在亞微米以下的電路設(shè)計中，需要對電路進(jìn)行全芯片的ESD保護結(jié)構(gòu)的設(shè)計。如何使全芯片有效面積盡可能小、ESD性能可靠性滿足要求且不需要增加額外的工藝步驟成為全芯片設(shè)計者的主
2012-04-23 10:17:42
3374 
大部分的ESD電流來自電路外部，因此ESD保護電路一般設(shè)計在PAD旁，I/O電路內(nèi)部。典型的I/O電路由輸出驅(qū)動和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過PAD導(dǎo)入芯片內(nèi)部，因此I/O里所有與PAD直接
2014-12-24 11:05:472546 
要求，重點討論了在I/O電路中ESD保護結(jié)構(gòu)的設(shè)計要求。 1 引言 靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來越薄，芯片的面積規(guī)模越來越大，MOS管能
2017-12-05 09:03:4012076 
近年來，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個研究組已利用標(biāo)準(zhǔn)
2021-07-29 07:00:00
, EOS等各項指標(biāo)的要求。隨著IC先進(jìn)制程技術(shù)的應(yīng)用, 芯片功能的增多和尺寸的減小, 對于半導(dǎo)體廠和設(shè)計公司來說, 不斷面臨著產(chǎn)品對靜電保護ESD提出的越來越高的要求。這次授課老師為Bart Keppens
2015-04-22 22:19:54
。 IC制造商已經(jīng)將ESD損傷確定為互補式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)元件現(xiàn)場可靠性的一項主要威脅，它可能損害品牌形象并妨礙市場接受新技術(shù)。為避免此情況，業(yè)界積極努力用后續(xù)新制程世代來最佳化整合ESD
2011-11-24 15:00:58
統(tǒng)提供ESD保護，可以從不同的角度來著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護架構(gòu)。不過，日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來越不足以承受進(jìn)行內(nèi)部2kV等級的ESD保護所需要的面積。安森美半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部
2008-07-29 09:51:53
UM5051/5052的重要參數(shù)ESD保護器件的種類ESD應(yīng)用舉例
2021-04-02 07:37:30
能夠承受ESD的沖擊，并繼續(xù)正常工作。ESD保護方法為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護，可以從不同的角度來著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護架構(gòu)。不過，日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來越不足以承受進(jìn)行
2011-07-05 14:19:03
取舍，實際上會使系統(tǒng)整體性能在某種程度上受損。對于設(shè)計能夠同時符合更高數(shù)據(jù)率和更好ESD保護新需求的芯片的制造商來說，要實現(xiàn)這個目標(biāo)極具挑戰(zhàn)性。ESD保護領(lǐng)域的變化 由于采用更小的制造幾何尺寸、片上保護
2011-01-27 10:35:10
水平，以便使那些采用了對ESD越來越敏感的IC的終端產(chǎn)品保持高可靠性。 ESD波形 以系統(tǒng)級的方法來定義典型的ESD事件所采用的最常見的波形，是以其亞納秒上升時間和高電流電平(參見圖1)為顯著特征
2010-08-18 19:44:07
徑，把異常電壓箝制在一個安全的水平，從而保護被保護IC或線路。ESD二極管憑借體積小、封裝多樣化、響應(yīng)速度快（小于1ns）、電容值低、漏電流低（小于1uA）、超低箝位電壓、電壓值低等獨有優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用
2018-10-17 16:04:52
如何正確保護IC？ESD傳遞模式有哪幾種？ESD保護和應(yīng)用電路如何提高ESD保護？
2021-04-23 06:23:47
ESD波形是什么ESD方面所需考慮因素ESD如何選擇最有效的保護方案
2021-04-08 06:07:41
告訴《中國電子報》記者，據(jù)統(tǒng)計，超過60%的IC失效都源于ESD?！ ‰S著超大規(guī)模集成電路工藝的高速發(fā)展，特征尺寸已經(jīng)到深亞微米階段，大大提高了集成電路的性能及運算速度，但隨著器件尺寸的減小，對可靠性
2013-02-21 10:54:18
對電子器件來說，一次我們無法察覺的輕微靜電放電就可能對其造成嚴(yán)重的損傷。泰科電子瑞侃電路保護產(chǎn)品應(yīng)用工程經(jīng)理董告訴《中國電子報》記者，據(jù)統(tǒng)計，超過60%的IC失效都源于ESD?！ ‰S著
2013-08-16 10:22:02
[table][tr][td]隨著現(xiàn)代社會的飛速發(fā)展，我們對電子設(shè)備的依靠與日俱增.現(xiàn)代電腦越來越多的采用低功率邏輯芯片，由于MOS的電介質(zhì)擊穿和雙極反向結(jié)電流的限制，使這些邏輯芯片對ESD非常敏感
2013-11-20 15:43:19
`隨著半導(dǎo)體工藝尺寸從微米量級向納米量級縮小，靜電放電（ESD）對于半導(dǎo)體器件與系統(tǒng)的影響仍在持續(xù)。本書從全芯片ESD設(shè)計綜合的角度，對EOS、ESD以及Latchup進(jìn)行了探討。針對ESD保護
2013-09-04 09:17:26
因為要求高集成度、快速度和小體積，如今的新興電子產(chǎn)品都使用基于先進(jìn)深次微米制程的芯片。但制程越先進(jìn)，芯片對 ESD 耐受度也就越差。當(dāng)這些電子產(chǎn)品在實際環(huán)境下受到 ESD沖擊時，IC 內(nèi)部更容易受到
2013-06-14 16:42:50
(螺絲起子)靠近有相反電勢的集成電路(IC)時，電荷“跨接”，引起靜電放電(ESD)。 ESD以極高的強度很迅速地發(fā)生，通常將產(chǎn)生足夠的熱量熔化半導(dǎo)體芯片的內(nèi)部電路，在電子顯微鏡下外表象向外吹出的小?彈孔
2018-10-11 16:10:23
PCB和系統(tǒng)級設(shè)計中的EMI控制。在考慮EMI控制時，設(shè)計工程師及PCB板級設(shè)計工程師首先應(yīng)該考慮IC芯片的選擇。集成電路的某些特征如封裝類型、偏置電壓和芯片的：工藝技術(shù)(例如CMoS、ECI)等都對電磁干擾有很大的影響。下面將著重探討IC對EMI控制的影響。
2019-05-31 07:28:26
、丟失等，必將造成巨大的損失。所以IC卡芯片對ESD有較高的要求，一般大于4kV。 防護ESD的一種有效方法，即設(shè)計特定的保護電路。圖4即為一種基于CMOS工藝的IC卡芯片ESD保護電路7。該結(jié)構(gòu)包括
2018-11-05 15:57:30
analysis、故障覆蓋率分析、測試矢量生成等目的?，F(xiàn)代VLSI特別是ULSI IC的迅速發(fā)展， 正是依靠EDA工具在亞微米和深亞微米技術(shù)上的進(jìn)步及其對應(yīng)工藝水平的提高。應(yīng)該說沒有EDA工具就沒有
2011-12-19 16:50:52
。不過，日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來越不足以承受進(jìn)行內(nèi)部2 kV等級的ESD保護所需要的面積。安森美半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部亞太區(qū)市場營銷副總裁麥滿權(quán)指出：真正有效的ESD保護是不能完全集成到CMOS芯片之中
2013-01-04 14:58:24
為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護，可以從不同的角度來著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護架構(gòu)。不過，日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來越不足以承受進(jìn)行內(nèi)部2KV等級的ESD保護所需要的面積。真正有效
2014-02-14 10:30:16
HAL250低功耗霍爾開關(guān)是采?BCD工藝制作的全極低功耗霍爾ic，BCD?藝把雙極?藝和CMOS工藝，DMOS工藝同時制作在同一芯?上。HAL250低功耗霍爾開關(guān)綜合了雙極器件高耐壓、強負(fù)載的驅(qū)動
2021-10-14 11:45:24
的猖獗，給這個行業(yè)帶來了許多問題，中國電子行業(yè)起步晚，發(fā)展快，但是在部分領(lǐng)域與國外技術(shù)還是存在一定的差距，尤其是智能手機芯片技術(shù)上面更是差距最大，而芯片解密技術(shù)尤其瘋狂，所有現(xiàn)在芯片加密將保護知識產(chǎn)權(quán)
2013-09-23 11:29:13
的安全保護傘的所有部分都應(yīng)該“硬化”或者屏蔽攻擊，包括加密密鑰、驗證碼和固件。深聯(lián)華 基于硬件的安全性可在很小的空間內(nèi)通過簡單且高成本效益的方式實現(xiàn)這一目標(biāo)。幾乎沒有任何方法可以下載已鎖定在芯片中的秘密
2013-12-30 16:04:47
充放電模式測試(CDM),JS002 ；閂鎖測試(LU),JESD78 ；芯片IC失效分析 ( FA)：光學(xué)檢查(VI/OM) ；掃描電鏡檢查(FIB/SEM)微光分析定位(EMMI/InGaAs
2020-05-17 20:50:12
摘 要：EDA技術(shù)是現(xiàn)代電子設(shè)計技術(shù)的核心，它在現(xiàn)代集成電路設(shè)計中占據(jù)重要地位。隨著深亞微米與超深亞微米技術(shù)的迅速發(fā)展，F(xiàn)PGA設(shè)計越來越多地采用基于VHDL的設(shè)計方法及先進(jìn)的EDA工具。本文詳細(xì)
2019-06-18 07:33:04
摘 要：EDA技術(shù)是現(xiàn)代電子設(shè)計技術(shù)的核心，它在現(xiàn)代集成電路設(shè)計中占據(jù)重要地位。隨著深亞微米與超深亞微米技術(shù)的迅速發(fā)展，F(xiàn)PGA設(shè)計越來越多地采用基于VHDL的設(shè)計方法及先進(jìn)的EDA工具。本文詳細(xì)
2019-06-27 08:01:28
HDMI接收器和發(fā)射器的IC芯片全部采用深亞微米工藝制造。亞微米CMOS制程十分敏感，通常設(shè)有ESD保護限制(最高2kV)，必須符合人體放電模式(HBM)標(biāo)準(zhǔn)。另外，LCD電視和機頂盒(STB)等
2013-11-21 09:57:59
和發(fā)射器IC芯片采用的是亞微米CMOS工藝制造而成的，而亞微米CMOS十分地敏感，為此需要借助ESD靜電保護器件和ESD靜電保護解決方案為其保駕護航。機頂盒STB、電視LCD等終端應(yīng)用極其容易受到ESD
2020-12-31 15:57:17
已經(jīng)過第三方實驗室驗證。 產(chǎn)品特點及其優(yōu)點l CMOS霍爾IC技術(shù)l 強大的抗RF噪聲技術(shù)l 工作電壓1.8至6V，適用于電池供電的應(yīng)用l 低至1.65V的工作電壓，全極霍爾開關(guān)微功耗l 高靈敏度可替換
2019-11-07 10:34:36
)的沖擊經(jīng)由NFC天線對整個NFC的溝通功能所造成的錯誤動作。移動電話這些電子產(chǎn)品由于頻繁地與人體接觸，很容易受到靜電放電(ESD)的沖擊。此外，這些電子產(chǎn)品所采用的IC大多是使用最先進(jìn)的半導(dǎo)體制程技術(shù)，所
2019-06-13 08:18:01
TVS的ESD保護原理ESD TVS器件采用的技術(shù)匯總
2021-04-02 06:19:56
的應(yīng)用很容易受到靜電放電的影響。一些采用了深亞微米工藝和甚精細(xì)線寬布線的復(fù)雜半導(dǎo)體功能電路，對電路瞬變過程的影響更加敏感，將導(dǎo)致上述的問題更加激化。電路保護元件存在幾種技術(shù)，當(dāng)選擇電路保護元件時，若
2019-07-29 17:50:09
的電路板空間以及被保護電路的電特性來決定。因為利用先進(jìn)工藝技術(shù)**的IC電路里氧化層比較薄，柵極氧化層更易受到損害。而且一些采用深亞微米工藝和甚精細(xì)線寬布線的復(fù)雜半導(dǎo)體功能電路，對電路瞬變過程的影響更加
2018-11-20 14:09:05
如今的電子系統(tǒng)中越來越多地采用以CMOS工藝制造的低功率邏輯芯片。這些芯片如果遭遇足夠高的靜電放電(ESD)電壓，芯片內(nèi)部的電介質(zhì)上就會產(chǎn)生電弧，并在門氧化物層燒出顯微鏡可見的孔洞，造成芯片的永久
2013-12-27 16:21:39
...............................................................................1ESD (Electrostatic Discharge) Protection in CMOS Integrated Circuits ..........................1目錄
2011-02-24 09:55:18
)靠近有相反電勢的集成電路(IC)時，電荷“跨接”，引起靜電放電(ESD)。ESD以極高的強度很迅速地發(fā)生，通常將產(chǎn)生足夠的熱量熔化半導(dǎo)體芯片的內(nèi)部電路，在電子顯微鏡下外表象向外吹出的小?彈孔，引起即時
2016-07-22 11:26:49
隨著半導(dǎo)體工藝的飛速發(fā)展和芯片工作頻率的提高，芯片的功耗迅速增加，而功耗增加又將導(dǎo)致芯片發(fā)熱量的增大和可靠性的下降。因此，功耗已經(jīng)成為深亞微米集成電路設(shè)計中的一個重要考慮因素。為了使產(chǎn)品更具競爭力
2019-10-14 07:48:14
常見ESD保護元件可分為哪幾類？不同便攜應(yīng)用的ESD保護解決方案
2021-06-08 06:15:34
深亞微米的CMOS工藝制造高速分頻器。由于CMOS器件的價格低廉，因而高速CMOS分頻器有著廣闊的市場前景。那分頻電路由什么構(gòu)成？你們知道2.4GHz動態(tài)CMOS分頻器設(shè)計難嗎？
2021-04-07 06:17:39
ESD(靜電放電)是CMOS電路中最為嚴(yán)重的失效機理之一，嚴(yán)重的會造成電路自我燒毀。論述了CMOS集成電路ESD保護的必要性，研究了在CMOS電路中ESD保護結(jié)構(gòu)的設(shè)計原理，分析了該結(jié)構(gòu)對版圖的相關(guān)要求，重點討論了在I/O電路中ESD保護結(jié)構(gòu)的設(shè)計要求。
2021-04-02 06:35:57
，提高了芯片的運算速度。 但是，隨著工藝的進(jìn)步和尺寸的減小，靜電釋放(ESD)，Elecyro Static Discharge)問題變得日益嚴(yán)峻。據(jù)統(tǒng)計，在集成電路設(shè)計中大約40%的失效電路是ESD問題造成的。如何設(shè)計ESD保護電路？這個問題急需解決。
2019-08-07 06:24:17
隨著微電子
技術(shù)和半導(dǎo)體工業(yè)的不斷創(chuàng)新和發(fā)展，超大規(guī)模集成電路和集成度和工藝水平不斷提高，
深亞微米(deep-submicron)工藝，如0.18μm、0.13μm已經(jīng)走向成熟，使得在一個
芯片上完成系統(tǒng)級的集成已成為可能?！ ?/div>
2019-10-30 07:55:52
關(guān)鍵芯片組外部ESD保護要求硅ESD保護技術(shù)與無源ESD保護技術(shù)比較消除信號完整性問題的PicoGuard XS ESD保護技術(shù)智能手機等便攜及消費產(chǎn)品電路保護及濾波應(yīng)用示例
2021-04-09 06:55:32
版本已經(jīng)過第三方實驗室驗證。 產(chǎn)品特點及其優(yōu)點l CMOS霍爾IC技術(shù)l 強大的抗RF噪聲技術(shù)l 工作電壓2.5至6V，適用于電池供電的應(yīng)用l 全極霍爾開關(guān)微功耗l 高靈敏度可替換簧片開關(guān)l 125
2019-11-07 14:46:47
領(lǐng)先水平，由深圳市明微電子有限公司負(fù)責(zé)該芯片的市場推廣及售后服務(wù)工作。SM9613是3對輸入4聲道輸出數(shù)字音頻控制處理芯片，該芯片采用深亞微米CMOS工藝技術(shù)制造，芯片內(nèi)部包含音量、低音、高音、通道均衡
2011-03-07 21:49:30
首創(chuàng)。集成式固態(tài)ESD保護是專有的ADI技術(shù)，可實現(xiàn)非常高的ESD保護同時對MEMS開關(guān)RF性能影響最小。圖3顯示了采用SMD QFN封裝的ESD保護元件。其中，芯片安放在MEMS芯片上，通過焊線連接
2018-11-01 11:02:56
本文選擇了SoC芯片廣泛使用的深亞微米CMOS工藝，實現(xiàn)了一個10位的高速DAC。該DAC可作為SoC設(shè)計中的IP硬核，在多種不同應(yīng)用領(lǐng)域的系統(tǒng)設(shè)計中實現(xiàn)復(fù)用。
2021-04-14 06:22:33
近年來，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個研究組已利用標(biāo)準(zhǔn)
2019-08-22 06:24:40
和低功耗設(shè)計、設(shè)計驗證、芯片測試和可測性設(shè)計等主題，著重探討了深亞微米數(shù)字集成電路設(shè)計面臨的挑戰(zhàn)和啟示。本書可作為高等院校電子科學(xué)與技術(shù)（包括微電子與光電子）、電子與信息工程、計算機科學(xué)與技術(shù)、自動化等
2009-02-12 09:51:07
深亞微米CMOS工藝中，I/O單元的實現(xiàn)可以從235微米減小到160微米和138微米?！ ∵@種新的設(shè)計方法在ESD防護性能和效率上都很大程度提高，并且在實現(xiàn)防靜電保護避免IC損壞，進(jìn)一步提高晶圓使用的效率方面發(fā)揮了積極作用。參考資料：防靜電資訊網(wǎng)
2012-12-11 13:39:47
新型互補電容耦合ESD保護電路的設(shè)計提出了一種改進(jìn)型的基于亞微米工藝中ESD 保護電路, 它由互補式電容實現(xiàn), 結(jié)構(gòu)與工藝簡單。電路采用0.6μm1P2MCMOS 工藝進(jìn)行了驗證, 結(jié)果表明
2009-12-23 16:33:58
。從成本效益比的角度來看，這已經(jīng)被證明是件很難做到的事。從圖1可以看出，隨著制造技術(shù)轉(zhuǎn)向90nm以下，將ESD保護水平維持在2，000V的成本，已開始以指數(shù)級上升。因此，現(xiàn)在新的目標(biāo)是降低芯片上
2019-05-22 05:01:12
IC。在一個新的模塊快速連接該器件和ESD測試開始獲得好的結(jié)果，因為SZESD9101成功保護了GPS通過所需的8kV存在等級。有了推薦的ESD保護器件、TLP的結(jié)果以及向上層管理報告8kV通過結(jié)果
2018-10-25 09:02:26
部芯片造成損傷片上ESD 保護電路。圖3相信所有人都希望ESD 防護能完全地集成到IC 芯片內(nèi)部，因為這樣會節(jié)省的板級空間，減少系統(tǒng)成本并降低設(shè)計與布線的復(fù)雜度。但從目前情況來看，前景并不樂觀。如今
2017-07-31 14:59:33
【作者】：張科營;郭紅霞;羅尹虹;何寶平;姚志斌;張鳳祁;王園明;【來源】：《原子能科學(xué)技術(shù)》2010年02期【摘要】：采用TCAD工藝模擬工具按照等比例縮小規(guī)則構(gòu)建了從亞微米到超深亞微米級7種
2010-04-22 11:50:00
，不普通數(shù)字電路更容易遭到損壞，因為用于ESD保護的傳輸入保護結(jié)構(gòu)會增加輸入泄露，因此不能使用。所有ESD敏感器件均采用保護性封裝。IC通常裝在導(dǎo)電泡沫中或者防靜電包裝套管中，而后將容器密封在一個靜電
2018-01-16 14:21:19
解讀ESD靜電抑制器 因為要求高集成度、快速度和小體積，如今的新興電子產(chǎn)品都使用基于先進(jìn)深次微米制程的芯片。但制程越先進(jìn)，芯片對 ESD 耐受度也就越差。當(dāng)這些電子產(chǎn)品在實際環(huán)境下受到 ESD沖擊
2013-12-11 15:58:03
使用液晶電視等HDMI終端設(shè)備支持的音頻/視頻格式?！ DMI接收器和發(fā)射器的IC芯片全部采用深亞微米工藝制造。亞微米CMOS制程十分敏感，通常設(shè)有ESD保護限制(最高2kV)，必須符合人體放電模式
2019-06-17 05:00:06
摩爾定律對先進(jìn)CMOS IC的ESD保護的影響 持續(xù)不斷的特征尺寸小型化趨勢，已經(jīng)使半導(dǎo)體制造商能夠在過去幾十年中通過把幾十億三極管集成到單一芯片之中來提高芯片性能、降低功耗及驅(qū)動成本的下降。盡管
2018-12-05 10:39:44
隨著現(xiàn)代社會的飛速發(fā)展，我們對電子設(shè)備的依賴與日俱增.現(xiàn)代電腦越來越多的采用低功率邏輯芯片，由于MOS的電介質(zhì)擊穿和雙極反向結(jié)電流的限制，使這些邏輯芯片對ESD非常敏感。大多數(shù)USB集成電路都是
2019-08-02 17:43:22
CMOS工藝中GG2NMOS結(jié)構(gòu)ESD保護電路設(shè)計:采用GG2NMOS 結(jié)構(gòu)的ESD 保護電路的工作原理和對其進(jìn)行的ESD 實驗,提出了一種保護電路的柵耦合技術(shù)方案,并達(dá)到了預(yù)期效果. 通過實驗可以看出其性
2009-11-20 14:48:43
41 本文研究了在CMOS 工藝中I/O 電路的 ESD 保護結(jié)構(gòu)設(shè)計以及相關(guān)版圖的要求，其中重點討論了PAD 到VSS 電流通路的建立。關(guān)鍵詞：ESD 保護電路，ESD 設(shè)計窗口，ESD 電流通路Constru
2009-12-14 10:45:5455 本文采用 MEDICI 作為集成電路ESD 保護常用器件—柵極接地N 型MOS 管（GGNMOS）ESD 性能分析的仿真工具，綜合分析了各種對GGNMOS 的ESD 性能有影響的因素，如襯底摻雜、柵長、接觸
2009-12-14 10:59:0222 和艦科技自主創(chuàng)新研發(fā)的0.16 微米硅片制造工藝技術(shù)在原有比較成熟的0.18 微米工藝技術(shù)基礎(chǔ)上，將半導(dǎo)體器件及相關(guān)繞線尺寸進(jìn)行10%微縮（實際尺寸為0.162 微米），大大降低了芯
2009-12-14 11:23:3625 超深亞微米IC設(shè)計中的天線效應(yīng)李蜀霞 劉輝華 趙建明 何春(電子科技大學(xué)電子電子科學(xué)技術(shù)研究院 成都 610054)【摘要】本文主要分析了超深亞微米集成電路設(shè)計中天線效應(yīng)
2009-12-19 14:54:5345 一種全新的深亞微米IC設(shè)計方法
本文分析了傳統(tǒng)IC設(shè)計流程存在的一些缺陷，并且提出了一種基于Logical Effort理論的全新IC設(shè)計方法。
眾所周知，傳統(tǒng)的IC設(shè)計流
2009-12-27 13:28:50615 
目前幾乎所有的芯片組都有片上ESD保護。ESD電路放在芯片的外圍和鄰近I/O焊墊處，它用于在晶圓制造和后端裝配流程中保護芯片組。在這些環(huán)境中，ESD可通過設(shè)備或工廠的生產(chǎn)線工作人員引入到芯片組上
2011-02-18 10:29:07942 
，了解保護元件的特性知識也非常必要，需要考慮的重要因素之一是器件的箝位電壓。所謂箝位電壓是在ESD器件里跨在瞬變電壓消除器(TVS)上的電壓，它是被保護IC的應(yīng)變電壓。?因為利用先進(jìn)工藝技術(shù)制造的IC
2018-11-22 16:58:54826 ESD保護電路的設(shè)計目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路而遭到損害，保證在任意兩芯片引腳之間發(fā)生的ESD，都有適合的低阻旁路將ESD電流引入電源線。這個低阻旁路不但要能吸收ESD電流，還要能箝位工作電路的電壓，防止工作電路由于電壓過載而受損。
2019-03-04 14:24:014168 
ESD保護電路的設(shè)計目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路而遭到損害，保證在任意兩芯片引腳之間發(fā)生的ESD，都有適合的低阻旁路將ESD電流引入電源線。這個低阻旁路不但要能吸收ESD電流，還要能箝位工作電路的電壓，防止工作電路由于電壓過載而受損。
2019-04-08 15:26:112192 
隨著CMOS集成電路產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，越來越多的CMOS芯片應(yīng)用在各種電子產(chǎn)品中，但在電子產(chǎn)品系統(tǒng)的設(shè)計過程中，隨著CMOS工藝尺寸越求越小，單位面積上集成的晶體管越來越多，極大地降低了芯片的成本
2020-12-30 10:28:002 ESD保護設(shè)計隨著CMOS工藝的演進(jìn)而越來越困難，迄今已有六百多件ESD相關(guān)的美國專利。而且，ESD更應(yīng)當(dāng)從芯片全局考慮，而不只是Input PAD，Output PAD，或Power PAD的問題。
2021-03-17 22:28:5525 當(dāng)持續(xù)時間更長的 EOS 事件發(fā)生時，沖擊 ESD 保護單元的能量就會更多，常常超出 ESD 保護單元的最大沖擊能量承受能力，這樣就會在 ESD 保護單元中積累太多的熱量，最終導(dǎo)致嚴(yán)重的毀滅性結(jié)果。
2022-04-20 09:22:392219 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ESD保護芯片CH412技術(shù)手冊.pdf》資料免費下載
2022-09-09 11:29:031 靜電放電(ESD)會對集成電路(IC)造成破壞性的能量沖擊，良好的IC設(shè)計能夠在IC裝配到應(yīng)用電路的過程中保護IC免遭ESD沖擊的破壞。安裝后，IC還必須能夠承受ESD穿過靜電防護電路進(jìn)入最終電路
2023-06-10 15:40:58582 
點擊上方“藍(lán)字”關(guān)注我們！IC片上保護設(shè)計對EOS的影響全面的方法可以減少與EOS相關(guān)的故障通常理解的是，芯片上ESD保護是必不可少的，以滿足人體模型(HBM)和充電裝置模型產(chǎn)品合格(CDM)ESD
2021-12-31 16:08:021316 
靜電保護器件、ESD保護芯片，是一種高效型的靜電保護器件。在各類通信端口、接口中，經(jīng)常需要用到ESD靜電保護器件為其保駕護航，以品牌廠家東沃電子ESD靜電保護器件
2022-03-30 10:37:501285 
Resistor不單獨用于芯片的ESD保護，它往往用于輔助的ESD保護，如芯片Input第一級保護和第二級保護之間的限流電阻。如圖5，當(dāng)ESD電流過大，第一級ESD器件難以將電壓鉗位至安全區(qū)域時，第二級ESD器件的導(dǎo)通將使其與電阻分壓，從而進(jìn)一步降低進(jìn)入內(nèi)部電路的電壓。
2023-12-07 09:15:04516 
靜電放電（ESD）是電子設(shè)備中一種常見的危害，它可能導(dǎo)致集成電路（IC）的損壞。對于CMOS IC來說，經(jīng)受過嚴(yán)重ESD電擊的可靠性會降低。
2023-12-15 15:32:09219 靜電保護器件（ESD） 是由一個或多個 TVS 晶粒采用不同的電路拓?fù)渲瞥删哂刑囟üδ艿亩嗦坊騿温?ESD 保護器件。
2024-02-17 16:01:00571 
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