行業(yè)背景 隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，物聯(lián)網(wǎng)作為新興生產(chǎn)力正在改變?cè)S多行業(yè)的工作方式。在半導(dǎo)體芯片行業(yè)，自動(dòng)蝕刻機(jī)的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用正在助力企業(yè)達(dá)到監(jiān)控設(shè)備更加便利、故障運(yùn)維更加高效、數(shù)據(jù)分析更加精準(zhǔn)等等
2024-03-20 17:52:39
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如下硅與石墨復(fù)配的負(fù)極材料的背散SEM，圓圈標(biāo)的地方是硅嗎？如果不是還請(qǐng)大佬指點(diǎn)一下，那些位置是硅？
2024-03-12 08:53:37
光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來(lái)定。比如對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場(chǎng)景，較厚的光刻膠層能提供更長(zhǎng)的耐蝕刻時(shí)間。
2024-03-04 10:49:16131 
根據(jù)已公開(kāi)的研究報(bào)告，東京電子的新式蝕刻機(jī)具備在極低溫環(huán)境下進(jìn)行高速蝕刻的能力。據(jù)悉，該機(jī)器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻工作。此外，設(shè)備使用了新開(kāi)發(fā)的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳?xì)怏w以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22109 蝕刻時(shí)間和過(guò)氧化氫濃度對(duì)ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過(guò)氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機(jī)械磨削、化學(xué)機(jī)械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學(xué)蝕刻。
2024-01-26 09:59:27547 
碳性電池是一種使用碳材料作為負(fù)極活性物質(zhì)的電化學(xué)裝置。與之相對(duì)的是堿性電池，使用的是氫氧化鈉或氫氧化鉀作為電解質(zhì)。下面，我將詳細(xì)介紹碳性電池的種類(lèi)以及與堿性電池的區(qū)別。 碳性電池的種類(lèi)： 鋅碳干電池
2024-01-22 10:25:58467 通常正片工藝是以堿性蝕刻工藝為基礎(chǔ)的。底片上面，所需的路徑或銅表面是黑色的，而不需要的部分是完全透明的。同樣，在路線工藝曝光后，完全透明的部分被暴露在紫外線下的干膜阻滯劑的化學(xué)作用硬化，隨后的顯影過(guò)程將在下一工序中沖走無(wú)硬襯底的干膜
2024-01-17 15:33:35163 mA/mm的ID，最大值和27Ω·mm的RON，創(chuàng)下了金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）生長(zhǎng)的III族氮化物p-FET的記錄。 高密度鈮酸鋰光子集成電路 在這里，我們證明了類(lèi)金剛石碳（DLC）是制造基于鐵電體的光子集成電路的優(yōu)越材料，特別是LiNbO3。使用DLC作為硬掩模，我們展示了深蝕刻、緊密
2024-01-16 17:12:33146 
光罩限制（光穿過(guò)芯片掩模以在硅晶圓上蝕刻晶體管的孔徑大?。┎粌H定義了小芯片的設(shè)計(jì)方式，而且還限制了離散計(jì)算和內(nèi)存塊的大小單個(gè)晶圓。
2024-01-05 16:23:111976 
潤(rùn)瑪股份是中國(guó)領(lǐng)先的濕電子化學(xué)品制造商，服務(wù)對(duì)象涵蓋大規(guī)模集成電路及高世代顯示屏面板行業(yè)，主營(yíng)高性能蝕刻液與光刻膠相關(guān)材料。其產(chǎn)品在集成電路晶圓制造及芯片封裝、顯示屏制造過(guò)程中的清洗、光刻、顯影、蝕刻等環(huán)節(jié)均有大量應(yīng)用
2024-01-03 14:41:48403 過(guò)程中起著重要的作用。這種制造過(guò)程通常需要與埋著的SiGe薄膜接觸。與這些埋地區(qū)域接觸需要蝕刻硅并在薄薄的SiGe層中停止。 因此，為了實(shí)現(xiàn)精確的圖案轉(zhuǎn)移，我們需要一種可控蝕刻的方法。不幸的是，針對(duì)SiGe選擇性的RIE技術(shù)尚未被發(fā)現(xiàn)。幸運(yùn)的是
2023-12-28 10:39:51131 
還有一種情況就是PCB蝕刻參數(shù)沒(méi)有問(wèn)題，但蝕刻后水洗及烘干不良，造成銅線也處于PCB便面殘留的蝕刻液包圍中，長(zhǎng)時(shí)間未處理，也會(huì)產(chǎn)生銅線側(cè)蝕過(guò)度而甩銅。
2023-12-27 16:24:54114 客戶線路設(shè)計(jì)好過(guò)蝕刻線的時(shí)候，若銅箔規(guī)格變更后而蝕刻參數(shù)未變，造成銅箔在蝕刻液中的停留時(shí)間過(guò)長(zhǎng)。因鋅本來(lái)就是活潑金屬類(lèi)，當(dāng)LED廣告屏PCB上的銅線長(zhǎng)時(shí)間在蝕刻液中浸泡時(shí)，必將導(dǎo)致線路側(cè)蝕過(guò)度，造成某些細(xì)線路背襯鋅層被完全反應(yīng)掉而與基材脫離，即銅線脫落。
2023-12-26 16:28:43119 采樣速率和輸出速率有什么關(guān)系，在ad9625的datasheet中沒(méi)有標(biāo)明輸出速率，怎么樣確定它的輸出速率
2023-12-20 07:16:30
ADC中的吞吐速率如何理解，它與采樣速率是否等同呢？從網(wǎng)上查了些，但是解釋的不太清晰。望能解答，謝謝?。?！
2023-12-19 06:31:57
在敷銅板上，通過(guò)光化學(xué)法，網(wǎng)印圖形轉(zhuǎn)移或電鍍圖形抗蝕層，然后蝕刻掉非圖形部分的銅箔或采用機(jī)械方式去除不需要部分而制成印制電路板PCB。而減成法中主要有雕刻法和蝕刻法兩種。雕刻法是用機(jī)械加工方法除去不需要的銅箔，在單件試制或業(yè)余條件下可快速制出印制電路板PCB;
2023-12-18 15:34:08145 在微電子制造領(lǐng)域，光刻機(jī)和蝕刻機(jī)是兩種不可或缺的重要設(shè)備。它們?cè)谥圃彀雽?dǎo)體芯片、集成電路等微小器件的過(guò)程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。然而，盡管它們?cè)诠δ苌嫌兴嗨疲诩夹g(shù)原理、應(yīng)用場(chǎng)景等方面卻存在著明顯的區(qū)別。本文將對(duì)光刻機(jī)和蝕刻機(jī)的差異進(jìn)行深入探討。
2023-12-16 11:00:09371 
眾所周知，化合物半導(dǎo)體中不同的原子比對(duì)材料的蝕刻特性有很大的影響。為了對(duì)蝕刻速率和表面形態(tài)的精確控制，通過(guò)使用低至25nm的薄器件阻擋層的，從而增加了制造的復(fù)雜性。本研究對(duì)比了三氯化硼與氯氣的偏置功率，以及氣體比對(duì)等離子體腐蝕高鋁含量AlGaN與AlN在蝕刻速率、選擇性和表面形貌方面的影響。
2023-12-15 14:28:30227 
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開(kāi)關(guān)中。就器件制造而言，GaN的相關(guān)材料，如AlGaN，憑借其物理和化學(xué)穩(wěn)定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294 
GaN和相關(guān)合金由于其優(yōu)異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場(chǎng)和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優(yōu)化工藝過(guò)程相關(guān)的成熟材料是有源/無(wú)源射頻光電子器件近期發(fā)展的關(guān)鍵問(wèn)題。專用于三元結(jié)構(gòu)的干法蝕刻工藝特別重要，因?yàn)檫@種器件通常包括異質(zhì)結(jié)構(gòu)。因此，GaN基光電器件的制造部分或全部依賴于干法刻蝕。
2023-12-11 15:04:20188 
另外一種工藝方法是整個(gè)板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點(diǎn)是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時(shí)還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45261 按工藝要求排放出部分比重高的溶液經(jīng)分析后補(bǔ)加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調(diào)整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46285 GaN和InGaN基化合物半導(dǎo)體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實(shí)現(xiàn)藍(lán)-綠光發(fā)光二極管和藍(lán)光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，在沒(méi)有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導(dǎo)致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:22220 
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過(guò)等離子體刻蝕來(lái)完成
2023-12-01 17:02:39259 
有兩個(gè)問(wèn)題：
一、AD7190的數(shù)據(jù)手冊(cè)中說(shuō)最高數(shù)據(jù)輸出速率為4.8kHz，這個(gè)數(shù)據(jù)輸出速率等于采樣速率嗎？是不是也意味著在這個(gè)速率下ADC輸出兩個(gè)相鄰數(shù)據(jù)（24或32位）之間的時(shí)間為1/4.8k
2023-12-01 06:35:54
三星電子和sk海力士用于tsv蝕刻的設(shè)備都是Syndion。synthion是典型的深硅蝕刻設(shè)備，深度蝕刻到晶片內(nèi)部，用于tsv和溝槽等的高度和寬度比的形成。泛林集團(tuán) sabre 3d將用于用銅填充蝕刻的晶圓孔來(lái)制作線路的tsv線路。
2023-11-30 10:15:57331 由于其獨(dú)特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58166 
目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過(guò)干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會(huì)對(duì)蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂(lè)觀的話來(lái)說(shuō)，可以對(duì)其進(jìn)行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué)成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)問(wèn)題，后面的章節(jié)將專門(mén)討論。
2023-11-14 15:23:10217 自動(dòng)蝕刻機(jī)是利用電解作用或化學(xué)反應(yīng)對(duì)金屬板進(jìn)行處理，以獲得所需圖紋、花紋、幾何形狀的自動(dòng)化設(shè)備，廣泛應(yīng)用于芯片、數(shù)碼、航空、機(jī)械、標(biāo)牌等領(lǐng)域中?，F(xiàn)有一家蝕刻機(jī)設(shè)備制造商，要求對(duì)全國(guó)各地的蝕刻機(jī)設(shè)
2023-11-08 13:59:52146 
眾所周知，微尺度和納米尺度的地形結(jié)構(gòu)對(duì)真核細(xì)胞和原核細(xì)胞的行為都有顯著的影響。例如，具有特殊尺寸的納米線、納米柱、納米管已被證明具有抗菌性能。開(kāi)發(fā)這種結(jié)構(gòu)提供了一種無(wú)藥物的方法來(lái)對(duì)抗感染，這被認(rèn)為是一種替代釋放抗菌劑的常見(jiàn)抗菌表面的替代品。
2023-10-23 09:43:16136 
干法蝕刻（dry etch）工藝通常由四個(gè)基本狀態(tài)構(gòu)成：蝕刻前（before etch），部分蝕刻（partial etch），蝕刻到位（just etch），過(guò)度蝕刻（over etch），主要表征有蝕刻速率，選擇比，關(guān)鍵尺寸，均勻性，終點(diǎn)探測(cè)。
2023-10-18 09:53:19788 
在精細(xì)印制電路制作過(guò)程中，噴淋蝕刻是影響產(chǎn)品質(zhì)量合格率重要的工序之一?，F(xiàn)有很多的文章對(duì)精細(xì)線路的蝕刻做了大量的研究，但是大多數(shù)都只停留在表象的研究中，并沒(méi)有從本質(zhì)上認(rèn)識(shí)噴淋蝕刻中出現(xiàn)的問(wèn)題。
2023-10-17 15:15:35164 
蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻液的化學(xué)組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開(kāi)發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達(dá)到幾乎沒(méi)有側(cè)蝕問(wèn)題，蝕刻后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 據(jù)悉，東京電子新技術(shù)的目標(biāo)是能夠長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開(kāi)發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲(chǔ)單元。3D nand的存儲(chǔ)器容量可以通過(guò)將存儲(chǔ)器單元層垂直堆積來(lái)增加，如果層數(shù)增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:49368 蝕刻技術(shù)相比，干法蝕刻技術(shù)可以提供各向異性的輪廓、快速的蝕刻速率，并且已經(jīng)被用于限定具有受控輪廓和蝕刻深度的器件特征。
2023-10-12 14:11:32244 
腐蝕pcb板的溶液按抗蝕層類(lèi)型與生產(chǎn)條件而選擇：有酸性氯化銅、堿性氯化銅、三氯化鐵、硫酸與過(guò)氧化氫、過(guò)硫酸鹽等多種。下面捷多邦小編和大家介紹一下腐蝕pcb板的溶液的一些知識(shí)。 三氯化鐵的蝕刻液是銅箔
2023-10-08 09:50:22734 GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來(lái)開(kāi)發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開(kāi)發(fā)一開(kāi)始集中于臺(tái)面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
通常，我們需要將巖性模式轉(zhuǎn)換為多個(gè)。一次蝕刻通道中的膠片類(lèi)型
2023-09-26 11:20:00130 
銅的電阻率取決于其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上，銅(Cu)線的形成是通過(guò)使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案，然后通過(guò)鑲嵌流用Cu填充溝槽來(lái)完成的。
2023-09-22 09:57:23281 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)。PCB打樣中，在銅箔部分預(yù)鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學(xué)方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30669 要注意的是，蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類(lèi)型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉(zhuǎn)移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術(shù)對(duì)聚合物抗蝕劑進(jìn)行構(gòu)圖，然后通過(guò)干法蝕刻技術(shù)用抗蝕劑作為掩模將圖案轉(zhuǎn)移到襯底或子層上。
2023-09-07 09:57:14292 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
鈦金屬具有較高的比強(qiáng)度和生物相容性，并且由于在金屬表面自發(fā)形成的鈍化膜而具有優(yōu)異的抗蝕刻性。這種薄氧化膜在空氣中容易形成，保護(hù)內(nèi)部活性鈦金屬免受侵蝕性介質(zhì)的影響。二氧化鈦具有很寬的帶隙，因此鈦經(jīng)常被用于各種應(yīng)用，包括光催化劑、化學(xué)傳感器和醫(yī)療植入物。
2023-09-01 10:18:07187 
上海新陽(yáng)在集成電路制造用清洗劑產(chǎn)品方面，28nm干法蝕刻液產(chǎn)品規(guī)?；隽舜罅可a(chǎn)，14nm技術(shù)切入點(diǎn)后干法蝕刻艘后世額也實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)和銷(xiāo)售，公司的干法蝕刻液產(chǎn)品已經(jīng)14nm后以上技術(shù)切入點(diǎn)的禮儀
2023-08-28 10:59:43345 ：它應(yīng)該是由于邊緣 Si?原子和蝕刻自由基之間的分子相互作用而導(dǎo)致 Si-Si?背界強(qiáng)度的變化產(chǎn)生的。蝕刻速率的極坐標(biāo)圖包含有關(guān)蝕刻反應(yīng)分子機(jī)制的寶貴信息，可用于顯著增強(qiáng)微加工技術(shù)。因此，從束縛強(qiáng)度等原子參數(shù)開(kāi)始并描繪各
2023-08-22 16:32:01407 我們?nèi)A林科納通過(guò)光學(xué)反射光譜半實(shí)時(shí)地原位監(jiān)測(cè)用有機(jī)堿性溶液的濕法蝕刻，以實(shí)現(xiàn)用于線波導(dǎo)的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的各向同性蝕刻導(dǎo)致表面
2023-08-22 16:06:56239 
，內(nèi)層線路加工是把需要的圖形用干膜或濕膜保護(hù)起來(lái)，將不需要留下來(lái)的銅箔用酸性藥水蝕刻掉。
現(xiàn)有線路板上線路的線寬/間距一般都是一次性曝光-蝕刻形成的，由于化學(xué)蝕刻過(guò)程中的水池效應(yīng)，致使金屬線路產(chǎn)生側(cè)蝕
2023-08-18 10:08:02
半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備是半導(dǎo)體製造過(guò)程中使用的設(shè)備。 化學(xué)溶液通過(guò)將晶片浸入化學(xué)溶液（蝕刻劑）中來(lái)選擇性地去除半導(dǎo)體晶片的特定層或區(qū)域，化學(xué)溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致大尺寸PCB整個(gè)板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:431013 刻蝕和蝕刻實(shí)質(zhì)上是同一過(guò)程的不同稱呼，常常用來(lái)描述在材料表面上進(jìn)行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過(guò)程。在半導(dǎo)體制造中，這個(gè)過(guò)程常常用于雕刻芯片上的細(xì)微結(jié)構(gòu)。
2023-07-28 15:16:594140 絕對(duì)值編碼器是一種用于測(cè)量旋轉(zhuǎn)位置或線性位移的傳感器。與增量編碼器不同，絕對(duì)值編碼器可以提供特定位置的唯一輸出值，而不需要進(jìn)行校準(zhǔn)。這使得絕對(duì)值編碼器在需要高精度位置測(cè)量的應(yīng)用中非常有用，例如機(jī)器人、自動(dòng)化系統(tǒng)和醫(yī)療設(shè)備。
2023-07-26 09:53:329949 電解提銅過(guò)程中，陽(yáng)極區(qū)的氫離子會(huì)透過(guò)陽(yáng)離子膜遷移到陽(yáng)極區(qū)中，使藥水酸度增加，正好可以補(bǔ)充蝕刻過(guò)程中藥水酸度的損耗，使蝕刻液可以不斷循環(huán)使用。
2023-07-18 15:01:43383 蝕刻是一種從材料上去除的過(guò)程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蝕刻是一種從材料上去除的過(guò)程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
印刷電路板（PCB）大多是通過(guò)蝕刻來(lái)生產(chǎn)的。
2023-06-27 09:43:03617 在介紹日本電子公司研發(fā)的全新蝕刻技術(shù)之前，我們需要了解蝕刻技術(shù)的歷史。蝕刻技術(shù)是芯片制造基礎(chǔ)工藝之一，它是指對(duì)光刻技術(shù)制作的圖案進(jìn)行蝕刻，得到具有一定幾何形狀和結(jié)構(gòu)的微細(xì)孔洞和凹坑的工藝。
2023-06-26 15:58:18897 
CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對(duì)于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時(shí)，這就成了問(wèn)題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學(xué)也會(huì)有問(wèn)題。
2023-06-26 13:32:441053 
，我們可以看到，本質(zhì)上阻抗偏差與材料及加工過(guò)程有關(guān)。板材來(lái)料本身偏差、線路蝕刻偏差、層壓帶來(lái)的流膠率偏差，以及銅箔表面粗糙度、PP玻纖效應(yīng)、介質(zhì)的DF頻變效應(yīng)等都會(huì)對(duì)阻抗公差有影響。
一、覆銅板的來(lái)料
2023-06-25 10:25:55
，我們可以看到，本質(zhì)上阻抗偏差與材料及加工過(guò)程有關(guān)。板材來(lái)料本身偏差、線路蝕刻偏差、層壓帶來(lái)的流膠率偏差，以及銅箔表面粗糙度、PP玻纖效應(yīng)、介質(zhì)的DF頻變效應(yīng)等都會(huì)對(duì)阻抗公差有影響。
一、覆銅板的來(lái)料
2023-06-25 09:57:07
上海伯東日本 Aston? 質(zhì)譜儀能夠進(jìn)行準(zhǔn)確且可操作的端點(diǎn)檢測(cè), OA% 是傳統(tǒng) OES 計(jì)量解決方案的一個(gè)數(shù)量級(jí)（1/10）. Aston? 質(zhì)譜儀解決方案適用于具有高蝕刻吞吐量和大量重復(fù)相同
2023-06-20 17:28:31258 
在干法蝕刻中，氣體受高頻（主要為 13.56 MHz 或 2.45 GHz）激發(fā)。在 1 到 100 Pa 的壓力下，其平均自由程為幾毫米到幾厘米。
2023-06-20 09:49:163689 
離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會(huì)撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過(guò)程是絕對(duì)
2023-06-20 09:48:563989 
上海伯東美國(guó)?KRi?考夫曼公司大口徑射頻離子源?RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸?IBE 離子束蝕刻機(jī), 實(shí)現(xiàn) 300mm 和 200mm 硅片蝕刻, 刻蝕
2023-06-15 14:58:47665 
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開(kāi)發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來(lái)，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526 
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計(jì)（如全圍柵(GAA)場(chǎng)電子晶體管(FET )）預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來(lái)了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
：線路電鍍和全板鍍銅，現(xiàn)敘述如下。 1、線路電鍍 該工藝中只在設(shè)計(jì)有電路圖形和通孔的地方接受銅層的生成和蝕刻阻劑金屬電鍍。在線路電鍍過(guò)程中，線路和焊墊每一側(cè)增加的寬度與電鍍表面增加的厚度大體相當(dāng)，因此
2023-06-09 14:19:07
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個(gè)必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會(huì)實(shí)質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會(huì)導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過(guò)鋁基和硅基載流子來(lái)研究蝕刻過(guò)程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過(guò)硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
過(guò)去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過(guò)程，測(cè)量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測(cè)不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來(lái)獲得獨(dú)特的性質(zhì)，特別是，當(dāng)用紫外光、可見(jiàn)光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時(shí)，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的共振。然而，用于制造微孔的技術(shù)是耗時(shí)的，并且需要昂貴的設(shè)備和專業(yè)人員。因此，英思特開(kāi)發(fā)了一種通過(guò)濕化學(xué)蝕刻硅襯底來(lái)制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢?huì)影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會(huì)變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動(dòng)化方法來(lái)維護(hù)蝕刻化學(xué)，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）是將機(jī)械元件和電子電路集成在一個(gè)共同的基板上，通過(guò)使用微量制造技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)尺寸從小于一微米到幾微米的高性能器件。由于現(xiàn)有的表面加工技術(shù)，目前大多數(shù)的MEMS器件都是基于硅的。
2023-05-19 10:19:26352 一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484917 蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類(lèi)：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽(yáng)能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
拋光硅晶片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤(pán)（晶片），然后是一個(gè)稱為拍打的扁平過(guò)程，包括使用磨料清洗晶片。通過(guò)蝕刻消除了以往成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
減薄晶片有四種主要方法，(1)機(jī)械研磨，(2)化學(xué)機(jī)械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學(xué)漿液結(jié)合起來(lái)與晶片反應(yīng)并使之變薄，而蝕刻則使用化學(xué)物質(zhì)來(lái)使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979 其實(shí)不同顏色的PCB，它們的制造的材料、制造工序都是一樣的，包括敷銅層的位置也是一樣的，經(jīng)過(guò)蝕刻工藝后就在PCB上留下了最終的布線，例如下圖這塊剛經(jīng)過(guò)蝕刻工藝的PCB，敷銅走線就是原本的銅色，而PCB基板略顯微黃色。
2023-05-09 10:02:431699 
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：?jiǎn)尉У臐穹?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻和紅外吸收 編號(hào)：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長(zhǎng)AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 三種。 搖槽法最簡(jiǎn)單，所用的設(shè)備是一只放腐蝕劑的槽，裝于不斷搖動(dòng)的臺(tái)面上?！ 〗g法是將工件浸沒(méi)在盛有能保溫的大槽中蝕刻?！ 娢g法生產(chǎn)速度較快，用泵將腐蝕劑噴于印制板表面進(jìn)行腐蝕加工。 2.工業(yè)
2023-04-20 15:25:28
[技術(shù)領(lǐng)域] 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)是一種酸性化學(xué)品供應(yīng)控制系 統(tǒng)。 由于半導(dǎo)體行業(yè)中芯片生產(chǎn)線的工作對(duì)象是硅晶片，而能在硅晶片上蝕刻圖形 以及清洗硅晶片上的雜質(zhì)、微粒子的化學(xué)品
2023-04-20 13:57:0074 提出了一種利用飛秒激光誘導(dǎo)化學(xué)蝕刻（FLICE）制造壓電致動(dòng)的石英晶體MEMS諧振器的方法。
2023-04-20 09:10:46878 反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭(zhēng)論是微電子制造商在項(xiàng)目開(kāi)始時(shí)必須解決的首要問(wèn)題之一。必須考慮許多因素來(lái)決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類(lèi)型的蝕刻劑來(lái)制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
下圖顯示了Intel的第6代晶體管（6T）SRAM尺寸縮小時(shí)間表，以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖?？梢钥闯觯琒RAM的布局從65nm節(jié)點(diǎn)已發(fā)生了革命性的變化，這種布局完全不同于90nm節(jié)點(diǎn)。從45nm節(jié)點(diǎn)后，雙重圖形化技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用在柵圖形化工藝中。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的繼續(xù)縮小，MOSFET柵極關(guān)鍵尺寸CD繼續(xù)縮小遇到了困難，IC設(shè)計(jì)人員開(kāi)始減少柵極之間的間距。
2023-04-03 09:39:402452 經(jīng)過(guò)多年的研發(fā)，隨著該行業(yè)在內(nèi)存和邏輯方面面臨新的挑戰(zhàn)，一種稱為低溫蝕刻的技術(shù)正在重新出現(xiàn)，成為一種可能的生產(chǎn)選擇。
2023-03-29 10:14:41392 
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過(guò)程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程，本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 研究表明，半導(dǎo)體的物理特性會(huì)根據(jù)其結(jié)構(gòu)而變化，因此半導(dǎo)體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻成可調(diào)整其電氣和光學(xué)特性以及連接性的結(jié)構(gòu)。
2023-03-28 09:58:34251 
去吃魚(yú)?！绷秩鐭熜πφf(shuō)，就這么滴。話音剛落，大師兄突然抬起頭說(shuō)：“理工，客戶有個(gè)PCB,，板上有個(gè)0.5mm bga，PCB設(shè)計(jì)時(shí)有焊盤(pán)夾線，板內(nèi)其它非BGA區(qū)域有盤(pán)中孔設(shè)計(jì)，結(jié)果導(dǎo)致板子生產(chǎn)不良率
2023-03-27 14:33:01
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對(duì)孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。
2023-03-27 10:17:49402 
plating）→蝕刻（Etch）→半檢IQC→絲印阻焊油墨和字符油墨（SS）或貼阻焊干膜→熱風(fēng)整平或噴錫（HAL）→外形（Pounching）→成檢（FQC）→電測(cè)試E-TEST→包裝
2023-03-24 11:24:22
當(dāng)今世界信息社會(huì)的發(fā)展在很大程度上依賴于高比特率電信技術(shù)的質(zhì)量。雖然微波和光纖被用于長(zhǎng)距離傳輸，但光網(wǎng)絡(luò)也將對(duì)高比特率信息的局部分布發(fā)揮至關(guān)重要的作用。
2023-03-23 10:36:32346 
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