本內(nèi)容主要介紹了硅襯底LED芯片主要制造工藝，介紹了什么是led襯底，led襯底材料等方面的制作工藝知識
2011-11-03 17:45:13
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在今年剛剛結(jié)束的“日本第3屆LED及有機(jī)EL照明展”上，村田電子向觀眾展出了新型白色LED，其襯底材料使用了氧化鎵（β-Ga2O3），容易提高光輸出功率。
2013-01-21 09:42:311169 LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于襯底材料和晶圓生長技術(shù)。除了傳統(tǒng)的藍(lán)寶石、硅（Si）、碳化硅（SiC）襯底材料以外，氧化鋅（ZnO）和氮化鎵（GaN）等也是當(dāng)前LED芯片研究的焦點(diǎn)。
2014-05-13 17:40:073742 近年來，LED制造工藝的不斷進(jìn)步和新材料（氮化物晶體和熒光粉）的開發(fā)和應(yīng)用，各種顏色的超高亮度LED取得了突破性進(jìn)展。##近年來，LED制造工藝的不斷進(jìn)步和新材料（氮化物晶體和熒光粉）的開發(fā)和應(yīng)用，各種顏色的超高亮度LED取得了突破性進(jìn)展。
2015-08-17 16:16:0022232 正是由于“中國芯”硅襯底LED的諸多優(yōu)勢，目前三星等國際大公司以及LED行業(yè)幾大巨頭如飛利浦、歐司朗、CREE等都加大了對硅襯底LED技術(shù)的研發(fā)力度。面對國際企業(yè)的競爭壓力，朱立秋建議，要保持先發(fā)優(yōu)勢，避免“起個(gè)大早趕個(gè)晚集”，提升中國原創(chuàng)技術(shù)自主品牌的國際競爭力，已經(jīng)成為迫在眉睫的重要課題。
2016-03-08 10:52:292766 大多數(shù)現(xiàn)代LED由氮化銦鎵（InGaN）和藍(lán)寶石襯底組成。該架構(gòu)運(yùn)行良好，并使LED制造商能夠提供效率超過150流明/瓦的產(chǎn)品。然而，該架構(gòu)確實(shí)存在一些缺點(diǎn)，這些缺點(diǎn)促使芯片制造商尋求其他選擇。
2019-01-17 08:21:0011042 
應(yīng)用放射性示蹤技術(shù)研究了金屬雜質(zhì)(如鋇、銫、鋅和錳)從化學(xué)放大光刻膠中遷移和吸附到硅基底層襯底上的行為。評估了兩個(gè)重要的工藝參數(shù)，即烘烤溫度和襯底類型(如裸硅、多晶硅、氧化物和氮化物)。結(jié)果表明
2021-12-13 10:02:32915 
氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學(xué)穩(wěn)定性，已成為短波長發(fā)射器（發(fā)光二極管和二極管激光器）和探測器等許多光電應(yīng)用的誘人半導(dǎo)體，以及高功率和高溫電子器件。對于實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的氮化鎵器件，如激光二極管或高功率燈，對低線程位錯(cuò)密度(<106cm-2)的高質(zhì)量氮化鎵襯底有很強(qiáng)的需求。
2022-02-08 15:26:132894 
本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用，新的氧化物選擇性模式，概述了通過將無水高頻與控制量的水蒸汽混合而產(chǎn)生高頻蒸汽蝕刻劑的實(shí)現(xiàn)方法，描述了一種通過將氮?dú)馔ㄟ^高頻水溶液而引入高頻蒸汽的系統(tǒng)。
2022-04-11 16:41:191102 
本文介紹了在緩沖氧化物腐蝕(BOE)溶液中溫度對氮化物和氧化物層腐蝕速率的影響。明確的框架結(jié)構(gòu)和減少的蝕刻時(shí)間將提高制造過程的生產(chǎn)率，該方法從圖案化氮化硅開始，以研究在BOE工藝之后形成的框架結(jié)構(gòu)
2022-05-05 14:00:50907 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）2023年底，清華大學(xué)與中國北京凝聚態(tài)物理國家實(shí)驗(yàn)室宣布，研究團(tuán)隊(duì)通過使用獨(dú)立式氮化鎵襯底 （freestanding gallium nitride
2024-02-04 00:07:004560 氧化鋁晶體導(dǎo)報(bào) 工藝情報(bào)交流記者李博民高工2011-10-20 長LED藍(lán)寶石的5N 氧化鋁 ，鐵必須小于5pp， 硅小于5pp， 鋯小于1pp ，鈦小于1pp，銅小于1ppm，鎳小于1pp，釔
2011-12-20 10:03:56
高效能、高電壓的射頻基礎(chǔ)設(shè)施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)場效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復(fù)雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
扮演著關(guān)鍵的角色。與此同時(shí)，美國國防部還通過了高級研究計(jì)劃局 (DARPA) 的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù) (WBST) 計(jì)劃，該計(jì)劃在氮化鎵的早期開發(fā)中發(fā)揮了積極的推動作用。該項(xiàng)計(jì)劃于 2001 年正式啟動，力求
2017-08-15 17:47:34
了高密度光存儲、激光直寫光刻和光固化產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2014年，氮化鎵基LED的發(fā)明者赤崎勇、天野浩和中村修二教授被授予當(dāng)年的諾貝爾物理學(xué)獎?！ 〈撕螅珿aN基激光器向藍(lán)綠光和紫外光波段進(jìn)行拓展，特別是藍(lán)光
2020-11-27 16:32:53
半導(dǎo)體在光電子器件中已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用,例如制作液晶顯示器、紫外光探測器都要用到p型寬帶隙氧化物半導(dǎo)體。目前這類氧化物研究主要包括P型ZnO[1]與P型銅鐵礦結(jié)構(gòu)氧化物[2]-[8]。在這類氧化物中,CuCrO2除了具有P型透明導(dǎo)電性以外,最近又報(bào)道了它的高溫?zé)犭娞厝南螺d
2010-04-24 09:00:59
襯底而引起了人們對大功率應(yīng)用的廣泛關(guān)注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關(guān)鍵問題是在硅襯底上實(shí)現(xiàn)低位錯(cuò)密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。會上，北京大學(xué)馮玉霞博士結(jié)合具體的研究實(shí)踐，分享了Si
2018-11-05 09:51:35
，3000多種產(chǎn)品，應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋無線、光纖、雷達(dá)、有線通信及軍事通信等領(lǐng)域，2016年?duì)I收達(dá)到了5.443億美元。氮化鎵是目前MACOM重點(diǎn)投入的方向，與很多公司的氮化鎵采用碳化硅（SiC）做襯底
2017-09-04 15:02:41
的優(yōu)勢，近年來在功率器件市場大受歡迎。然而，其居高不下的成本使得氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用受到很多限制。 但是隨著硅基氮化鎵技術(shù)的深入研究，我們逐漸發(fā)現(xiàn)了一條完全不同的道路，甚至可以說是顛覆性的半導(dǎo)體技術(shù)。這就
2017-07-18 16:38:20
和Ag-In瞬態(tài)液相鍵合技術(shù)進(jìn)行了研究。 實(shí)驗(yàn) 本研究選擇Sn96.5-Ag3.5焊膏，采用直接覆銅 (DBC)襯底作為SiC功率器件的封裝襯底。DBC襯底使用了一個(gè)夾在兩片0.2032mm銅板之間
2018-09-11 16:12:04
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
解決的問題，以開發(fā)適用于 III 族氮化物外延的 GaN 襯底的表面處理。 1. 介紹 單晶體 GaN 襯底是最有希望替代藍(lán)寶石襯底的候選者之一，藍(lán)寶石襯底常用于 III 族氮化物器件，如發(fā)光二極管 (LED
2021-07-07 10:26:01
大多數(shù) III 族氮化物的加工都是通過干式等離子體蝕刻完成的。 干式蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷 并且難以獲得激光所需的光滑蝕刻側(cè)壁。通過干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁的粗糙度約為 50 nm，盡管最近
2021-07-07 10:24:07
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報(bào)告和企業(yè)宣傳文檔后你當(dāng)然會這樣
2019-07-31 07:54:41
% 化學(xué)物及能源損耗，此外還能，再加上節(jié)省超過 50% 的包裝材料，那氮化鎵的環(huán)保優(yōu)勢，將遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)慢速比低速硅材料。
2023-06-15 15:47:44
%。另外，以上研究結(jié)果都是建立在實(shí)驗(yàn)室基礎(chǔ)之上的，今后仍有很大的發(fā)展空間。圖4：利用“Na Flux（鈉助溶）法”和“Point Seed（點(diǎn)籽晶）法”可制作出高質(zhì)量、大尺寸的氮化硅襯底。利用“Na
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
第三代半導(dǎo)體材料的SiC的應(yīng)用研究起步更早，而之所以GaN近年來更為搶眼，主要的原因有兩點(diǎn)。[color=rgb(51, 51, 51) !important]首先，GaN在降低成本方面顯示出了更強(qiáng)的潛力
2019-07-08 04:20:32
鍍膜，基本上都是鋁薄膜。包裝占到了約60%，其余的大部分用于制造電容。 一些通常應(yīng)用需要制備不同的金屬、合金、氧化物、氮化物、鹵化物，沉淀在各種基片上，如聚合物、金屬、紙、織物上，要么單層薄膜要么多層
2016-06-17 14:42:10
畢設(shè)題目： 基于物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的室內(nèi)無線定位技術(shù)研究 ，可以用無線傳感器網(wǎng)絡(luò)定位來做么？
2016-05-18 22:35:13
請大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
隨著國家對節(jié)能減排的日益重視，成都LED燈市場的逐步啟動，飛利浦、富士康等大公司涉足LED燈行業(yè)，LED概念股普漲，使得LED技術(shù)成為大眾熱點(diǎn)，下面簡要概述LED襯底技術(shù)。上圖為LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖
2012-03-15 10:20:43
AN - 2000-055564 [05]11 48/66 - (C) WPI / DERWENT AN - 1999-363504 [31]【申請?zhí)枴?02802023 【發(fā)明名稱】 獲得整體單晶性含鎵氮化物的方法及裝置【申請?zhí)枴?200410002946 【 發(fā)明名稱】 制造第三族氮化物襯底的方法
2009-10-19 14:57:15
對LINIO2、LIMN2I4、LINIXCO1AXO2、V2O5也有較多的研究；固體電解質(zhì)膜方面以對LIPON膜的研究為主；陽極膜方面以對鋰金屬替代物的研究為主，比如錫和氮化物、氧化物以及非晶硅膜，研究多集中在循環(huán)交通的提高。在薄膜鋰電池結(jié)構(gòu)方面，三維結(jié)構(gòu)將是今后研究的一個(gè)重要方向。
2011-03-11 15:44:52
目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù)，美國CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國際上的一個(gè)熱點(diǎn)。南昌大學(xué)
2010-06-07 11:27:281388 
LED襯底材料有哪些種類
對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要
2011-01-05 09:10:254039 目前市場上LED用到的襯底材料有藍(lán)寶石、碳化硅SiC、硅Si、氧化鋅 ZnO、 以及氮化鎵GaN，中國市場上99%的襯底材料是藍(lán)寶石，而就全球範(fàn)圍來看，藍(lán)寶石襯底的LED市場份額也占到95%以上
2012-11-28 09:22:542067 LED外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜，本文詳細(xì)介紹了LED外延片的相關(guān)內(nèi)容，包括產(chǎn)品介紹、襯底材料。
2012-12-05 10:37:142683 白光LED正朝著更高光效、更好光色品質(zhì)、更高封裝密度和更高信賴性方向發(fā)展。其中的氮化物紅色熒光粉的性能直接影響到白光LED的光效、色溫、顯色指數(shù)以及使用壽命，特別是其抗高溫高濕性能的優(yōu)劣對于中高功率
2016-04-12 11:01:182127 南昌大學(xué)江風(fēng)益團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)硅襯底LED技術(shù)，使中國成為世界上繼日美之后第三個(gè)掌握藍(lán)光LED自主知識產(chǎn)權(quán)技術(shù)的國家。這項(xiàng)高新技術(shù)和成功產(chǎn)業(yè)化，獲得了2015年度國家技術(shù)發(fā)明獎一等獎，硅襯底時(shí)代隨即到來。
2016-05-11 16:38:431971 芯片是五面發(fā)光的，通常需要將將芯片置于支架內(nèi)，反光杯的開口面積遠(yuǎn)大于芯片發(fā)光面積，導(dǎo)致單位面積光通量低，芯片表面顏色均勻性非常差，芯片正上方偏藍(lán)，而外圈偏黃。 基于氮化鎵的藍(lán)/白光LED的芯片結(jié)構(gòu)強(qiáng)烈依賴于所用的襯底材料。目前大部分廠商采用藍(lán)寶石作為襯底材料
2016-11-05 08:19:156265 今天的高亮度LED的主要技術(shù)是氮化鎵（GaN）在藍(lán)寶石或碳化硅（SiC）襯底上。這些材料是受歡迎的，因?yàn)樗玫降陌l(fā)光二極管明亮，高效，并持續(xù)很長一段時(shí)間。
2017-05-27 09:44:21
8 當(dāng)代LED大部分是由一個(gè)組合的氮化銦鎵（InGaN）和藍(lán)寶石襯底。建筑作品，使得LED制造商提供150 lm/W，然而過量的參展功效產(chǎn)品，建筑也有一些缺點(diǎn)，鼓勵(lì)芯片制造商尋求其他選擇。
2017-06-01 10:49:394 和堅(jiān)持的結(jié)果。 赤崎和天野的研究小組，就在GaN類藍(lán)色LED的開發(fā)中做出了重要貢獻(xiàn)。赤崎在2001年獲得了應(yīng)用物理學(xué)會成就獎，獲獎理由中有這樣一段話：在GaN類氮化物半導(dǎo)體材料和元器件的研發(fā)中，赤崎及其研究小組的研究是所有研究的出發(fā)點(diǎn)。通過開發(fā)低
2017-10-16 13:04:4216 氮化鎵單晶材料生長難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實(shí)現(xiàn)了“中國造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非?？欤瑯右彩?b class="flag-6" style="color: red">氮化物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:017651 氮化物寬禁帶半導(dǎo)體在微波功率器件和電力電子器件方面已經(jīng)展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，而AlGaN溝道HEMT器件是一種適宜更高電壓應(yīng)用的新型氮化物電力電子器件。但是，材料結(jié)晶質(zhì)量差和電學(xué)性能低，是限制
2018-07-26 09:09:00752 
顯示技術(shù)。作為全球硅襯底GaN基LED技術(shù)的領(lǐng)跑者，晶能光電最近也將目光投向了Micro LED。
2018-08-27 17:37:127087 典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環(huán)節(jié)：外延生長-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。
2018-10-26 17:33:0610616 美國羅徹斯特理工學(xué)院（Rochester Institute of Technology）的研究者新設(shè)計(jì)出一種垂直集成氮化鎵LED結(jié)構(gòu)，有助于提高M(jìn)icro LED顯示器的效率。
2019-03-15 11:22:413990 LED襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料，其決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。目前，能作為LED襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最廣泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:033717 目前，LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于襯底材料和晶圓生長技術(shù)。除了傳統(tǒng)的藍(lán)寶石、硅（Si）、碳化硅（SiC）襯底材料以外，氧化鋅（ZnO）和氮化鎵（GaN）等也是當(dāng)前LED芯片研究的焦點(diǎn)。
2019-10-04 17:35:001111 
目前LED產(chǎn)業(yè)大多以2英寸或4英寸的藍(lán)寶石基板為主，如能采用硅基氮化鎵技術(shù)，至少可節(jié)省75%的原料成本。據(jù)日本三墾電氣公司估計(jì)，使用硅襯底制作大尺寸藍(lán)光氮化鎵LED的制造成本將比藍(lán)寶石襯底和碳化硅襯底低90%。
2019-09-12 16:03:313794 近日，康佳一則招募氮化鎵工程師的官方啟事引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注?？导迅笨偛美詈觏w在接受記者采訪時(shí)解釋，招募氮化鎵工程師是希望加快推進(jìn)康佳在Micro LED芯片研發(fā)上的工作。在經(jīng)過了長時(shí)間的積累與沉淀之后，康佳以氮化鎵技術(shù)為突破，發(fā)力Micro LED的號角已經(jīng)吹響。
2020-02-28 15:30:351283 據(jù)BusinessKorea報(bào)道，韓國科技研究院KIST于3月8日宣布研究院的一個(gè)團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)出一種能夠替代氮化鎵生產(chǎn)藍(lán)光LED的新型LED材料。據(jù)悉，這是韓國在努力減少在材料與零部件領(lǐng)域?qū)θ毡镜囊蕾囍H實(shí)現(xiàn)的技術(shù)突破。
2020-03-10 14:05:48762 。III族氮化物化合物半導(dǎo)體具有帶隙可調(diào)的優(yōu)點(diǎn)，響應(yīng)波段范圍可覆蓋可見-紫外波段。GaN紫外傳感器具有體積小、靈敏度高、噪聲低、抗可見光干擾能力強(qiáng)、功耗低、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。（以下為系列中部分產(chǎn)品）
2020-07-13 10:54:581678 據(jù)報(bào)道，武漢大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近期公布了采用PSSA（patterned sapphire with silica array）襯底來降低氮化鎵接合邊界失配問題的方法，提出PSSA襯底可提高銦氮化鎵、氮化鎵（InGaN/GaN）倒裝芯片可見光LED的效率。
2020-12-09 17:00:23793 研發(fā)基地與高端產(chǎn)品生產(chǎn)基地，預(yù)計(jì)年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片。 據(jù)蘇州納米城消息，該公司實(shí)現(xiàn)了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產(chǎn)、完成了4英寸產(chǎn)品的工程化技術(shù)開發(fā)、突破了6英寸產(chǎn)品的關(guān)鍵核心技術(shù)，成為國內(nèi)唯一一家能夠同時(shí)批量提供2英寸高導(dǎo)
2021-01-28 09:19:342253 圖形化藍(lán)寶石襯底已經(jīng)在可見光LED領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用，其優(yōu)勢在于它不僅能有效改善外延生長質(zhì)量，還可以提高LED的光提取效率?；谙冗M(jìn)的半導(dǎo)體仿真設(shè)計(jì)平臺，我司技術(shù)人員開發(fā)出了納米圖形襯底（NPSS
2021-02-23 11:01:28464 
據(jù)其介紹，目前公司主要產(chǎn)品包括2至6英寸圖形化藍(lán)寶石襯底（PSS）、圖形化復(fù)合材料襯底（MMS），廣泛應(yīng)用于氮化鎵基LED芯片制造。公司建立了廣東省半導(dǎo)體襯底工程技術(shù)研究中心，圍繞下一代氮化鎵器件技術(shù)進(jìn)行襯底與外延一體化研發(fā)，持續(xù)拓展藍(lán)寶石襯底技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域。
2021-04-01 11:01:182495 
介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術(shù)，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關(guān)鍵技術(shù)，提供了
2021-04-21 09:55:203871 
近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）教授Tobias Kippenberg團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路（光子芯片）技術(shù)，得到了創(chuàng)紀(jì)錄的低光學(xué)損耗，且芯片尺寸小。相關(guān)研究在《自然—通訊》上發(fā)表。
2021-05-24 10:43:384490 基于氮化鋁的OPGW交流融冰效率的研究(arduino內(nèi)置電源)-基于氮化鋁的OPGW交流融冰效率的研究這是一份非常不錯(cuò)的資料，歡迎下載，希望對您有幫助！
2021-07-26 13:30:402 第三族氮化物已成為短波長發(fā)射器、高溫微波晶體管、光電探測器和場發(fā)射尖端的通用半導(dǎo)體。這些材料的加工非常重要，因?yàn)樗鼈兙哂挟惓８叩逆I能。綜述了近年來針對這些材料發(fā)展起來的濕法刻蝕方法。提出了通過
2022-02-23 16:20:242208 
區(qū)域上方形成厚度小于存在于第二區(qū)域中的含氮化物層的厚度的含氮化物層。在第一多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)和第二多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)上由含氮化物層形成介電間隔物。 背景 本公開涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和器件。更具體地，本公開涉及在半導(dǎo)體器件的制造中采
2022-02-24 13:44:381657 
氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導(dǎo)體材料，在半導(dǎo)體行業(yè)是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動力趨勢是led，微波，以及最近的電力電子。新的研究領(lǐng)域還包括自旋電子學(xué)和納米帶晶體管，利用了氮化鎵的一些
2022-03-23 14:15:081093 
本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個(gè)方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液；(b)從硅源向等離子體提供硅；以及
2022-04-24 14:58:51979 
Micro LED被譽(yù)為新時(shí)代顯示技術(shù)，但目前仍面臨關(guān)鍵技術(shù)、良率、和成本的挑戰(zhàn)。 微米級的Micro LED已經(jīng)脫離了常規(guī)LED工藝，邁入類IC制程。相對其它競爭方案，大尺寸硅襯底氮化鎵（GaN
2022-08-17 12:25:421138 制造大直徑GaN襯底的要點(diǎn)（鈉熔劑法） 豐田合成表示，6英寸功率半導(dǎo)體氮化鎵襯底的研發(fā)得益于早期LED氮化鎵襯底技術(shù)的積累。
2022-11-18 12:33:261758 第三代半導(dǎo)體材料，有更高的禁帶寬度，是迄今理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系，下游應(yīng)用包括微波射頻器件(通信基站等)，電力電子器件(電源等)，光電器件(LED照明等)。不過，第三代半導(dǎo)體材料中，受技術(shù)與工藝水平限制，氮化鎵材料作為襯底實(shí)現(xiàn)
2023-02-03 14:38:461703 生長在c面生長表面上的c面氮化鎵基半導(dǎo)體層由于自發(fā)極化和壓電極化而產(chǎn)生內(nèi)電場，這降低了輻射復(fù)合率。為了防止這樣的極化現(xiàn)象，正在進(jìn)行對非極性或半極性氮化鎵基半導(dǎo)體層的研究。
2023-02-05 14:23:451979 
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:333197 
硅基氮化鎵是一個(gè)正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:262278 
氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:353012 硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-10 10:43:341201 
氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導(dǎo)熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達(dá)等領(lǐng)域；硅基氮化鎵功率器件主要應(yīng)用于電力電子器件領(lǐng)域。雖然
2023-02-10 10:52:522987 
由于同質(zhì)外延結(jié)構(gòu)帶來的晶格匹配和熱匹配，自支撐氮化鎵襯底在提升氮化鎵基器件性能方面有著巨大潛力，如發(fā)光二極管，激光二極管，功率器件和射頻器件等。相比異質(zhì)襯底外延， 基于自支撐氮化鎵晶圓片的同質(zhì)外延可能是大多氮化鎵基器件的絕佳選擇。
2023-02-14 09:18:10580 
氮化鎵是一種無機(jī)化合物，它是一種稀有的金屬氮化物，具有高熔點(diǎn)、高硬度和良好的電學(xué)性能。它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，也可以用于制造磁性材料、磁性薄膜和磁性線圈。
2023-02-14 13:56:196722 硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。
2023-02-14 14:36:081130 氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導(dǎo)體材料，在半導(dǎo)體行業(yè)是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動力趨勢是led，微波，以
及最近的電力電子。新的研究領(lǐng)域還包括自旋電子學(xué)和納米帶晶體管，利用了氮化
2023-02-21 14:57:374 。本研究采用電感耦合等離子體刻
蝕法對氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)行干法刻蝕，刻蝕氣體為氯氣，添加氣體為三氯化硼。研究了刻蝕氣體流量、電感耦合等離
子體功率、射頻功率和室壓等關(guān)鍵工藝參數(shù)對氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)刻蝕性
2023-02-22 15:45:410 基于具有規(guī)則六邊形孔的納米圖案化氮化鋁AlN/藍(lán)寶石模板，藍(lán)寶石氮化預(yù)處理和解理面的有序橫向生長，保證了離散的氮化鋁AlN柱，以均勻的面外和面內(nèi)取向結(jié)合，有效地抑制了凝聚過程中穿透位錯(cuò)threading dislocations的再生。
2023-06-25 16:26:11359 
近日，氮化鎵行業(yè)新增了4個(gè)項(xiàng)目，涉及單晶襯底、器件等環(huán)節(jié)。
2023-07-24 10:35:34921 
以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 eV連續(xù)可調(diào)，是制備藍(lán)綠光波段光電器件的優(yōu)選材料。
2023-08-04 11:47:57742 
GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中，襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延膜生長的襯底材料。
2023-08-10 10:53:31664 
氮化鋁基板具有低缺陷密度、高紫外線透明度和低雜質(zhì)濃度、超寬帶差距及高熱傳導(dǎo)效率，對uvc led及電力配件等產(chǎn)業(yè)非常有魅力。根據(jù)目前uvc紫外線led的需求，4英寸基板的使用率超過80%。
2023-08-16 11:08:29603 氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、高頻率和高溫應(yīng)用。
使用氮化鎵襯底可以在上面
2023-08-22 15:17:312379 近日，日本化工企業(yè)旭化成（Asahi Kasei）旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布，公司生產(chǎn)出了首款4英寸氮化鋁（AlN）襯底，展示了公司生長氮化鋁塊狀單晶工藝的可擴(kuò)展性，以滿足各類應(yīng)用的生產(chǎn)需求。
2023-08-29 14:37:29850 硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模商用?；诠?b class="flag-6" style="color: red">襯底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進(jìn)行工程化開發(fā)。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構(gòu)尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:31317 
由于其獨(dú)特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58166 
GaN性能優(yōu)異，在光電子、微電子器件應(yīng)用廣泛，發(fā)展?jié)摿薮?；進(jìn)一步發(fā)展，需提升材料質(zhì)量，制備高質(zhì)量氮化鎵同質(zhì)襯底。
2023-12-09 10:24:57716 氮化鎵開關(guān)管是一種新型的半導(dǎo)體器件，適用于高頻高壓控制信號的開關(guān)應(yīng)用。它由四個(gè)電極組成，包括柵極（G，Gate）、源極（S，Source）、漏極（D，Drain）和襯底（B，Body）。 首先，我們
2023-12-27 14:39:18356 III族氮化物半導(dǎo)體可用于固態(tài)照明、電源和射頻設(shè)備的節(jié)能。
2023-12-28 09:15:06444 
晶體管）結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴(kuò)散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:41667 當(dāng)前，人們正在致力于研發(fā)氮化鎵和其他III族氮化物的高功率、高頻率器件。
2024-01-11 09:50:46400 
一個(gè)8英寸碳化硅襯底工廠。 ? 得益于最早在電動汽車主驅(qū)逆變器上的大規(guī)模應(yīng)用，根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，ST是2022年全球碳化硅器件市場上份額最高的企業(yè)。而三安光電是國內(nèi)化合物半導(dǎo)體IDM龍頭，在LED業(yè)務(wù)之外，還在砷化鎵、氮化鎵、碳化硅等領(lǐng)域
2023-06-09 09:14:433197
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