專有外延技術(shù)轉(zhuǎn)移到Propel? 單晶圓MOCVD系統(tǒng)，從而在現(xiàn)有的硅生產(chǎn)線上實現(xiàn)生產(chǎn)micro-LED。
2018-02-26 10:24:10
9432 當(dāng)前的鐵電隧道結(jié)都是基于兩類鐵電材料，鈣鈦礦型鐵電體（如BaTiO3和PbZr0.2Ti0.8O3）和氧化物型鐵電體（如HfO2和Hf0.5Zr0.5O2）。這兩類鐵電材料用于鐵電隧道結(jié)各有優(yōu)缺點
2020-08-19 17:55:034826 Micro LED顯示面板包含PCB板、LED芯片、封裝膠膜、驅(qū)動IC等，Micro LED COB顯示屏的光學(xué)性能關(guān)鍵指標(biāo)：亮度、對比度、色域、灰階、刷新率、可視角等。本文通過研究COB單元板光學(xué)性能的設(shè)計影響因素，為COB單元板的光學(xué)性能設(shè)計提供參考。
2023-11-13 11:06:34804 
substrates (FGS)），提升了紅光氮化鎵 (InGaN)Micro LED器件的效率和陣列均勻性。研究人員聲稱，這是首個蝕刻定義臺面尺寸小于5μm的InGaN紅光Micro LED。
2024-02-04 00:07:004559 LED路燈35萬盞（不包含LED隧道燈），其中“十城萬盞”21個城市共安裝LED路燈16萬盞。高工LED預(yù)計，2011年中國LED路燈安裝量將超過50萬盞。 基于高工LED團隊對產(chǎn)業(yè)的及時深入調(diào)研
2011-01-19 11:29:12
普通的高亮度 (HB) LED 僅將約 45% 的應(yīng)用能量轉(zhuǎn)換給可見光子，其余的則產(chǎn)生熱量。 如果產(chǎn)生的這些熱量不能從 LED 充分散去，將會導(dǎo)致過熱，并可能造成災(zāi)難性故障。 即使不出現(xiàn)災(zāi)難性故障，LED 結(jié)溫升高也會造成光輸出下降、顏色發(fā)生變化和/或預(yù)期壽命顯著縮短。
2019-08-12 07:57:16
的結(jié)溫是影響各項性能指標(biāo)的主要因素，也是嚴(yán)重影響LED光衰和使用壽命的關(guān)鍵因素，這些參數(shù)對普通照明而言都是極其重要的照明質(zhì)量評價指標(biāo)，這已經(jīng)在照明業(yè)界達(dá)成共識。把LED燈條密閉在充有混合氣體的玻璃球泡
2018-03-19 09:14:39
還是工程技術(shù)上的應(yīng)用，高調(diào)制帶寬的微納米器件都依然面臨著極大的機遇與挑戰(zhàn)。隨著電子器件制備工藝的提高，高帶寬micro LED與LD的性能與可靠性也會越來越好，有望在可見光通信、光纖通信與水下通信等領(lǐng)域
2023-05-17 15:01:55
制備方法對Ba2FeMoO6雙鈣鈦礦磁性能的影響采用濕化學(xué)法和固相反應(yīng)制備了Ba2FeMoO6雙鈣鈦礦化合物，對比研究了制備方法對其磁性能尤其是磁卡效應(yīng)的影響。實驗結(jié)果表明，濕化學(xué)法準(zhǔn)備的樣品具有
2009-05-26 00:22:45
高性能led路燈驅(qū)動設(shè)計方案管理員，請把我的貼發(fā)了吧，我等著積分，下載些救命的資料！謝謝！
2010-07-14 16:13:57
有哪些新型可用于基帶處理的高性能DSP？性能參數(shù)如何？
2018-06-24 05:20:19
什么是高性能Sub-GHz無線芯片？高性能Sub-GHz無線芯片有哪些應(yīng)用？
2021-05-28 06:40:13
為什么要開發(fā)一款高性能衛(wèi)星應(yīng)用手持終端？高性能衛(wèi)星應(yīng)用手持終端有什么優(yōu)勢？
2021-05-17 07:18:51
高性能計算機的發(fā)展史高性能計算機的內(nèi)容高性能計算機的應(yīng)用高性能計算機的現(xiàn)狀高性能計算機的應(yīng)用領(lǐng)域高性能計算機的未來展望
2019-09-10 10:42:36
異質(zhì)結(jié)通常采用外延生長法。根據(jù)pn結(jié)的材料、摻雜分布、幾何結(jié)構(gòu)和偏置條件的不同，利用其基本特性可以制造多種功能的晶體二極管。如利用pn結(jié)單向?qū)щ娦钥梢灾谱髡鞫O管、檢波二極管和開關(guān)二極管；利用擊穿特性
2016-11-29 14:52:38
現(xiàn)在的電池技術(shù)還是存在許多的弊端，比如說待機時間短、成本過高等問題。近日，蘇州大學(xué)物理與光電能源學(xué)部晏成林教授科研團隊利用廉價冶金硅和廢棄的豆渣制備出高性能新型電池，可用于各類可穿戴設(shè)備上。讓
2016-01-12 16:23:38
產(chǎn)品重要性的同時，不約而同地表示要將精力集中在高性能模擬產(chǎn)品上。那么，在眾說紛紜“高性能”的情況下，什么產(chǎn)品才是高性能模擬產(chǎn)品？面對集成度越來越高的半導(dǎo)體行業(yè)，高性能模擬產(chǎn)品是否生存不易？中國市場對高性能模擬產(chǎn)品的接受程度如何？
2019-06-20 06:22:00
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長的結(jié)構(gòu)，謝謝
2013-12-11 12:50:27
通用設(shè)備制備出具有適合共晶焊接電極結(jié)構(gòu)的出光面積的LED芯片和相應(yīng)的陶瓷底板，并在陶瓷底板上制做出共晶焊接導(dǎo)電層及引出電層。之后利用共晶焊接設(shè)備將大尺寸LED芯片與陶瓷底板焊接在一起。這樣的結(jié)構(gòu)考垃了出光
2013-06-10 23:11:54
通過FPGA來構(gòu)建一個低成本、高性能、開放架構(gòu)的數(shù)據(jù)平面引擎可以為網(wǎng)絡(luò)安全設(shè)備提供性能提高的動力。隨著互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的飛速發(fā)展，性能成為制約網(wǎng)絡(luò)處理的一大瓶頸問題。FPGA作為一種高速可編程器件，為網(wǎng)絡(luò)安全流量處理提供了一條低成本、高性能的解決之道。
2019-08-12 08:13:53
是什么推動著高精度模擬芯片設(shè)計？如何利用專用晶圓加工工藝實現(xiàn)高性能模擬IC？
2021-04-07 06:38:35
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結(jié)陣列的加工成為可能
2021-02-01 06:55:12
利用差動放大器實現(xiàn)低損失、高性能全波整流器的電路是什么樣的？
2019-08-02 07:00:51
如何設(shè)計高性能的SDI信號鏈？對PCB布板和電源設(shè)計有哪些建議？TI在SDI領(lǐng)域的具體方案是什么？
2021-05-24 06:48:22
安捷倫科技公司 (Agilent Technologies) 日前宣布，推出橢圓形輻射模式的穹形4 mm (T-1) 和5 mm (T-1 3/4)雙孔直插超高亮度InGaN (氮化銦鎵) LED
2018-08-28 16:02:10
高頻開關(guān)電源變壓器用功率鐵氧體的制備技術(shù)
2019-04-15 09:58:37
PCB設(shè)計團隊的組建建議是什么高性能PCB設(shè)計的硬件必備基礎(chǔ)高性能PCB設(shè)計面臨的挑戰(zhàn)和工程實現(xiàn)
2021-04-26 06:06:45
新型聚丙烯酸酯的制備與非線性光學(xué)性能設(shè)計合成了一種含偶氮苯和取代苯乙炔基長共軛生色團的丙烯酸酯，并采用溶液聚合法合成了功能化的聚丙烯酸酯，利用FTIR、NMR等對化合物的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征，證實
2009-05-26 00:24:16
激光器的增益區(qū)為GaAs量子阱，采用折射率低的AlGaAs作為光腔限制層。因為GaAs和AlGaAs的晶格常數(shù)幾乎一致，且制備條件相似，所以激光器的增益區(qū)和光腔的質(zhì)量很高，激光器的性能也很好
2020-11-27 16:32:53
本文提出一種優(yōu)化的高性能高可靠性的嵌入式大屏幕LED顯示系統(tǒng)，只需要用1片F(xiàn)PGA和2片SRAM就可以實現(xiàn)大屏幕LED顯示的驅(qū)動和內(nèi)容更換，可以說其性能已經(jīng)大有改善。本設(shè)計可以應(yīng)對多種大屏幕顯示的場合。
2021-06-04 06:02:01
怎么設(shè)計一種高性能數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)？影響工業(yè)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)DAS的主要噪聲和干擾源有哪些？如何利用接地和屏蔽措施保持信號完整性？PCB布線通用規(guī)則有哪些？
2021-04-21 06:48:07
怎樣利用可編程邏輯來實現(xiàn)高性能的罪犯抓捕系統(tǒng)？
2021-04-28 06:39:25
AB5型貯氫合金是目前國內(nèi)外MH/Ni電池生產(chǎn)中使用最為廣泛的負(fù)極材料，而貯氫合金的電化學(xué)性能是由合金的成分、微觀結(jié)構(gòu)和表面狀態(tài)決定的。本文綜述了ABs型貯氫合金制備工藝-熔煉、熱處理以及制粉工藝
2011-03-11 11:57:08
一層的外延生長得到N+溝槽和直接開溝槽。前者工藝相對的容易控制，但工藝的程序多，成本高；后者成本低，但不容易保證溝槽內(nèi)性能的一致性。超結(jié)型結(jié)構(gòu)的工作原理1、關(guān)斷狀態(tài)從圖4中可以看到，垂直導(dǎo)電N+區(qū)夾在
2018-10-17 16:43:26
的InGaN芯片制造方法在藍(lán)寶石襯底上生長出PN結(jié)后將藍(lán)寶石襯底切除再連接上傳統(tǒng)的四元材料，制造出上下電極結(jié)構(gòu)的大尺寸藍(lán)光LED驅(qū)動芯片。 5AlGaInN/碳化硅(SiC)背面出光法： 美國
2018-08-31 20:15:12
了影響散熱器性能的因素。熱量如何產(chǎn)生并影響 LED當(dāng)在 LED 的 P-N 結(jié)適當(dāng)施加足夠的電壓時，電流會流經(jīng)該結(jié)，同時產(chǎn)生光和熱。 但是，普通的高亮度 (HB) LED 僅將約 45% 的應(yīng)用能量
2017-04-10 14:03:41
LED隧道照明技術(shù)分析
全球節(jié)能減排的帶動，LED作為要求24小時運作的隧道燈便成為不二之選。加上半導(dǎo)體照明技術(shù)正在日益進(jìn)步，目前市場上已經(jīng)量產(chǎn)的１W大功
2010-04-02 16:12:01
65 LED 外延片--襯底材料襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技
2010-12-21 16:39:290 本推薦性技術(shù)規(guī)范的全部技術(shù)內(nèi)容為推薦性。制定本推薦性技術(shù)規(guī)范的目的是指導(dǎo)LED 隧道燈的設(shè)計、生產(chǎn)和使用，規(guī)范和引導(dǎo)LED 隧道照明技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展。本推薦性技術(shù)規(guī)范
2010-12-23 17:17:0953 高性能鋰離子電池正極材料制備技術(shù)
以鈷為原料，采用液相合成和高溫固相合成相結(jié)合的集成工藝，攻克了制備高性能鋰離子電池正極材
2009-11-20 14:00:44619 LED外延片代工廠走勢分析
延續(xù)2009年第2季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣自谷底彈升，包括臺積電、聯(lián)電、特許半導(dǎo)體(Chartered)及中芯等前4大外延片代工廠，2009年第3季合計營收達(dá)43。3
2009-11-27 11:02:14721 LED隧道燈在隧道照明工程中重點技術(shù)指標(biāo)的分析
隧道應(yīng)用新型光源的節(jié)能研究受到了業(yè)界關(guān)注，其中LED隧道燈的節(jié)能研究已經(jīng)有重大進(jìn)展。因為根據(jù)明視覺與中間視覺
2010-03-09 09:32:341593 
深圳聯(lián)創(chuàng)中標(biāo)上海世博會隧道LED燈專案
據(jù)悉，深圳聯(lián)創(chuàng)開發(fā)的新一代大功率LED隧道燈，成為上海世博會曹安隧道燈具。同時
2010-04-13 09:24:51433 低成本、高性能LED驅(qū)動器的應(yīng)用
隨著LED在各種應(yīng)用中的使用率越來越高，其中包括手持設(shè)備、
2010-04-20 15:39:16524 
DESCRIPTION The VLHW4100 is a clear, untinted 3 mm LED for high end applications where supreme
2011-03-29 10:05:5324 利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:3429 本內(nèi)容介紹了LED外延片基礎(chǔ)知識，LED外延片--襯底材料，評價襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:542743 該文通過分析LED光源的特點、隧道照明的特點及對光源的要求, 總結(jié)了LED 光源在隧道照明中的優(yōu)勢和機遇, 指出了當(dāng)前LED光源仍面臨價格和散熱兩方面的挑戰(zhàn)。從而為LED光源在隧道照明
2012-01-09 14:29:4935 LED外延生長及芯片制造過程將直接影響終端LED產(chǎn)品的性能與質(zhì)量，是LED生產(chǎn)過程中最為核心的環(huán)節(jié)，其技術(shù)發(fā)展水平直接決定了下游應(yīng)用的滲透程度及覆蓋范圍。
2012-03-23 08:38:131256 氮化鎵（GaN）的混合物和氮化銦（酒店）形成的氮化銦鎵（InGaN）已成為制造LED的比較流行的技術(shù)之一，特別是藍(lán)色和綠色。雖然技術(shù)的歷史可以追溯到上世紀(jì)90年代，大功率InGaN技術(shù)更近。
2017-06-13 14:25:368 基本方法 很多LED新人很多時候區(qū)別不到LED投光燈與LED隧道燈的不同，其實最基本的分類方法有兩個 1.按安裝的場所 2.按配光圖的不同 當(dāng)然，從種類上來說，隧道燈是屬于投光燈的一種，都主要
2017-09-25 10:06:503 團隊將工業(yè)多晶銅箔轉(zhuǎn)化成了單晶銅箔，得到了世界上目前最大尺寸的單晶Cu（111）箔，利用外延生長技術(shù)和超快生長技術(shù)成功在20分鐘內(nèi)制備出世界最大尺寸（5×50 cm2）的外延單晶石墨烯材料。
2017-11-23 15:22:333620 從傳統(tǒng)封裝LED，到“小間距”、“Micro LED”、“Mini LED”，泛濫的技術(shù)名詞讓顯示市場一片混沌，許多人才弄明白Micro LED沒多久，Mini LED一來又混亂了，這到底是新的技術(shù)路線，還是新的商業(yè)策略？是自成一格的次世代技術(shù)，還是通往Micro LED的過渡技術(shù)？
2018-05-19 11:53:002247 富士康已從原股東可成科技（Catcher Technology）手中收購了LED外延片和芯片制造商Epileds Technologies（光鋐）公司7.32%的股權(quán)。業(yè)內(nèi)人士指出，這僅僅是富士康
2018-06-12 11:46:005845 光學(xué)超材料是一種人造材料，因其特殊納米結(jié)構(gòu)而具備不尋常的光學(xué)性能。近20年來，研究人員已設(shè)計了多種超材料基器件，但其特性無法改變?；诖?，研究人員首先制備出由半導(dǎo)體納米顆粒陣列組成的砷化鎵薄膜，之后
2018-06-27 08:13:001273 廈門大學(xué)與臺灣新竹交通大學(xué)的科研團隊近期合作開發(fā)了一種基于顯微成像系統(tǒng)的Micro-LED表面亮度檢測系統(tǒng)，可以快速測量Micro-LED陣列在工作時任意位置的絕對亮度值。
2018-10-05 08:46:003695 韓國研究財團10月14日宣布稱，高麗大學(xué)Kim Taegeun教授帶領(lǐng)的研究團隊通過金屬離子的電化學(xué)摻雜方式，開發(fā)出可提升Micro LED的光電效率的高效率透明電極。
2018-10-18 15:45:304080 Veeco Instruments Inc. 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階段的合作成果，致力于為Micro LED生產(chǎn)應(yīng)用提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。
2018-11-13 17:02:593480 雖然，在蘋果和三星兩大巨頭的力捧之下——蘋果Apple watch上采用Micro LED面板、三星推Micro LED家用電視，Micro LED成為當(dāng)紅炸子雞，但由于其技術(shù)難度和高昂成本，我們
2019-03-23 09:29:544566 三安光電透露，擬投資120億元，在湖北省建設(shè)Mini/Micro LED 外延與芯片項目。
2019-04-30 08:46:593423 近幾年，“LED”一詞熱得燙手，國內(nèi)LED技術(shù)與市場發(fā)展迅速，取得了外延片、芯片核心技術(shù)的突破性進(jìn)展。那么，關(guān)于LED外延片、芯片，你了解多少呢？
2019-11-25 14:06:4918633 日前，英國Micro LED公司Plessey發(fā)布新聞稿稱，宣布開發(fā)出世界上首個硅基InGaN紅光LED。
2019-12-07 10:15:091581 LED外延片其實是襯底材料作用的，也就是說在使用一些照明產(chǎn)業(yè)當(dāng)中，這種材料被廣泛的運用于芯片加工。導(dǎo)體外延片的存在是與發(fā)光產(chǎn)業(yè)相連接的，也就是說在進(jìn)行LED外延片的選擇方上，要與外形的晶體相符合，另外也與其他的客觀因素有著相當(dāng)大的關(guān)系，最主要的是與穩(wěn)定性和導(dǎo)熱性有著密切聯(lián)系。
2020-07-17 16:29:595090 據(jù)報道，德國硅基氮化鎵專家ALLOS Semiconductors宣布與沙特阿卜都拉國王科技大學(xué)（KAUST）研究團隊達(dá)成合作，雙方將共同研發(fā)高效硅基InGaN紅色Micro LED。
2020-07-22 14:51:48576 繼三星、索尼、TCL、利亞德（300296）等推出Micro LED電視后，LG近日在其國外的官網(wǎng)也上架了一款Micro LED電視，有消息稱或在8月下旬發(fā)售。
2020-08-03 11:27:53411 國星半導(dǎo)體是專業(yè)從事高端LED外延芯片的研發(fā)、制造、銷售的公司，產(chǎn)品涵蓋高性能RGB顯示芯片、UV芯片、倒裝大功率芯片、Mini/Micro芯片等。
2020-08-11 16:35:062121 日前，LED外延片和芯片制造商晶元光電（Epistar）總裁Lee bing －jye透露，智能手表將是Micro LED的第一個主要應(yīng)用，從現(xiàn)在起3－4年時間內(nèi)Micro LED可能會大量應(yīng)用在智能手表上。
2020-08-12 16:42:24924 ，國內(nèi)外不斷傳來紅光問題的解決方案，雖然這些解決方案還未能開始量產(chǎn)應(yīng)用，但無疑已經(jīng)為未來重新定義可能性提供了選擇。 近日，外媒有消息稱，從劍橋大學(xué)分拆的公司Porotech宣布推出基于其獨特GaN生產(chǎn)技術(shù)的首款產(chǎn)品，也是全球首款商業(yè)化的用于Micro LED應(yīng)用的原生紅光LED外延
2020-12-02 11:29:303169 今年2月22日，由劍橋大橋分拆出來的Micro LED微顯示技術(shù)企業(yè)Porotech宣布獲得2000萬美元（約合人民幣1.27億元）的A輪融資，資金擬用于加速推動公司全球擴張計劃及InGaN基Micro LED產(chǎn)品的大規(guī)模生產(chǎn)。
2022-06-24 12:48:111546 
本文聊一下GaN芯片的制備工藝。
GaN-般都是用外延技術(shù)制備出來。GaN的外延工藝大家可以看看中村修二的書。
2022-10-19 11:53:401460 MICLEDI認(rèn)為，其Micro LED全彩顯示器制造方法具有獨特的優(yōu)勢，可滿足AR眼鏡最高性能標(biāo)準(zhǔn)。目前，相較用于戶外的AR眼鏡，用于室內(nèi)或較暗場景的AR 眼鏡對顯示性能要求較低，可降低顯示光效的設(shè)置。
2022-11-14 16:04:24614 光電探測器在圖像傳感、環(huán)境監(jiān)測、通信等領(lǐng)域引起廣泛關(guān)注。近年來，量子點作為一種光電性能優(yōu)異的半導(dǎo)體納米材料，被廣泛應(yīng)用于光電探測器。PbSe量子點具有優(yōu)異的吸光性能，被用于制備高性能的光電探測器。
2022-11-21 10:10:352224 近日，中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員朱慧瓏團隊利用研發(fā)的垂直晶體管新工藝，制備出高性能的單晶溝道3D NOR閃存器件。該器件上下疊置的晶體管既具單晶硅溝道的高性能優(yōu)勢，又具三維一體集成的制造成本低的優(yōu)點。
2022-11-22 15:01:14546 氮化鎵外延片生長工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:004345 Micro LED的英文全名是Micro Light Emitting Diode，中文稱作微發(fā)光二極體，也可以寫作μLED
2023-02-06 10:28:4325390 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3210570 2020年，晶能光電推出8英寸硅襯底InGaN紅光外延技術(shù)，目前仍在持續(xù)研發(fā)以提升InGaN紅光光效；2021年9月，晶能光電成功制備像素點間距為25微米、像素密度為1000PPI的硅襯底InGaN紅、綠、藍(lán)三基色Micro LED陣列。目前，像素點間距這一重要技術(shù)指標(biāo)已縮至8微米。
2023-02-21 10:53:16750 作為國家虛擬現(xiàn)實創(chuàng)新中心入局者，晶能光電利用自主創(chuàng)新的硅襯底GaN基LED技術(shù)，承擔(dān)硅襯底Micro LED的關(guān)鍵共性技術(shù)開發(fā)。
2023-02-21 11:00:20245 對于
Micro LED而言，一張4寸
外延的片內(nèi)波長差小于2nm才勉強滿足使用要求，除此之外
Micro LED對更高光效的
外延也提出了要求；如何通過對
外延結(jié)構(gòu)以及生長方法和工藝進(jìn)行一系列優(yōu)化從而降低
外延缺陷密度，增加電子和空穴的傳輸?shù)鹊龋?/div>
2023-02-27 11:04:41836 Micro LED英文全名為“Micro Light Emitting Diode”，在中文中被稱作微發(fā)光二極體，也可以寫作μLED。
2023-03-01 14:08:221574 從保障外延片品質(zhì)入手，提升Micro LED生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本外，應(yīng)用更大尺寸的外延片也是Micro LED成本考量的關(guān)鍵。傳統(tǒng)的LED行業(yè)普遍在4英寸，而Micro LED的生產(chǎn)工藝會擴大到6乃至8英寸，更大的襯底尺寸可以更好控制Micro LED的成本。
2023-05-10 09:50:04543 的可靠性。 據(jù)專利文件介紹，微型發(fā)光二極管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)芯片通常包括基板、外延結(jié)構(gòu)、第一電極和第二電極，外延結(jié)構(gòu)層疊于基板的表面，第一電極和第二電極位于外延結(jié)構(gòu)上遠(yuǎn)離基板的表面，且分別與外延結(jié)構(gòu)中的p型層和n型層相連。
2023-06-16 14:24:43407 Mojo Vision日前發(fā)布了一款14K ppi的紅色Micro LED顯示器，從而向克服高性能全彩Micro-LED顯示器挑戰(zhàn)的重要一步。
2023-07-03 10:12:23120 碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:341002 
近日，晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍(lán)全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果。
2023-09-01 14:07:44738 思坦科技的高性能micro led微顯示技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，2018年設(shè)立時開始致力于宣傳飛行員生產(chǎn)線進(jìn)行了技術(shù)驗證和優(yōu)化工程中，micro led光電芯片和驅(qū)動芯片的自主設(shè)計和高精結(jié)合，草色單曲芯片等核心工藝技術(shù)精通。
2023-09-22 10:37:50525 碲鎘汞材料具有截止波長在紅外波段內(nèi)可調(diào)節(jié)、光學(xué)吸收系數(shù)高、量子效率高等特點，是重要的紅外探測器應(yīng)用材料之一。近年來分子束外延生長碲鎘汞技術(shù)的快速發(fā)展，使用分子束外延制備高性能、多色紅外焦平面
2023-09-26 09:18:14284 
新一代超薄AlGaInP外延技術(shù)和與之匹配的芯片鈍化技術(shù)是紅光Micro LED亮度提升的關(guān)鍵。據(jù)悉，JBD紅光的像素尺寸為4um，而發(fā)光的LED尺寸＜2um，這也對發(fā)光效率提出了更為苛刻的要求。
2023-10-10 14:42:43223 12月6日，致力于高性能Micro-LED技術(shù)開發(fā)的西安賽富樂斯半導(dǎo)體科技有限公司（簡稱“賽富樂斯”），對外宣布首條硅基Micro-LED微顯示屏產(chǎn)線正式貫通。
2023-12-08 09:17:47573 據(jù)悉，研究人員使用金屬有機氣相外延技術(shù)在覆蓋有微圖案SiO2掩模的石墨烯層上生長GaN微盤。然后將微盤加工成Micro LED，并成功轉(zhuǎn)移到可彎曲基板上。這項研究表明，可通過石墨烯上生長出高質(zhì)量LED，并將其集成到靈活的Micro LED設(shè)備中。
2023-12-13 16:55:39487 
Micro LED產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中最為關(guān)鍵的就是降本。
2023-12-28 16:45:50268 據(jù)估計，專供1英寸以下尺寸且用于XR設(shè)備的小型化顯示將會是 Micro LED 技術(shù)最為成熟的領(lǐng)域。分析認(rèn)為，在增強現(xiàn)實（AR）、虛擬現(xiàn)實（VR）頭戴式顯示器（HMD）和抬頭顯示器（HUD）方面，Micro LED憑借高性能和亮度等優(yōu)勢將得到充分體現(xiàn)。
2024-01-12 09:52:28266 近年，IQE開始涉足Micro LED領(lǐng)域，IQE擁有豐富的MOCVD外延生長技術(shù)儲備及規(guī)?；a(chǎn)的能力，可滿足制備微米級高亮Micro LED的需求。
2024-01-18 11:45:24112 大話顯示3月2日消息，蘋果近日接連爆出震撼彈，繼傳出喊停Apple Car開發(fā)計劃，解散多達(dá)2千人的團隊，現(xiàn)在可能就連Micro LED Apple Watch項目也告吹了。
2024-03-04 10:27:10251 3月6日，聚燦光電發(fā)布公告，宣布擬變更“Mini/Micro LED芯片研發(fā)及制造擴建項目”的部分募集資金（共計8億元）用途，用于新項目“年產(chǎn)240萬片紅黃光外延片、芯片項目”的實施。
2024-03-08 13:58:42362 
已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論