)計(jì),超過(guò)60%的IC失效都源于ESD?! ‰S著超大規(guī)模集成電路工藝的高速發(fā)展,特征尺寸已經(jīng)到微米階段,大大提高了集成電路的性能及運(yùn)算速度,但隨著器件尺寸的減小,對(duì)可靠性
2013-02-21 10:54:18

ESD成為IC設(shè)計(jì)的又一挑戰(zhàn)

  對(duì)電子器件來(lái)說(shuō),一次我們無(wú)法察覺(jué)的輕微靜電放電就可能對(duì)其造成嚴(yán)重的損傷。泰科電子瑞侃電路保護(hù)產(chǎn)品應(yīng)用工程經(jīng)理董告訴《中國(guó)電子報(bào)》記者,據(jù)統(tǒng)計(jì),超過(guò)60%的IC失效都源于ESD?! ‰S著
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ESD接口處需要靜電保護(hù)

[table][tr][td]隨著現(xiàn)代社會(huì)的飛速發(fā)展,我們對(duì)電子設(shè)備的依靠與日俱增.現(xiàn)代電腦越來(lái)越多的采用低功率邏輯芯片,由于MOS的電介質(zhì)擊穿和雙極反向結(jié)電流的限制,使這些邏輯芯片對(duì)ESD非常敏感
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ESD設(shè)計(jì)與綜合

`隨著半導(dǎo)體工藝尺寸從微米量級(jí)向納米量級(jí)縮小,靜電放電(ESD)對(duì)于半導(dǎo)體器件與系統(tǒng)的影響仍在持續(xù)。本書(shū)從芯片ESD設(shè)計(jì)綜合的角度,對(duì)EOS、ESD以及Latchup進(jìn)行了探討。針對(duì)ESD保護(hù)
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ESD靜電抑制器解讀

因?yàn)橐蟾呒啥?、快速度和小體積,如今的新興電子產(chǎn)品都使用基于先進(jìn)深次微米制程的芯片。但制程越先進(jìn),芯片對(duì) ESD 耐受度也就越差。當(dāng)這些電子產(chǎn)品在實(shí)際環(huán)境下受到 ESD沖擊時(shí),IC 內(nèi)部更容易受到
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ESD(靜電放電)介紹及ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì)

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IC智能卡失效的機(jī)理研究

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保護(hù)元件免受ESD的方法

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極低功耗霍爾開(kāi)關(guān)HAL250 納安級(jí)霍爾IC全新上市

HAL250低功耗霍爾開(kāi)關(guān)是采?BCD工藝制作的極低功耗霍爾ic,BCD?藝把雙極?藝和CMOS工藝,DMOS工藝同時(shí)制作在同一芯?上。HAL250低功耗霍爾開(kāi)關(guān)綜合了雙極器件高耐壓、強(qiáng)負(fù)載的驅(qū)動(dòng)
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2021-04-02 06:35:57

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,提高了芯片的運(yùn)算速度?! 〉?,隨著工藝的進(jìn)步和尺寸的減小,靜電釋放(ESD),Elecyro Static Discharge)問(wèn)題變得日益嚴(yán)峻。據(jù)統(tǒng)計(jì),在集成電路設(shè)計(jì)中大約40%的失效電路是ESD問(wèn)題造成的。如何設(shè)計(jì)ESD保護(hù)電路?這個(gè)問(wèn)題急需解決?! ?/div>
2019-08-07 06:24:17

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2021-04-09 06:55:32

小家電線路板用 極性霍爾 低壓霍爾 計(jì)數(shù)霍爾 MH253

版本已經(jīng)過(guò)第三方實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證。 產(chǎn)品特點(diǎn)及其優(yōu)點(diǎn)l CMOS霍爾IC技術(shù)l 強(qiáng)大的抗RF噪聲技術(shù)l 工作電壓2.5至6V,適用于電池供電的應(yīng)用l 極霍爾開(kāi)關(guān)微功耗l 高靈敏度可替換簧片開(kāi)關(guān)l 125
2019-11-07 14:46:47

帶響度的四聲道數(shù)字控制音頻處理芯片-SM9613

領(lǐng)先水平,由深圳市明微電子有限公司負(fù)責(zé)該芯片的市場(chǎng)推廣及售后服務(wù)工作。SM9613是3對(duì)輸入4聲道輸出數(shù)字音頻控制處理芯片,該芯片采用微米CMOS工藝技術(shù)制造,芯片內(nèi)部包含音量、低音、高音、通道均衡
2011-03-07 21:49:30

開(kāi)創(chuàng)性的5 kV ESD MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)

首創(chuàng)。集成式固態(tài)ESD保護(hù)是專有的ADI技術(shù),可實(shí)現(xiàn)非常高的ESD保護(hù)同時(shí)對(duì)MEMS開(kāi)關(guān)RF性能影響最小。圖3顯示了采用SMD QFN封裝的ESD保護(hù)元件。其中,芯片安放在MEMS芯片上,通過(guò)焊線連接
2018-11-01 11:02:56

怎么利用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)一個(gè)10位的高速DAC?

本文選擇了SoC芯片廣泛使用的微米CMOS工藝,實(shí)現(xiàn)了一個(gè)10位的高速DAC。該DAC可作為SoC設(shè)計(jì)中的IP硬核,在多種不同應(yīng)用領(lǐng)域的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)復(fù)用。
2021-04-14 06:22:33

怎么采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝設(shè)計(jì)RF集成電路?

  近年來(lái),有關(guān)將CMOS工藝在射頻(RF)技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過(guò)1GHz,這無(wú)疑推動(dòng)了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前,幾個(gè)研究組已利用標(biāo)準(zhǔn)
2019-08-22 06:24:40

數(shù)字集成電路-電路、系統(tǒng)與設(shè)計(jì) 免費(fèi)下載

和低功耗設(shè)計(jì)、設(shè)計(jì)驗(yàn)證、芯片測(cè)試和可測(cè)性設(shè)計(jì)等主題,著重探討了微米數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)和啟示。本書(shū)可作為高等院校電子科學(xué)與技術(shù)(包括微電子與光電子)、電子與信息工程、計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)、自動(dòng)化等
2009-02-12 09:51:07

ESD技術(shù)減小芯片的I/O尺寸

微米CMOS工藝中,I/O單元的實(shí)現(xiàn)可以從235微米減小到160微米和138微米。  這種新的設(shè)計(jì)方法在ESD防護(hù)性能和效率上都很大程度提高,并且在實(shí)現(xiàn)防靜電保護(hù)避免IC損壞,進(jìn)一步提高晶圓使用的效率方面發(fā)揮了積極作用。參考資料:防靜電資訊網(wǎng)
2012-12-11 13:39:47

新型互補(bǔ)電容耦合ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì)

新型互補(bǔ)電容耦合ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì)提出了一種改進(jìn)型的基于微米工藝中ESD 保護(hù)電路, 它由互補(bǔ)式電容實(shí)現(xiàn), 結(jié)構(gòu)與工藝簡(jiǎn)單。電路采用0.6μm1P2MCMOS 工藝進(jìn)行了驗(yàn)證, 結(jié)果表明
2009-12-23 16:33:58

板級(jí)ESD保護(hù)器件的關(guān)鍵屬性

。從成本效益比的角度來(lái)看,這已經(jīng)被證明是件很難做到的事。從圖1可以看出,隨著制造技術(shù)轉(zhuǎn)向90nm以下,將ESD保護(hù)水平維持在2,000V的成本,已開(kāi)始以指數(shù)級(jí)上升。因此,現(xiàn)在新的目標(biāo)是降低芯片
2019-05-22 05:01:12

汽車(chē)模塊中ESD保護(hù)解決問(wèn)題

IC。在一個(gè)新的模塊快速連接該器件和ESD測(cè)試開(kāi)始獲得好的結(jié)果,因?yàn)镾ZESD9101成功保護(hù)了GPS通過(guò)所需的8kV存在等級(jí)。有了推薦的ESD保護(hù)器件、TLP的結(jié)果以及向上層管理報(bào)告8kV通過(guò)結(jié)果
2018-10-25 09:02:26

淺析ESD 防護(hù)與ESD 防護(hù)器件

芯片造成損傷片上ESD 保護(hù)電路。圖3相信所有人都希望ESD 防護(hù)能完全地集成到IC 芯片內(nèi)部,因?yàn)檫@樣會(huì)節(jié)省的板級(jí)空間,減少系統(tǒng)成本并降低設(shè)計(jì)與布線的復(fù)雜度。但從目前情況來(lái)看,前景并不樂(lè)觀。如今
2017-07-31 14:59:33

特征工藝尺寸對(duì)CMOS SRAM抗單粒子翻轉(zhuǎn)性能的影響

【作者】:張科營(yíng);郭紅霞;羅尹虹;何寶平;姚志斌;張鳳祁;王園明;【來(lái)源】:《原子能科學(xué)技術(shù)》2010年02期【摘要】:采用TCAD工藝模擬工具按照等比例縮小規(guī)則構(gòu)建了從微米到超微米級(jí)7種
2010-04-22 11:50:00

電子器件的ESD靜電保護(hù)

,不普通數(shù)字電路更容易遭到損壞,因?yàn)橛糜?b class="flag-6" style="color: red">ESD保護(hù)的傳輸入保護(hù)結(jié)構(gòu)會(huì)增加輸入泄露,因此不能使用。所有ESD敏感器件均采用保護(hù)性封裝。IC通常裝在導(dǎo)電泡沫中或者防靜電包裝套管中,而后將容器密封在一個(gè)靜電
2018-01-16 14:21:19

解讀ESD靜電抑制器

解讀ESD靜電抑制器 因?yàn)橐蟾呒啥?、快速度和小體積,如今的新興電子產(chǎn)品都使用基于先進(jìn)深次微米制程的芯片。但制程越先進(jìn),芯片對(duì) ESD 耐受度也就越差。當(dāng)這些電子產(chǎn)品在實(shí)際環(huán)境下受到 ESD沖擊
2013-12-11 15:58:03

采用HDMI接口實(shí)現(xiàn)ESD保護(hù)

使用液晶電視等HDMI終端設(shè)備支持的音頻/視頻格式?! DMI接收器和發(fā)射器的IC芯片全部采用微米工藝制造。微米CMOS制程十分敏感,通常設(shè)有ESD保護(hù)限制(最高2kV),必須符合人體放電模式
2019-06-17 05:00:06

針對(duì)HDMI 1.3接口的ESD設(shè)計(jì)實(shí)戰(zhàn)詳解

摩爾定律對(duì)先進(jìn)CMOS ICESD保護(hù)的影響 持續(xù)不斷的特征尺寸小型化趨勢(shì),已經(jīng)使半導(dǎo)體制造商能夠在過(guò)去幾十年中通過(guò)把幾十億三極管集成到單一芯片之中來(lái)提高芯片性能、降低功耗及驅(qū)動(dòng)成本的下降。盡管
2018-12-05 10:39:44

針對(duì)USB端口的ESD保護(hù)

隨著現(xiàn)代社會(huì)的飛速發(fā)展,我們對(duì)電子設(shè)備的依賴與日俱增.現(xiàn)代電腦越來(lái)越多的采用低功率邏輯芯片,由于MOS的電介質(zhì)擊穿和雙極反向結(jié)電流的限制,使這些邏輯芯片對(duì)ESD非常敏感。大多數(shù)USB集成電路都是
2019-08-02 17:43:22

CMOS工藝中GG2NMOS結(jié)構(gòu)ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì)

CMOS工藝中GG2NMOS結(jié)構(gòu)ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì):采用GG2NMOS 結(jié)構(gòu)的ESD 保護(hù)電路的工作原理和對(duì)其進(jìn)行的ESD 實(shí)驗(yàn),提出了一種保護(hù)電路的柵耦合技術(shù)方案,并達(dá)到了預(yù)期效果. 通過(guò)實(shí)驗(yàn)可以看出其性
2009-11-20 14:48:4341

CMOS電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)

本文研究了在CMOS 工藝中I/O 電路的 ESD 保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及相關(guān)版圖的要求,其中重點(diǎn)討論了PAD 到VSS 電流通路的建立。關(guān)鍵詞:ESD 保護(hù)電路,ESD 設(shè)計(jì)窗口,ESD 電流通路Constru
2009-12-14 10:45:5455

深亞微米ESD保護(hù)器件GGNMOS性能分析與設(shè)計(jì)

本文采用 MEDICI 作為集成電路ESD 保護(hù)常用器件—柵極接地N 型MOS 管(GGNMOS)ESD 性能分析的仿真工具,綜合分析了各種對(duì)GGNMOS 的ESD 性能有影響的因素,如襯底摻雜、柵長(zhǎng)、接觸
2009-12-14 10:59:0222

0.16微米CMOS工藝技術(shù)

和艦科技自主創(chuàng)新研發(fā)的0.16 微米硅片制造工藝技術(shù)在原有比較成熟的0.18 微米工藝技術(shù)基礎(chǔ)上,將半導(dǎo)體器件及相關(guān)繞線尺寸進(jìn)行10%微縮(實(shí)際尺寸為0.162 微米),大大降低了芯
2009-12-14 11:23:3625

超深亞微米IC設(shè)計(jì)中的天線效應(yīng)

超深亞微米IC設(shè)計(jì)中的天線效應(yīng)李蜀霞 劉輝華 趙建明 何春(電子科技大學(xué)電子電子科學(xué)技術(shù)研究院 成都 610054)【摘要】本文主要分析了超深亞微米集成電路設(shè)計(jì)中天線效應(yīng)
2009-12-19 14:54:5345

一種全新的深亞微米IC設(shè)計(jì)方法

一種全新的深亞微米IC設(shè)計(jì)方法 本文分析了傳統(tǒng)IC設(shè)計(jì)流程存在的一些缺陷,并且提出了一種基于Logical Effort理論的全新IC設(shè)計(jì)方法。 眾所周知,傳統(tǒng)的IC設(shè)計(jì)流
2009-12-27 13:28:50615

手機(jī)接口的ESD保護(hù)設(shè)計(jì)

目前幾乎所有的芯片組都有片上ESD保護(hù)ESD電路放在芯片的外圍和鄰近I/O焊墊處,它用于在晶圓制造和后端裝配流程中保護(hù)芯片組。在這些環(huán)境中,ESD可通過(guò)設(shè)備或工廠的生產(chǎn)線工作人員引入到芯片組上
2011-02-18 10:29:07942

ESD保護(hù)基礎(chǔ)知識(shí)#電子元器件 #ESD #保護(hù)器件 #技術(shù)分享 #電子產(chǎn)品

ESD保護(hù)ESDA
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2023-05-07 01:11:15

如何設(shè)計(jì)對(duì)esd保護(hù)

ESD保護(hù)
上海雷卯電子科技有限公司發(fā)布于 2023-07-09 21:38:07

ESD保護(hù)原理

,了解保護(hù)元件的特性知識(shí)也非常必要,需要考慮的重要因素之一是器件的箝位電壓。所謂箝位電壓是在ESD器件里跨在瞬變電壓消除器(TVS)上的電壓,它是被保護(hù)IC的應(yīng)變電壓。?因?yàn)槔孟冗M(jìn)工藝技術(shù)制造的IC
2018-11-22 16:58:54826

基于CMOS電路的ESD保護(hù)設(shè)計(jì)

ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì)目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路而遭到損害,保證在任意兩芯片引腳之間發(fā)生的ESD,都有適合的低阻旁路將ESD電流引入電源線。這個(gè)低阻旁路不但要能吸收ESD電流,還要能箝位工作電路的電壓,防止工作電路由于電壓過(guò)載而受損。
2019-03-04 14:24:014168

CMOS電路的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì)目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路而遭到損害,保證在任意兩芯片引腳之間發(fā)生的ESD,都有適合的低阻旁路將ESD電流引入電源線。這個(gè)低阻旁路不但要能吸收ESD電流,還要能箝位工作電路的電壓,防止工作電路由于電壓過(guò)載而受損。
2019-04-08 15:26:112192

CMOS芯片ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì)

隨著CMOS集成電路產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,越來(lái)越多的CMOS芯片應(yīng)用在各種電子產(chǎn)品中,但在電子產(chǎn)品系統(tǒng)的設(shè)計(jì)過(guò)程中,隨著CMOS工藝尺寸越求越小,單位面積上集成的晶體管越來(lái)越多,極大地降低了芯片的成本
2020-12-30 10:28:002

芯片輸入輸出緩沖電路和ESD保護(hù)電路的應(yīng)用設(shè)計(jì)

ESD保護(hù)設(shè)計(jì)隨著CMOS工藝的演進(jìn)而越來(lái)越困難,迄今已有六百多件ESD相關(guān)的美國(guó)專利。而且,ESD更應(yīng)當(dāng)從芯片全局考慮,而不只是Input PAD,Output PAD,或Power PAD的問(wèn)題。
2021-03-17 22:28:5525

電源IC輸入端ESD保護(hù)單元的結(jié)構(gòu)

當(dāng)持續(xù)時(shí)間更長(zhǎng)的 EOS 事件發(fā)生時(shí),沖擊 ESD 保護(hù)單元的能量就會(huì)更多,常常超出 ESD 保護(hù)單元的最大沖擊能量承受能力,這樣就會(huì)在 ESD 保護(hù)單元中積累太多的熱量,最終導(dǎo)致嚴(yán)重的毀滅性結(jié)果。
2022-04-20 09:22:392219

ESD保護(hù)芯片CH412技術(shù)手冊(cè)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ESD保護(hù)芯片CH412技術(shù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2022-09-09 11:29:031

HFTA-16.0:雙極型集成電路的ESD保護(hù)

靜電放電(ESD)會(huì)對(duì)集成電路(IC)造成破壞性的能量沖擊,良好的IC設(shè)計(jì)能夠在IC裝配到應(yīng)用電路的過(guò)程中保護(hù)IC免遭ESD沖擊的破壞。安裝后,IC還必須能夠承受ESD穿過(guò)靜電防護(hù)電路進(jìn)入最終電路
2023-06-10 15:40:58582

On chip ESD和EOS保護(hù)設(shè)計(jì)

點(diǎn)擊上方“藍(lán)字”關(guān)注我們!IC片上保護(hù)設(shè)計(jì)對(duì)EOS的影響全面的方法可以減少與EOS相關(guān)的故障通常理解的是,芯片ESD保護(hù)是必不可少的,以滿足人體模型(HBM)和充電裝置模型產(chǎn)品合格(CDM)ESD
2021-12-31 16:08:021316

ESD靜電保護(hù)芯片二極管

靜電保護(hù)器件、ESD保護(hù)芯片,是一種高效型的靜電保護(hù)器件。在各類(lèi)通信端口、接口中,經(jīng)常需要用到ESD靜電保護(hù)器件為其保駕護(hù)航,以品牌廠家東沃電子ESD靜電保護(hù)器件
2022-03-30 10:37:501285

常用的ESD保護(hù)器件及原理

Resistor不單獨(dú)用于芯片ESD保護(hù),它往往用于輔助的ESD保護(hù),如芯片Input第一級(jí)保護(hù)和第二級(jí)保護(hù)之間的限流電阻。如圖5,當(dāng)ESD電流過(guò)大,第一級(jí)ESD器件難以將電壓鉗位至安全區(qū)域時(shí),第二級(jí)ESD器件的導(dǎo)通將使其與電阻分壓,從而進(jìn)一步降低進(jìn)入內(nèi)部電路的電壓。
2023-12-07 09:15:04516

請(qǐng)教一下經(jīng)受過(guò)嚴(yán)重ESD電擊的CMOS IC的可靠性會(huì)降低嗎?

靜電放電(ESD)是電子設(shè)備中一種常見(jiàn)的危害,它可能導(dǎo)致集成電路(IC)的損壞。對(duì)于CMOS IC來(lái)說(shuō),經(jīng)受過(guò)嚴(yán)重ESD電擊的可靠性會(huì)降低。
2023-12-15 15:32:09219

ESD器件的工作原理?CMOS I/O上的內(nèi)部ESD保護(hù)實(shí)現(xiàn)

靜電保護(hù)器件(ESD) 是由一個(gè)或多個(gè) TVS 晶粒采用不同的電路拓?fù)渲瞥删哂刑囟üδ艿亩嗦坊騿温?ESD 保護(hù)器件。
2024-02-17 16:01:00571

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