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功率器件動態(tài)參數(shù)/雙脈沖測試方案

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2023-09-19 14:57:28499

示波器探頭在半導(dǎo)體器件動態(tài)測量的應(yīng)用

在能源問題日益突出的現(xiàn)代,以IGBT為代表的功率半 導(dǎo)體器件以其優(yōu)良的能效轉(zhuǎn)換性能廣發(fā)應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。正確的IGBT測試技術(shù),不僅能準(zhǔn)確的測量IGBT各項(xiàng)電氣指標(biāo),而且可以盡可能降低IGBT
2023-09-18 12:06:22320

電源動態(tài)響應(yīng)測試方法

下的響應(yīng)速度和穩(wěn)定性。為了保證電源的動態(tài)響應(yīng)能力,必須對其進(jìn)行充分的測試,本文將介紹電源動態(tài)響應(yīng)測試的方法。 1. 測試所需的設(shè)備 1.1 電源供電:需要滿足被測試電源的額定輸出功率和電壓規(guī)格。 1.2 負(fù)載:電阻負(fù)載或電子
2023-09-17 10:47:211721

IGBT動態(tài)斬波雙脈沖測試實(shí)驗(yàn)及其注意事項(xiàng)

了性能各異的IGBT產(chǎn)品。為了優(yōu)化和驗(yàn)證組件性能以及對不同IGBT的性能驗(yàn)證,我們引入了雙脈沖測試方法,借此工具我們可以實(shí)現(xiàn)以下具體功能:
2023-09-15 10:09:32484

新能源汽車IGBT功率器件溫度測試方案

IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:04358

芯片測試大講堂——半導(dǎo)體參數(shù)測試與避坑指南

芯片測試大講堂系列 又和大家見面了 本期我們來聊聊 半導(dǎo)體參數(shù)測試 內(nèi)容涉及半導(dǎo)體參數(shù)測試原理, 參數(shù)測試面臨的挑戰(zhàn)與實(shí)測避坑指南。 前言 ● 半導(dǎo)體元器件是構(gòu)成現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)的基礎(chǔ),其性能
2023-09-13 07:45:021209

AEC-Q101功率循環(huán)測試 簡介

功率循環(huán)測試-簡介功率循環(huán)測試是一種功率半導(dǎo)體器件的可靠性測試方法,被列為AEC-Q101與AQG-324等車規(guī)級測試標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)的必測項(xiàng)目。相對于溫度循環(huán)測試,功率循環(huán)通過在器件內(nèi)運(yùn)行的芯片發(fā)熱使器件
2023-09-10 08:27:59857

功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案

功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案,議程分為:功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個(gè)部分。
2023-09-05 06:13:28

功率測試測量方案大全

德國GMC-I集團(tuán)高美測儀可以提供全面的功率測試儀器方案,用戶可以根據(jù)自己的特殊應(yīng)用量身定制所需的測量儀器。這樣高性價(jià)比的解決方案同樣能很好地達(dá)到用戶的要求,不需要去折衷接受低精度或者大材小用。
2023-09-01 17:24:52385

脈沖信號的參數(shù)有哪些?

脈沖信號的參數(shù)有哪些? 脈沖信號概述 脈沖信號是一種突然出現(xiàn)的、波形上有限持續(xù)時(shí)間的信號。在實(shí)際生活中,脈沖信號被廣泛用于數(shù)據(jù)傳輸、調(diào)制信號、成像等領(lǐng)域。脈沖信號的參數(shù)包括脈沖寬度、脈沖幅度、脈沖
2023-08-24 15:18:032637

LFPT1000基于管路多參數(shù)測試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述: LFPT1000基于管路多參數(shù)測試系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)壓力與流量單獨(dú)控制,以及壓力與流量的控功能,同時(shí)系統(tǒng)還具有靜壓測試功能;以及主要測試汽車電驅(qū)動系統(tǒng)冷卻水道靜態(tài)和動態(tài)壓力損失,動態(tài)測試時(shí),實(shí)現(xiàn)
2023-08-23 15:58:16

脈沖信號測試應(yīng)如何選擇示波器帶寬?

以按照5倍法則選擇示波器的帶寬,即示波器帶寬不低于待測信號頻率的5倍!與正弦波信號不同,脈沖信號由于具有很多諧波頻率分量,為了信號保真度,其對示波器的帶寬提出了更高的要求。脈沖信號又分為基帶脈沖信號和射頻脈沖信號,本文將從這兩個(gè)方面著手定性的分析脈沖信號測試對示波器帶寬的要求。
2023-08-23 15:49:37731

無源器件在大功率條件下S參數(shù)的變化量

? 三、 無源器件的大功率實(shí)時(shí)測量方法 無源器件的大功率性能可以通過其在大功率條件下S參數(shù)的變化量來表征,因此無源器件的大功率實(shí)時(shí)測量可以采用標(biāo)量網(wǎng)絡(luò)分析儀的原理。圖2是一個(gè)標(biāo)量網(wǎng)絡(luò)分析
2023-08-21 09:29:49983

安捷倫81635A功率傳感器

和 MM 用于低噪聲和低波長相關(guān)性的InGaAs 檢波器 Keysight 81635A 功率傳感器是對光纖元器件進(jìn)行精確功率測量的選擇。 該模塊化傳感器可安裝在所有 Keysight 816x
2023-08-10 13:49:18

干貨分享 | 1/f噪聲測試方案詳解(附直播回顧)

譜,前面是1/f噪聲,大小和頻率相反,后面是白噪聲,均勻分布。 由于1/f噪聲反映了器件的質(zhì)量、可靠性等參數(shù) , 其研究越來越為人們所重視。 1/f噪聲測試直播回顧 1/f噪聲測試 測試方法 為確定器件的1/f噪聲,我們通常要測量電流相對于時(shí)間的關(guān)系,然后通過
2023-08-10 12:05:021567

功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-29 15:34:440

功率半導(dǎo)體的定義和分類 功率器件的應(yīng)用

功率半導(dǎo)體,又稱電力電子器件功率電子器件,是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一。能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制,在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)、線路保護(hù)、逆變(直流轉(zhuǎn)交流)和整流(交流轉(zhuǎn)直流)等作用。
2023-07-27 16:17:151630

cmos動態(tài)功耗公式,cmos動態(tài)功耗和哪些電路參數(shù)有關(guān)

CMOS器件是一種采用CMOS技術(shù)制造的電子器件,具有低功耗、耐電磁干擾、高噪聲免疫性等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子領(lǐng)域。本文將介紹cmos動態(tài)功耗公式以及和cmos動態(tài)功耗有關(guān)的電路參數(shù)
2023-07-21 15:55:552317

VCSEL器件的常見參數(shù)有哪些?如何測試?

、激光顯示、光存儲、消費(fèi)電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。VCSEL生產(chǎn)過程中有三道檢測工序,這三道工序都需要脈沖電流源對器件進(jìn)行測試??焖?、靈活且精度高的測試方案對于減小測試的成本至關(guān)重要。
2023-07-18 16:06:211724

實(shí)測干貨分享!1200V GaN HEMT功率器件動態(tài)特性測試

速度,能夠顯著提升功率變換器的性能,受到電源工程師的青睞。同時(shí),極快的開關(guān)速度又對其動態(tài)特性的測試提出了更高的要求,稍有不慎就會得到錯誤結(jié)果。 為了能夠?qū)崿F(xiàn)對GaN HEMT功率器件動態(tài)特性進(jìn)行精準(zhǔn)測試,對應(yīng)的測試系統(tǒng)往往需要 注意以下幾
2023-07-17 18:45:02711

進(jìn)行雙脈沖測試的主要目的

進(jìn)行雙脈沖測試的主要目的是獲得功率半導(dǎo)體的開關(guān)特性,可以說它伴隨著功率器件從研發(fā)制造到應(yīng)用的整個(gè)生命周期。
2023-07-12 16:09:102587

脈沖平臺搭建的難題如何破解

脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2023-07-12 15:55:15459

提高功率器件動態(tài)參數(shù)測試效率的7個(gè)方法

功率器件動態(tài)參數(shù)進(jìn)行測試器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán),測試結(jié)果用于驗(yàn)證、評價(jià)、對比功率器件動態(tài)特性。
2023-07-10 16:28:08343

碳化硅器件動態(tài)特性測試技術(shù)剖析

碳化硅功率器件作為新一代功率半導(dǎo)體器件,以其優(yōu)異的特性獲得了廣泛的應(yīng)用,同時(shí)也對其動態(tài)特性測試帶來了挑戰(zhàn),現(xiàn)階段存在的主要問題有以下三點(diǎn)
2023-07-08 15:14:02325

泰克示波器MSO58B在寬禁帶、雙脈沖測試中的解決方案

根據(jù)用戶在寬禁帶、雙脈沖測試遇到的種種問題,安泰配置齊全的儀器、軟件、探頭和服務(wù),加快有關(guān) SiC 和 GaN 功率器件與系統(tǒng)的驗(yàn)證。 通過以下方式幫助您提高系統(tǒng)性能: 符合 JEDEC 和 IEC
2023-07-07 18:08:36373

車規(guī)級功率器件可靠性測試難點(diǎn)及應(yīng)用場景

車規(guī)級功率器件未來發(fā)展趨勢 材料方面: SiC和GaN是必然趨勢,GaAs在細(xì)分領(lǐng)域有可能 ●封裝方面:高功率密度、高可靠性和定制化 ●評測方面:多應(yīng)力綜合測試方法、新型結(jié)溫測試方法和技術(shù) ●進(jìn)展方面:國產(chǎn)在趕超進(jìn)口(參數(shù)和性能),可靠性還需要時(shí)間沉淀
2023-07-04 10:48:05415

脈沖測試注意事項(xiàng)

脈沖測試前,我們需要明確測試的目的和要求。不同的設(shè)備和應(yīng)用場景可能具有不同的測試要求,因此在開始測試之前,我們需要明確想要評估的設(shè)備參數(shù)和性能指標(biāo)。這將有助于我們制定合適的測試方案,并確保所收集的數(shù)據(jù)能夠滿
2023-07-03 11:45:27678

功率器件的概念 功率器件封裝類型有哪些

功率器件是指用于控制、調(diào)節(jié)和放大電能的電子元件。它們主要用于處理大功率電信號或驅(qū)動高功率負(fù)載,例如電機(jī)、變壓器、照明設(shè)備等。
2023-06-28 17:02:091645

永源微最新功率器件解決方案:小型化、低成本

永源微拓餌系列大電流綜合解決方案幫助客戶降低20%成本。看高性價(jià)比功率器件廠商永源微如何走過他們的”航天“之路。
2023-06-28 14:48:38282

GaN器件在Class D上的應(yīng)用優(yōu)勢

EHEMT功率器件進(jìn)行了性能測試。本文分享有關(guān)的測試結(jié)果。 三安集成設(shè)計(jì)的半橋電路測試平臺主要用于200V DFN8×8封裝分立GaN EHEMT器件的開環(huán)功率實(shí)驗(yàn),可實(shí)現(xiàn)對器件脈沖測試、升壓降壓測試
2023-06-25 15:59:21

基于GaN器件的電動汽車高頻高功率密度2合1向OBCM設(shè)計(jì)

基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以提高開關(guān)頻率,減小體積無源器件,進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而,由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性,給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計(jì)、驅(qū)動設(shè)計(jì)和磁性元件
2023-06-16 08:59:35

飛仕得功率半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng) 實(shí)驗(yàn)室動態(tài)特性分析儀ME300D-SE

讓每一個(gè)電力電子領(lǐng)域企業(yè)、高校、研究機(jī)構(gòu)都擁有一臺“保姆”級雙脈沖設(shè)備,為測試工程師們提供更方便、更高效、更高準(zhǔn)確性的測試方案,幫助工程師更好的評估IGBT/SiC MOSFET等功率器件。 讓我們一起來看看它擁有哪些黑科技。 一、功率數(shù)字化測試軟件DPowerTest解決您的測試困擾 大家在做雙脈沖測試時(shí),可
2023-06-13 16:39:281520

中科院微電子所在硅基氮化鎵橫向功率器件動態(tài)可靠性研究方面獲進(jìn)展

提升硅基氮化鎵橫向功率器件可靠性的難點(diǎn)在于如何準(zhǔn)確測試器件在長期高壓大電流應(yīng)力工作下的安全工作區(qū),如何保證器件在固定失效率下的壽命。硅基氮化鎵橫向功率器件在高壓大電流場景下的“可恢復(fù)退化”與“不可恢復(fù)退化”一直以來很難區(qū)分,這給器件安全工作區(qū)的識別和壽命評估帶來了極大挑戰(zhàn)。
2023-06-08 15:37:12477

軍用電子元器件二篩,進(jìn)口元器件可靠性篩選試驗(yàn)

應(yīng)力后進(jìn)行測試篩選; (4)線性鑒別篩選:類似老煉篩選,但要應(yīng)用數(shù)理統(tǒng)計(jì)技術(shù)進(jìn)行判別; (5)精密篩選:在接近元器件使用條件下進(jìn)行長期老煉并多次精確地測量參數(shù)變化量進(jìn)行挑選和預(yù)測。 參考檢測項(xiàng)目 外觀
2023-06-08 09:17:22

非對稱極性雙向脈沖電源

產(chǎn)品簡介:        極性脈沖電源(正負(fù)脈沖)是在單脈沖電源的基礎(chǔ)上增加反向脈沖輸出,產(chǎn)品具備正脈沖、負(fù)(換向)脈沖、比例脈沖、間隔脈沖、計(jì)數(shù)脈沖、計(jì)時(shí)
2023-06-03 11:07:33

電鍍極性脈沖電源

產(chǎn)品簡介:        極性脈沖電源(正負(fù)脈沖)是在單脈沖電源的基礎(chǔ)上增加反向脈沖輸出,產(chǎn)品具備正脈沖、負(fù)(換向)脈沖、比例脈沖、間隔脈沖、計(jì)數(shù)脈沖、計(jì)時(shí)
2023-06-03 11:05:45

功率放大器在CNT冷陰極x射線源高頻脈沖發(fā)射特性研究中的應(yīng)用

、市電電源、陰極脈沖電源、LYSOx射線探測器、示波器實(shí)驗(yàn)過程:根據(jù)實(shí)驗(yàn)測試要求,搭建動態(tài)真空測試平臺,其中的ATA-2022B設(shè)備作為陰極脈沖電源使用,目的是給場發(fā)
2023-05-19 09:51:21332

碳化硅功率器件測試

碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用在電動汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。近年來,全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前,我國
2023-05-15 10:04:53804

SiC MOSFET動態(tài)測試上位機(jī)軟件使用說明

隨著SiC MOSFET等器件的逐步發(fā)展,對于其性能測試的需求漸漸增大。同時(shí)因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">器件測試條件上限的增加,現(xiàn)有的Si器件動態(tài)測試平臺需要進(jìn)行升級與改進(jìn)。在現(xiàn)有的6.5kV/400A的器件動態(tài)測試
2023-05-09 09:44:590

MOSFET的動態(tài)性能相關(guān)參數(shù)

本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇,主要介紹MOSFET動態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開關(guān)時(shí)間等。 參數(shù)列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759

一文詳解功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)方案

通過對現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻(xiàn)的總結(jié),從器件封裝結(jié)構(gòu)散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。
2023-04-26 16:11:33917

如何通過功率電感參數(shù)選型

功率電感廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中,但如何選擇合適的功率電感呢?功率電感的選擇主要取決于感應(yīng)值、DC電阻、飽和電流、溫升電流、測試頻率、尺寸等參數(shù)。讓我們詳細(xì)說明如何根據(jù)這些參數(shù)選擇合適的功率電感.
2023-04-25 09:31:551

LFPT1000基于管路多參數(shù)測試系統(tǒng)介紹

LFPT1000基于管路多參數(shù)測試系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)壓力與流量單獨(dú)控制,以及壓力與流量的雙控功能,同時(shí)系統(tǒng)還具有靜壓測試功能;以及主要測試汽車電驅(qū)動系統(tǒng)冷卻水道靜態(tài)和動態(tài)壓力損失,動態(tài)測試時(shí),實(shí)現(xiàn)流量與壓力可控,可以對目前設(shè)計(jì)的電機(jī)及控制器進(jìn)行測試
2023-04-21 15:51:23253

功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)綜述

在有限的封 裝空間內(nèi),如何把芯片的耗散熱及時(shí)高效的釋放到外界環(huán)境中以降低芯片結(jié)溫及器件內(nèi)部各封裝材料的工作溫度,已成 為當(dāng)前功率器件封裝設(shè)計(jì)階段需要考慮的重要問題之一。本文聚焦于功率器件封裝結(jié)構(gòu)
2023-04-18 09:53:235973

什么是高壓脈沖電網(wǎng) 高壓脈沖電網(wǎng)工作原理

高壓脈沖電網(wǎng)(High-Voltage Pulse Network,HVPN)是一種用于對電子設(shè)備和元器件進(jìn)行瞬態(tài)高壓測試的設(shè)備。在高壓脈沖電網(wǎng)中,采用高壓脈沖發(fā)生器、放電電容、開關(guān)管等電氣元件將電能保存在放電電容中。
2023-04-11 15:58:042433

【虹科干貨】使用虹科AWG4000 脈沖發(fā)生器進(jìn)行邏輯門參數(shù)測試

的信號。本應(yīng)用說明介紹了如何使用AT-AWG-4000脈沖模式發(fā)生器執(zhí)行邏輯門參數(shù)測試。邏輯門參數(shù)測試裝置的主要特性多達(dá)4個(gè)邏輯電平對于每個(gè)通道,除了邏輯“0”和“
2023-03-30 10:41:35454

什么是TVS二極管?TVS的主要參數(shù)有哪些?

其最大反向漏電流IR?! 。?)脈沖峰值電流IPP:反向工作時(shí),在規(guī)定的脈沖波形(如:10/1000μs指數(shù)波形)條件下,器件允許通過的最大浪涌電流。 ?。?)最大箝位電壓VC:當(dāng)脈沖峰值電流IPP
2023-03-29 11:11:24

詳細(xì)介紹一下TLP測試相關(guān)的知識

、DUT的故障通常通過DC漏電流來判斷  E、通常讀取脈沖時(shí)間70%到90%的時(shí)間?! ∈褂肨LP測試出來的I-V曲線  動態(tài)阻抗是ESD保護(hù)器件的一個(gè)非常重要的參數(shù),動態(tài)阻抗越低,表明更多的ESD電流
2023-03-29 10:44:47

脈沖測試一定要做探頭的延時(shí)校準(zhǔn)

脈沖試驗(yàn)的主要目的是獲得功率半導(dǎo)體的開關(guān)特性,可以說是伴隨著從R&D到應(yīng)用功率器件的整個(gè)生命周期。基于雙脈沖試驗(yàn)獲得的設(shè)備開關(guān)波形可以做很多事情,包括:通過分析驗(yàn)證開關(guān)過程的設(shè)計(jì)方案,提出
2023-03-28 14:05:00921

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