日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:59
1527 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款采用熱增強(qiáng)型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，
2012-10-09 11:28:30984 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET?應(yīng)用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301462 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:111791 基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS（on），同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-08-25 14:36:2031081 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311168 Vishay提供豐富的MOSFET技術(shù)支持各級(jí)功率轉(zhuǎn)換，涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統(tǒng)。
2020-12-24 15:08:34802 低成本AC-DC電源方案8652是一款非隔離型、高集成度且低成本的PWM功率開(kāi)關(guān)，適用于降壓型和升降壓型電路。AH8652采用高壓單晶圓工藝，在同一片晶圓上集成有500V高壓MOSFET和采用開(kāi)關(guān)式峰值
2020-09-09 14:50:57
需求：將鋰電池3.7V升壓成500V的5KHz交流電去點(diǎn)亮EL線(xiàn)
現(xiàn)有電路
原理：
在Q1關(guān)斷期間，導(dǎo)通Q2，電感儲(chǔ)能；關(guān)斷Q2后，電感產(chǎn)生反向電動(dòng)勢(shì)，給EL燈的等效電容C1充電；理論上可以升到D1
2023-06-28 19:43:57
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
大家好。在CC模式測(cè)試期間，我可以詢(xún)問(wèn)安捷倫校準(zhǔn)中心在其6035A 500V / 2A 1000W電源上用作負(fù)載調(diào)節(jié)/負(fù)載效應(yīng)的短路開(kāi)關(guān)。您是使用電子開(kāi)關(guān)還是重型機(jī)械開(kāi)關(guān)（以創(chuàng)建短路）電路）從
2019-04-02 15:47:32
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
一、簡(jiǎn)介90V-220V輸入小體積LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片集成了500V功率MOS、高壓自供電電路以及采樣電路，無(wú)需啟動(dòng)電阻以及反饋電阻。準(zhǔn)諧振工作模式簡(jiǎn)化了PCB的設(shè)計(jì)，系統(tǒng)只需要幾個(gè)的外圍元件，大大
2020-10-29 16:05:19
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
公司產(chǎn)品打算做CE認(rèn)證，其中一項(xiàng)測(cè)試就是能抵抗500V的浪涌電壓。測(cè)試公司會(huì)用他們的設(shè)備連接我們的設(shè)備，12V的輸入，500V的浪涌電壓持續(xù)1.2ms。于是我們?cè)谄渲屑尤肓薚VS，如圖所示。D18
2019-11-12 11:10:07
`GEN300-11品牌TDK-LAMBDA 東莞市德佳儀器 供應(yīng)各類(lèi)而我若所儀器儀 GEN300-11產(chǎn)品特點(diǎn)* CE標(biāo)志 (符合低電壓指令, EMC: EN55022/55024), 符合
2020-08-28 15:59:57
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車(chē)用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
部分的快速電壓瞬變干擾。Vishay推出的 VO3120是光隔離IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)器，驅(qū)動(dòng)能力達(dá)1200V /50A，傳播延遲小于400ns，1500V電壓下抗共摸干擾 (CMTI)為25kV
2010-09-08 15:49:48
汽車(chē)級(jí)電阻，節(jié)省電路板空間，工作電壓為450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，擴(kuò)充其TNPV e3系列汽車(chē)級(jí)高壓薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
從本篇開(kāi)始，介紹近年來(lái)MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來(lái)看近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
：介于平面和超結(jié)型結(jié)構(gòu)中間的類(lèi)型超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)是高壓MOSFET技術(shù)的重大發(fā)展并具有顯著優(yōu)點(diǎn)，其RDS(on)、柵極容值和輸出電荷以及管芯尺寸同時(shí)得到降低。為充分利用這些快速和高效器件，設(shè)計(jì)工程師需要非常注意
2018-10-17 16:43:26
國(guó)際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路（HVIC）。這19款新型HVIC采用半橋設(shè)計(jì)，配有高端和低端驅(qū)動(dòng)器，可廣泛適用于包括馬達(dá)控制、照明、開(kāi)關(guān)電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
的方向，充分并迅速地了解供應(yīng)商提供的仿真模型是否真實(shí)反映既定應(yīng)用空間內(nèi)的器件仍然是棘手的問(wèn)題。
與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的模型不同，F(xiàn)airchild的超級(jí)結(jié)MOSFET和IGBTSPICE模型基于一個(gè)物理可擴(kuò)展模型
2019-07-19 07:40:05
產(chǎn)品描述 QQ289 271 5427 DP950XB系列是高度集成的恒流LED功率開(kāi)關(guān)， 芯片采用了準(zhǔn)諧振的工作模式，無(wú)需輔助繞組檢測(cè) 消磁。同時(shí)內(nèi)部集成有高壓500V功率MOSFET和 高壓自供
2019-09-27 15:10:01
。 特點(diǎn) ?內(nèi)置500V高壓MOSFET ?5% 輸出電流精度 ?可編程LED輸出電流 ?專(zhuān)利的防過(guò)沖技術(shù) ?多芯片并聯(lián)應(yīng)用 ?精簡(jiǎn)的外圍電路，驅(qū)動(dòng)器體積非常小 ?芯片供電欠壓保護(hù) ?過(guò)溫補(bǔ)償 ?過(guò)溫
2013-02-22 17:32:41
Adaptor。NCP1234 和NCP1236 系列控制器能夠納入高性能離線(xiàn)(Off-line)電源，同時(shí)將電路板空間減至最小。這一系列組件采用高壓制程工藝技術(shù)，整合了多種功能，如：過(guò)功率補(bǔ)償
2015-04-23 11:48:26
穩(wěn)壓器IC。 HV9921集成了一個(gè)500V開(kāi)關(guān)MOSFET，可直接在整流的通用交流線(xiàn)電壓范圍80至265VAC下工作
2019-10-16 08:41:01
穩(wěn)壓器IC。 HV9923集成了一個(gè)500V開(kāi)關(guān)MOSFET，可直接工作于整流通用交流線(xiàn)電壓范圍80至265VAC
2019-10-16 08:37:46
電源.開(kāi)關(guān)電源,汽車(chē)電子專(zhuān)用高壓貼片電容 產(chǎn)品規(guī)格有： 0805 X7R 100V、250V、500V 系列0805 NPO 100V、250V、500V 系列1206 X7R 100V、250V
2012-05-06 11:26:50
電壓的自適應(yīng)，從而取得優(yōu)異的線(xiàn)型調(diào)整率和負(fù) 載調(diào)整率。 SIC9552A/9553A/9554A/9555A/9556A內(nèi)部集成了500V功率MOSFET，無(wú)需次級(jí)反饋電路，也無(wú)需補(bǔ) 償電路，加之精準(zhǔn)
2016-06-16 20:42:44
1.5kV，常用1kV以下，電流從幾mA到數(shù)百A；MOSFET在1kV以下，常用500V以下,電流數(shù)A到數(shù)百A；IGBT電壓定額在500V以上，可達(dá)數(shù)kV，電流數(shù)十A到數(shù)kA。不同的器件具有不同的驅(qū)動(dòng)要求：雙
2021-03-29 17:31:30
輸入900V，輸出500V的高壓穩(wěn)壓電源——三極管串聯(lián)應(yīng)用的典范：
2018-09-13 18:18:07
基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-08-09 17:45:55
有兩個(gè)500v 100uf的電容 串聯(lián)在1000v直流電中，想要選取分壓電阻，讓每個(gè)電容分得500v電壓，分壓電阻阻值和功率如何選擇？
補(bǔ)充內(nèi)容 (2016-8-5 09:57):
在線(xiàn)等
2016-08-04 17:44:36
共用 PCB 板 ?LED 電流可外部設(shè)定? 芯片應(yīng)用線(xiàn)路無(wú) EMI 問(wèn)題? 內(nèi)置 500V 高壓 MOS ? 芯片具有過(guò)溫調(diào)節(jié)能力（過(guò)溫點(diǎn) 135 度）? 采用 ESOP8、TO252、SOT89-3 封裝
2020-11-09 18:57:28
分析C2\C3\D3\D4作用，C1上為什么會(huì)有500V電壓
2020-04-26 21:24:36
，工程師們已定義一套FOM以應(yīng)用于新的低壓功率MOSFET技術(shù)研發(fā)。由此產(chǎn)生的30伏特(V)技術(shù)以超級(jí)接面(Superjunction)為基礎(chǔ)概念，是DC-DC轉(zhuǎn)換器的理想選擇；相較于橫向和分裂閘極
2019-07-04 06:22:42
的trr/VF 比和恢復(fù)軟度?！ ?.2. 超結(jié)MOSFET: SLLIMM-nano系列產(chǎn)品所用的N溝道600 V超結(jié)MOSFET采用最新的MDMesh DM2快速二極管技術(shù)。改進(jìn)的壽命控制技術(shù)使
2018-11-20 10:52:44
1.38V。最高工作結(jié)溫達(dá)+175℃，可實(shí)現(xiàn)更穩(wěn)固的設(shè)計(jì)。Vishay的新款Gen2 650 V FRED Pt?超快裸片二極管具有28ns的快速恢復(fù)時(shí)間，正向壓降低至1.38V，低反向泄漏電流可減少太陽(yáng)能逆變器、UPS、電動(dòng)汽車(chē)和電焊機(jī)中的開(kāi)關(guān)損耗。本新聞來(lái)自大聯(lián)大云端`
2014-01-02 14:27:36
采用新技術(shù)，例如D3半導(dǎo)體正在實(shí)施的技術(shù)。新方法在開(kāi)發(fā)新的+FET產(chǎn)品線(xiàn)時(shí)，D3半導(dǎo)體選擇了一種非傳統(tǒng)的技術(shù)方法，將集成應(yīng)用于高壓超結(jié)功率MOSFET?。在傳統(tǒng)的晶體管配置中，沒(méi)有元件來(lái)提供微調(diào)功能
2023-02-27 10:02:15
求一款低邊MOSFET驅(qū)動(dòng),輸入電壓12V,電流1A以上，且一顆芯片驅(qū)動(dòng)兩個(gè)MOSFET?
2020-03-18 09:31:32
浪涌抑制器IC可以保護(hù)> 500V電源浪涌的負(fù)載
2019-07-30 08:22:40
的導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的導(dǎo)通壓降仍居高不下，耐壓500V以上的MOSFET 的額定結(jié)溫、額定電流條件下的導(dǎo)通電壓很高，耐壓800V以上的導(dǎo)通電壓高得驚人，導(dǎo)通損耗占MOSFET總損耗的2/3-4/5，使應(yīng)用受到
2020-03-31 17:08:29
主要特點(diǎn)● 集成 500V 高壓 MOSFET 和高壓啟動(dòng)電路● 多模式控制、無(wú)異音工作● 支持降壓和升降壓拓?fù)洹?默認(rèn)12V 輸出（FB 腳懸空）● 待機(jī)功耗低于50mW ● 良好的線(xiàn)性調(diào)整率
2020-08-14 14:32:05
運(yùn)放正負(fù)12伏供電，運(yùn)放輸出端連接mosfet的G極。mosfet的D連接500v直流高壓，mosfet的S極連接一個(gè)20歐姆電阻到地，20歐姆電阻連接運(yùn)放反饋端，我想把運(yùn)放個(gè)mosfet進(jìn)行隔離，求方案。求器件。整個(gè)原理其實(shí)就是運(yùn)放控制mosfet實(shí)現(xiàn)電流源。
2018-08-02 08:55:51
請(qǐng)問(wèn)怎么實(shí)現(xiàn)12V直流輸入，輸出100~500V連續(xù)可調(diào)電壓？
2016-03-05 17:03:59
請(qǐng)問(wèn)我想將3.3V直流升為500V直流，怎么實(shí)現(xiàn)？比如選擇什么樣的芯片，用什么電路
2015-06-08 15:50:33
的矛盾?！ 〖幢闳绱耍?b class="flag-6" style="color: red">高壓MOSFET在額定結(jié)溫下的導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的導(dǎo)通壓降仍居高不下，耐壓500V以上的MOSFET 的額定結(jié)溫、額定電流條件下的導(dǎo)通電壓很高，耐壓800V以上的導(dǎo)通電壓高得驚人，導(dǎo)
2023-02-27 11:52:38
加深理解，最好還是參閱技術(shù)規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)值和特性圖表。【標(biāo)準(zhǔn)SJ MOSFET：AN系列】R50xxANx（500V）R52xxANx系列（520V）R60xxANx系列（600V）R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
B88069X6940B152 擊穿電壓500V無(wú)引腳11.8*17.1B88069X4380B152 擊穿電壓800V無(wú)引腳11.8*17.1EN 61643-11 I和II
2022-11-05 09:59:55
Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采
2010-07-16 15:05:24
17 Qorvo 的 UJ4SC075011B7S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開(kāi) SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-12-17 10:50:35
Vishay新型功率MOSFET采用反向?qū)б齌O-252DPAK封裝
2010-11-12 22:27:3332 D/A從變換器的500v隔離電路
可編程電源的D/A變換器和MC1408非倒相緩沖器之間的(motorola4N27光電隔離電路)
2007-08-20 15:38:27999 
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
500V觸發(fā)電路
2009-02-06 00:21:55690 
Vishay推出具有最高32V電源電壓的新款IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出兩款新型IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器，豐富了其已
2009-07-01 09:30:55556 Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充公司市場(chǎng)領(lǐng)先的功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:341664 Vishay發(fā)布新款集成功率光敏
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的集成功率光敏，分別是輸出電流為0.9A的VO2223和輸出電流為1A的VO2223A，擴(kuò)
2010-03-26 11:38:56722 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對(duì)稱(chēng)雙通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:23923 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301341 日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類(lèi)器件。
2011-08-18 09:42:40850 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過(guò)JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通
2012-05-03 17:29:421433 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 Vishay發(fā)布采用小尺寸WCSP6封裝的新款斜率控制的P溝道高邊負(fù)載開(kāi)關(guān)，器件可在1.5V～5.5V電壓范圍內(nèi)工作，具有低至20m?的導(dǎo)通電阻、低靜態(tài)電流， 導(dǎo)通電壓上升斜率為3ms
2013-05-03 15:50:581089 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK
2013-07-15 11:32:40783 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴(kuò)展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 Vishay發(fā)布HML新款微型軸向引線(xiàn)的厚膜電阻——1.85 mm x 0.91 mm的器件采用結(jié)實(shí)耐用的塑料外殼，可用于助聽(tīng)器和工業(yè)高頻探頭。
2014-01-21 11:39:25721 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 Vishay發(fā)布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET? Gen IV技術(shù)的新款30V非對(duì)稱(chēng)雙片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51890 賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 10 月9 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新的500V家族
2014-10-09 12:59:191468 
賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 3 月4 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、熱增強(qiáng)
2015-03-05 16:30:04855 賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 4 月14 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布新型的采用插腳封裝和SMD封裝的高速940nm紅外發(fā)射器。
2015-04-17 15:32:121109 
的PCB空間。Vishay Draloric RCV e3器件采用0805和1206外形尺寸，限定芯電壓分別為400V和500V。
2015-05-07 16:15:121145 采用集成高壓MOSFET和Qspeed二極管的PFC控制器
2016-05-11 15:18:1411 卡扣式鋁電容器中的500V器件的使用壽命延長(zhǎng)到5000小時(shí)。Vishay BCcomponents的電容器適用于太陽(yáng)能逆變器、工業(yè)電機(jī)控制和電源，在+105℃下的使用壽命長(zhǎng)達(dá)5000小時(shí)。
2017-04-14 16:42:521043 文檔中介紹了基于AVR高壓編程器的STK500-II應(yīng)用與開(kāi)發(fā)，操作步驟及圖解。
2017-08-31 11:23:0325 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:211274 
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