多年來，半導體晶片鍵合一直是人們感興趣的課題。使用中間有機或無機粘合材料的晶片鍵合與傳統(tǒng)的晶片鍵合技術(shù)相比具有許多優(yōu)點，例如相對較低的鍵合溫度、沒有電壓或電流、與標準互補金屬氧化物半導體晶片的兼容性
2022-04-26 14:07:04
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本發(fā)明一般涉及清洗和蝕刻硅表面的方法，以及更具體地涉及使用NF在低溫下預(yù)清洗晶片，在使用硅晶片制造半導體器件的過程中，在硅晶片的硅表面上可能會形成污染物和雜質(zhì)，如外延硅沉積或氧化物層生長，去除污染物
2022-06-29 17:06:563373 
的方式，所以
硅晶片正
面上均全面地布滿劍山，當以
晶片夾持臂移送上述
晶片時，夾持臂常因夾持
晶片邊緣，而觸及劍山，使之斷裂。斷裂的劍山會掉落在
晶片的其它部分，使芯片受損的機會大增，成品合格率降低?！ ∫虼?/div>
2018-03-16 11:53:10
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實二者是一個概念。集成電路（IC）是指在一半導體基板上，利用氧化、蝕刻、擴散等方法
2011-12-02 14:30:44
表面硅MEMS加工技術(shù)是在集成電路平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種MEMS工藝技術(shù)，它利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來形成各種微結(jié)構(gòu)。什么是表面硅MEMS加工技術(shù)？表面硅MEMS加工技術(shù)先在
2018-11-05 15:42:42
行密封。批量微機械加工對于實現(xiàn)高性能的壓力傳感器和加速度計至關(guān)重要，而這種壓力傳感器和加速度計在1980年代和90年代改變了傳感器行業(yè)。表面微加工主條目：表面微加工表面微加工使用沉積在基材表面上的層作為
2021-01-05 10:33:12
就是在潔凈的裸銅表面上，以化學的方法長出一層有機皮膜。這層膜具有防氧化，耐熱沖擊，耐濕性，用以保護銅表面于常態(tài)環(huán)境中不再繼續(xù)生銹 (氧化或硫化等);但在后續(xù)的焊接高溫中，此種保護膜又必須很容易被助焊劑所
2018-11-28 11:08:52
亦稱之Preflux。 簡單地說，OSP就是在潔凈的裸銅表面上，以化學的方法長出一層有機皮膜。這層膜具有防氧化，耐熱沖擊，耐濕性，用以保護銅表面于常態(tài)環(huán)境中不再繼續(xù)生銹 (氧化或硫化等);但在后續(xù)的焊接
2019-08-13 04:36:05
滲出來，輕者在氣孔附近結(jié)霜，重者將會腐蝕孔周圍的鍍覆層。 4.在零件表面上如有金屬或非金屬雜質(zhì)(如未除盡的封存油脂、油漆標記、劃線的涂色、銅跡，經(jīng)探傷檢查后未除盡的磁粉或熒光粉等)粘附，會影響鍍覆層在基體上的正常鍍覆、與基體的結(jié)合力和鍍覆層的連續(xù)性。 5.零件表面有銹蝕或存在明顯的銹蝕痕跡。
2019-04-01 00:33:06
成抗金屬標簽，如TI，Philips、國產(chǎn)復(fù)旦等芯片，頻率為13.56MHz，標準可支持ISO15693，ISO14443A/B等，防金屬標簽附著在金屬制品表面上,讀寫距離一般在1-3cm左右。隔離材料
2016-12-07 12:56:26
清潔 - 表面問題：金屬污染的起源：來源：設(shè)備、工藝、材料和人力，Si表面的過渡金屬沉淀是關(guān)鍵。去污：可以對一些暴露于堿或其他金屬污染物的基材進行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。這通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
下方的蝕刻速率遠高于沒有金屬時的蝕刻速率，因此當半導體正被蝕刻在下方時，金屬層會下降到半導體中。4 本報告描述了使用 MacEtch 工藝制造 100 到 1000 nm 的納米柱。電子束光刻：硅晶片用
2021-07-06 09:33:58
)、HF 等，已廣泛應(yīng)用于濕法清洗工藝，以去除硅片表面上的光刻膠、顆粒、輕質(zhì)有機物、金屬污染物和天然氧化物。然而，隨著硅電路和器件架構(gòu)的規(guī)模不斷縮?。ɡ鐝?VLSI 到 ULSI 技術(shù)），探索有效和可靠
2021-07-06 09:36:27
為什么一些金屬連接器的表面并不是像同型號的金屬連接器的表面那樣光滑？是出了什么狀況?
2016-11-02 16:58:28
中材料，其中有電路板、元器件 和電路板材料為有機材料，如環(huán)氧樹脂玻璃纖維加強材料、銅焊盤及線路、焊盤上其他金屬和阻焊膜，而元件基 材是硅，還有金屬焊球。所有這些材料熱膨脹系數(shù)都不一致，稍微的熱變形
2018-09-06 16:40:41
什么元件被稱為倒裝晶片（FC）？一般來說，這類元件具備以下特點?！ 、倩氖?b class="flag-6" style="color: red">硅； ?、陔姎饷婕昂竿乖谠?b class="flag-6" style="color: red">表面； ?、矍蜷g距一股為0.1～0.3 mm，球徑為0.06～0，.15 mm，外形尺寸
2018-11-22 11:01:58
重建物體的三維模型。這種測量方式具有非接觸性、高精度、高速度等優(yōu)點，非常適合用于金屬等材料的表面測量。
光學3D表面輪廓儀可以測量金屬的形狀、表面缺陷、幾何尺寸等多個方面：
1、形狀測量。光學3D表面
2023-08-21 13:41:46
的。正向電壓降小，適于大電流整流。因其PN結(jié)反向時靜電容量大，所以不適于高頻檢波和高頻整流。 6.在高溫的P型雜質(zhì)氣體中，加熱N型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成P型，以此法PN結(jié)。因PN結(jié)正向電壓降
2015-11-27 18:09:05
我計劃為一個工業(yè)設(shè)備制造一個鍵盤，它很有可能被包裹在粉末涂層或涂有金屬的盒子里——鋁或鋼。如果我在PCB和金屬板之間用絕緣層或紙或類似的東西將PCB粘貼在前金屬板后面，鍵盤會工作嗎？ 以上
2018-09-04 15:10:50
軟的表面上 保持將鏡頭放置到軟的表面上，特別是如果光學表面是凸起的，靜止地放置到堅硬的桌面上會造成表面的刮痕。 不使用時蓋上鏡頭蓋，保存好 對于工業(yè)鏡頭系統(tǒng)或裝配來說，在沒有使用的時候蓋上鏡頭蓋能
2015-10-22 14:14:47
使用等離子清洗技術(shù)清洗晶圓去除晶圓表面的有機污染物等雜質(zhì)，但是同時在等離子產(chǎn)生過程中電極會出現(xiàn)金屬離子析出，如果金屬離子附著在晶圓表面也會對晶圓造成損傷，如果在使用等離子清洗技術(shù)清洗晶圓如何規(guī)避電極產(chǎn)生的金屬離子？
2021-06-08 16:45:05
，所以需要在晶片表面均勻布上高密度的薄膜。再對光刻膠形成以及柵極蝕刻對尺寸進行嚴格的管理，利用CVD法來沉積多晶硅，形成柵電極。 4、LDD形成：LDD（輕摻雜漏，Lightly DopedDrain
2016-07-13 11:53:44
時，它們的表面上就會形成電荷，形成電荷量的 多少和性質(zhì)與機械形變的強度和性質(zhì)有關(guān)。當它們受到機械振動作用時.形成的就是正負 交變的電荷。其電荷量的多少與振動強度有關(guān).這種現(xiàn)象稱做“正壓電效應(yīng)”。（2）與上述
2017-11-10 16:52:44
的，只是根據(jù)PCB板的特殊情況，如PCB板空間太少，元器件需要焊接在表面上，這讓液晶屏怎么整？或者因為外殼的結(jié)構(gòu)要求，千奇百怪，各式各樣都有，常見的還是如下圖。這種就是一層一層的疊上去的，PCB板表面上沒有
2019-01-18 14:22:55
空氣中形成的氧化膜才能沾錫，并且焊錫與工作表面需要達到適當?shù)臏囟取?. 表面張力大家都熟悉水的表面張力，這種力使涂有油脂的金屬板上的冷水滴保持球狀，這是由于在此例中，使固體表面上液體趨于擴散的附著力小于
2018-02-07 11:57:23
【作者】：袁春華;李曉紅;唐多昌;楊宏道;【來源】：《強激光與粒子束》2010年02期【摘要】：利用Nd:YAG納秒激光脈沖,在能量密度為1～10 J/cm2范圍內(nèi)輻照單晶硅,形成了表面錐形微結(jié)構(gòu)
2010-04-22 11:41:53
1995年希臘科學家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外線照相技術(shù),各向異性的反應(yīng)離子刻蝕和高溫氧化的后處理工藝,首次在硅平面上刻劃了尺寸小于20nm的硅柱和 硅線的表面結(jié)構(gòu),觀察到了類似于多孔硅的光激發(fā)光現(xiàn)象。
2019-09-26 09:10:15
的使用溫度范圍（最高250℃）；無毒、無味、無腐蝕性，化學、物理性能穩(wěn)定，是耐熱配件理想的介質(zhì)材料，而且性能穩(wěn)定，在使用中不會產(chǎn)生腐蝕氣體，不會對所接觸的金屬產(chǎn)生影響。市面上的硅脂有很多種類型，不同的參數(shù)和物理特性決定了不同的用途。例如有的適用于CPU導熱，有的適用于內(nèi)存導熱，有的適用于電源導熱。
2018-06-03 16:51:48
雜質(zhì)分布對稀土金屬釓水中腐蝕性能的影響: 摘 要：作為磁制冷工質(zhì)的稀土金屬釓（Gd） ，由于長期處于熱交換介質(zhì)水中，而釓本身化學穩(wěn)定性差，室溫下即可與水發(fā)生
2009-04-28 23:36:27
14 工件在加工、運輸、存放等過程中，表面往往帶有氧化皮、鐵銹制模殘留的型砂、焊渣、塵土以及油和其他污物。要使深層能牢固地附著在工件的表面上，在涂裝前就必須對工件表
2009-12-10 11:21:0313 金屬表面處理，依據(jù)工件的大小、材質(zhì)和制作工藝不同，所采用的金屬表面處理劑和處理方案也不同。
2009-12-11 14:00:2322 經(jīng)過機械加工的零件表面，總會出現(xiàn)一些宏觀和微觀上幾何形狀誤差，零件表面上的微觀幾何形狀誤差，是由零件表面上一系列微小間距的峰谷所形成的，這些微小峰谷高低起伏的
2010-01-30 14:37:2447 表面貼裝技術(shù)選擇的問題研究
并非所有的連接器皆提供相同的功能。當然，它們表面上也許看起來是一樣的，也試著去完成它們的設(shè)
2009-04-08 17:52:05951 金屬表面的氧化層介紹
既然焊劑的主要功能是去除焊料及被焊金屬表面的氧化物，那么就應(yīng)對常見的金屬銅、錫
2009-09-30 09:48:366068 表面貼技術(shù)選擇的問題分析
并非所有的連接器皆提供相同的功能。當然，它們表面上也許看起來是一樣的，也試著去完成它們的設(shè)計功能，但相似
2009-10-10 16:09:45582 N型雜質(zhì)/P型雜質(zhì),N型雜質(zhì)/P型雜質(zhì)是什么意思
半導體的導電能力取決于他們的純度。完全純凈或本征半導體的導電能力很低，因為他們只含有很少的
2010-03-04 11:52:3312534 摘要: 本文提出一種用于金屬腐蝕監(jiān)測的光波導傳感方案,用金屬膜層局部取代光波導的介質(zhì)包層,構(gòu)成腐蝕敏感膜,從而獲取金屬腐蝕信息.依據(jù)波導理論選用721比色皿上的石英玻璃作為光波導材料,利用電化學方法在波導材料內(nèi)表面上形成Fe2C合金腐蝕敏感膜,并用XRD、E
2011-02-11 22:44:2521 1． 什么稱為表面粗糙度？ 答：表面粗糙度是指零件加工表面上具有的由較小間距和峰谷所組成的微觀幾何形狀特征。它是一種微觀幾何形狀誤差。 2． 表面粗糙度如何產(chǎn)生？ 答：零件
2011-04-21 10:42:3679 什么是表面電阻率呢，表面電阻率是平行于通過材料表面上電流方向的電位梯度與表面單位寬度上的電流之比，用歐姆表示。
2011-04-24 09:09:283955 聲表面波 器件是在壓電基片上制作兩個聲一電換能器―叉指換能器。所謂叉指換能器，就是在壓電基片表面上形成形狀像兩只手的手指交叉狀的金屬圖案，它的作用是實現(xiàn)聲一電換能。
2011-06-02 15:22:130 表面黏著晶片零件焊點檢查，表面黏著晶片零件焊點檢查
2015-11-19 11:23:130 表面黏著晶片排阻零件焊點檢查，表面黏著晶片排阻零件焊點檢查
2015-11-19 11:24:090 表面處理是在基體材料表面上人工形成一層與基體的機械、物理和化學性能不同的表層的工藝方法。表面處理的目的是滿足產(chǎn)品的耐蝕性、耐磨性、裝飾或其他特種功能要求。 對于金屬鑄件，我們比較常用的表面處理方法是，機械打磨，化學處理，表面熱處理，噴涂表面等。
2017-09-19 11:20:4617 機器人能畫畫已經(jīng)不是什么新鮮事了，
可你見過能夠在任何表面作畫的機器人嗎？
最近，一款名叫Scribit的機器人橫空出世，它可以在任何垂直的表面上“翩翩起舞”。
2018-06-14 15:30:001831 銅是電路板（PCB）表面上的常見導電金屬層。 在估算PCB表面銅的電阻值之前，請注意銅的電阻值會隨著溫度的變化而變化。
2019-08-16 20:24:006183 銅是電路板（PCB）表面上的常見導電金屬層。在估算PCB表面銅的電阻值之前，請注意銅的電阻值會隨著溫度的變化而變化。
2019-08-15 11:20:004561 原理：在電路板銅表面上形成一層有機膜，牢固地保護著新鮮銅表面，并在高溫下也能防氧化和污染。
2019-09-05 16:56:5411448 晶片電阻又稱厚膜晶片電阻或金屬膜電阻和片式電阻，不管哪個各種名稱都是根據(jù)它的膜層厚度、形狀及膜層材料來區(qū)分
2019-09-22 11:06:1911863 
表面增強拉曼光譜（Surface-enhanced Raman Spectroscopy， SERS）是指當一些分子被吸附到某些粗糙的金屬表面上時，由于樣品表面或近表面的電磁場的增強導致吸附分子的拉曼散射信號比普通拉曼散射(NRS) 信號大大增強的現(xiàn)象。
2020-03-19 09:22:071115 
在鋰金屬表面上構(gòu)建人工固體電解質(zhì)中間相（SEI）是提高表面SEI的離子電導率并抑制鋰金屬負極枝晶生長的最有效的方法之一。
2020-04-20 15:59:152150 當前Covid-19新冠病毒肺炎疫情大流行，而導致這種病癥的冠狀病毒可以在金屬和塑料表面上長期生存。
2020-04-26 16:27:351866 ”，用于形成銅線層（銅互連），化學氣相沉積（CVD），其中混合特殊氣體以引起化學反應(yīng)，形成包含所需材料的蒸汽，然后形成分子在反應(yīng)中產(chǎn)生的沉積在晶片表面上以形成膜，并進行熱氧化，其中加熱晶片以在晶片表面上形成氧化硅膜。
2020-08-31 15:17:1712230 。 一、導體：表面應(yīng)圓整光潔，鍍層連續(xù)且均勻；導體表面不應(yīng)有三角口、毛刺、裂紋、扭結(jié)、折疊、夾雜、斑疤、麻坑、機械損傷、腐蝕斑點等缺陷；色澤均勻、光亮，不應(yīng)有過度氧化痕跡；導體截面尺寸充足，不虧方。 二、絕緣和護
2020-09-07 11:26:581120 我們用的 IGBT，在核心元件表面，還有一層“果凍”，這個果凍起什么作用？我估計有以下可能目的： 1，散熱 2，絕緣 3，保護核心元件工作時不氧化？ 4，滅弧下面來說一說這些幾種功能的可能性
2020-11-25 10:34:0016 本發(fā)明的工藝一般涉及到半導體晶片的清洗。更確切地說，本發(fā)明涉及到可能存在于被研磨的單晶硅晶片的表面上的有機殘留物、金屬雜質(zhì)和其它特定的沾污物的清洗處理步驟的順序。 集成電路制造中所用的半導體晶片
2020-12-29 14:45:211999 布朗大學的研究人員開發(fā)了一種制造“超硬”金屬的新方法。該團隊通過化學處理，制造出了可以在適度壓力下融合在一起的納米顆?！胺e木”。材料的硬度具體描述了其表面上的局部體積內(nèi)抵抗變形的能力。在金屬的情況下，它通常由組成它的微觀晶粒大小決定--晶粒越小，金屬越硬。
2021-01-25 11:15:321633 目前，在通過干燥工藝去除硅基體表面的金屬雜質(zhì)和損傷方面，濕式工藝是唯一的。因此，進一步提高工藝很重要。
2021-12-14 09:45:391586 
本方法一般涉及半導體的制造，更具體地說，涉及在生產(chǎn)最終半導體產(chǎn)品如集成電路的過程中清洗半導體或 硅晶片，由此中間清洗步驟去除在先前處理步驟中沉積在相關(guān)硅晶片表面上的污染物。
2021-12-20 17:21:051170 
引言 我們在蝕刻的硅(110)表面上實驗觀察到的梯形小丘的形成，描述它們的一般幾何形狀并分析關(guān)鍵表面位置的相對穩(wěn)定性和（或）反應(yīng)性。在我們的模型中，小丘被蝕刻劑中的銅雜質(zhì)穩(wěn)定，銅雜質(zhì)吸附在表面上并作
2021-12-29 17:04:31360 
在超大規(guī)模集成生產(chǎn)中，要實現(xiàn)低溫加工和高選擇性，使硅片表面超潔凈至關(guān)重要。超凈晶圓表面必須完全 沒有顆粒、有機材料、金屬雜質(zhì)、天然氧化物和表面微粗糙度，和吸附的分子雜質(zhì)。目前的干法工藝，如反應(yīng)離子
2022-02-10 15:49:18537 
本文討論了稀氫氟酸清洗過程中顆粒沉積在硅片表面的機理。使用原子力顯微鏡的直接表面力測量表明，硅表面上的顆粒再沉積是由于顆粒和晶片表面之間的主要相互作用。表面活性劑的加入可以通過改變顆粒和晶片之間
2022-02-11 14:44:271442 
光伏制造濕法工藝步驟的評估表明雜質(zhì)可能沉積在硅介質(zhì)上。在取出晶片時，液體層保留在硅表面上。
2022-02-18 13:24:13932 
摘要 研究了泵送方法對晶片清洗的影響。兩種類型的泵，例如隔膜泵和離心泵，用于在濕浴和單晶片工具中循環(huán)和供應(yīng)用于晶片清潔的去離子水。清洗研究表明，泵送方法對清洗性能有很大影響。實驗研究表明，在 MLC
2022-03-02 13:56:46521 
摘要 已開發(fā)出一種稱為硅板法的方法，該方法使用具有清潔簡單過程的小型取樣裝置，以直接評估來自潔凈室空氣的硅晶片表面上的有機污染物。使用這種方法，首次通過實驗表明，硅片表面鄰苯二甲酸二（2-乙基
2022-03-02 13:59:29407 
介紹了半導體晶片制造設(shè)備濺射機和濺射工藝對晶片碎片的影響，給出了如何減少晶片應(yīng)力以達到少碎片的目的。
2022-03-10 14:45:082 我們在蝕刻的硅(110)表面上實驗觀察到的梯形小丘的形成，描述它們的一般幾何形狀并分析關(guān)鍵表面位置的相對穩(wěn)定性和（或）反應(yīng)性。在我們的模型中，小丘被蝕刻劑中的銅雜質(zhì)穩(wěn)定，銅雜質(zhì)吸附在表面上并作
2022-03-10 16:15:56228 
后異丙醇(IPA)的解吸和晶片中的水分。結(jié)果表明，在這些實驗條件下，定性和定量的微量雜質(zhì)小至單分子吸附層的1/10。結(jié)果證實，濕化學過程和干燥方法對晶片表面條件的影響。
2022-03-10 16:17:53787 
隨著器件尺寸縮小到深亞微米級，半導體制造中有效的濕法清洗工藝對于去除硅晶片表面上的殘留污染物至關(guān)重要。GOI強烈依賴于氧化前的晶片清潔度，不同的污染物對器件可靠性有不同的影響，硅表面上的顆粒導致
2022-03-21 13:39:405472 
隨著器件的集成化，對Si晶片的要求也變得更加嚴格，降低晶片表面的金屬污染變得重要，這是因為Si晶片表面的金屬污染被認為是氧化膜耐壓和漏電流等電特性劣化的原因。在Si晶圓的清洗中RCA清洗被廣泛
2022-03-21 13:40:12469 
本研究為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對硅晶片進行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中金屬雜質(zhì)的方法。
2022-03-21 16:15:07338 
本研究在實際單位工藝中容易誤染，用傳統(tǒng)的濕式清潔方法去除的Cu和Fe等金屬雜質(zhì)，為了提高效率，只進行了HF濕式清洗，考察了對表面粗糙度的影響，為了知道上面提出的清洗的效果，測量了金屬雜質(zhì)的去除
2022-03-24 17:10:271758 
本文章將對表面組織工藝優(yōu)化進行研究，多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法，其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時間和成本上都比較優(yōu)秀，主要適用于太陽能電池量產(chǎn)工藝。本研究在多晶晶片表面組織化
2022-03-25 16:33:49516 
隨著器件的集成化，對Si晶片的要求也變得更加嚴格，降低晶片表面的金屬污染變得重要，這是因為Si晶片表面的金屬污染被認為是氧化膜耐壓和漏電流等電特性劣化的原因。在Si晶圓的清洗中RCA清洗被廣泛
2022-03-28 15:08:53990 
比的APM清洗被發(fā)現(xiàn)可以非常有效地清除硅表面的顆粒和金屬雜質(zhì)。由于APM清洗而導致的微粒度的增加在不同的晶片類型中有所不同;在EPI晶圓上觀察到很少增加，但在CZ和FZ晶片上觀察到顯著增加。然而，
2022-04-14 13:57:20459 
隨著器件的高集成化，對高質(zhì)量硅晶片的期望。高質(zhì)量晶片是指晶體質(zhì)量、加工質(zhì)量以及表面質(zhì)量優(yōu)異的晶片。此外，芯片尺寸的擴大、制造成本的增加等問題受到重視，近年來，對300mm晶片的實用化進行了研究。隨著
2022-04-18 16:33:59879 
為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對硅晶片進行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中消除金屬雜質(zhì)的方法。
2022-04-24 14:59:23497 
張力和對水的高溶解度，它適合于IPA蒸汽工藝以完美地消除晶片表面的污染。該干燥系統(tǒng)還具有消除靜電的能力，基本上可以達到高質(zhì)量的表面清潔度。因此，我們采用直接測量靜電荷的定量方法，研究了靜電荷的去除機理。
2022-04-29 15:08:00706 
金屬涂層，如銅膜，可以很容易地沉積在半導體材料上，如硅晶片，而無需使無電鍍工藝進行預(yù)先的表面預(yù)處理。然而，銅膜的粘附性可能非常弱，并且容易剝離。在本研究中，研究了在氫氟酸溶液中蝕刻作為硅晶片化學鍍
2022-04-29 15:09:06464 
。終止于清潔表面上的氨基可能有助于退火過程中結(jié)合強度的提高。這種具有成本效益的鍵合工藝對于硅基和玻璃基異質(zhì)集成具有巨大的潛力，而不需要真空系統(tǒng)。 實驗結(jié)果和討論 圖1(a)。在裂紋打開方法中，剃刀刀片幾乎不能插入到結(jié)合的
2022-05-07 15:49:061091 
本文闡述了金屬雜質(zhì)和顆粒雜質(zhì)在硅片表面的粘附機理，并提出了一些清洗方法。
2022-05-11 16:10:274 為了獲得所需的液態(tài)金屬印章，通過激光雕刻厚度為200μm的粘合片以獲得預(yù)設(shè)計的圖案，然后將其貼在覆蓋有一層銅膠帶的培養(yǎng)皿上，并將液態(tài)金屬滴在掩蔽的銅表面上，再加入NaOH（1.0mol/L）溶液以去除液態(tài)金屬表面的氧化層（Ga?O?）。
2022-06-10 09:23:532048 摘要 隨著越來越高的VLSIs集成度成為商業(yè)實踐，對高質(zhì)量晶片的需求越來越大。對于表面上幾乎沒有金屬雜質(zhì)、顆粒和有機物的高度潔凈的晶片來說，尤其如此。為了生產(chǎn)高清潔度的晶片，有必要通過對表面雜質(zhì)行為
2022-07-11 15:55:451025 
化學腐蝕是金屬與周圍介質(zhì)直接起化學作用的結(jié)果，它包括氣體腐蝕和金屬在非電解質(zhì)中腐蝕兩種腐蝕形式。其特點是腐蝕過程不產(chǎn)生電流，并且腐蝕產(chǎn)物沉積在金屬表面上。如純鐵在水中或在高溫下受蒸汽和氣體的作用而引起的生銹現(xiàn)象，就是化學腐蝕的典型例子。
2022-07-12 15:35:421820 溶液中顆粒和晶片表面之間發(fā)生的基本相互作用是范德華力(分子相互作用)和靜電力(雙電層的相互作用)。近年來，與符合上述兩種作用的溶液中的晶片表面上的顆粒粘附機制相關(guān)的研究蓬勃發(fā)展，并為闡明顆粒粘附機制做了大量工作。
2022-07-13 17:18:441491 
為了方便地操縱功能性液滴，研究人員構(gòu)建了一個穩(wěn)定的光滑凝膠表面。如圖1a所示，研究人員用旋涂的方式在玻璃基板上制備了PDMS基底。接著，在PDMS表面涂抹硅油后，獲得了光滑的PDMS表面。
2022-09-09 09:33:59645 的步驟來去除這些黏合劑。第二個挑戰(zhàn)是，這些打印技術(shù)通常需要在平坦表面上打印，但許多應(yīng)用并不具備這樣的條件。
2022-11-24 14:41:57480 表面處理是在基體材料表面上人工形成一層與基體的機械、物理和化學性能不同的表層的工藝方法。
2023-05-22 11:07:221514 
電鍍是一種利用電化學性質(zhì)，在鍍件表面上沉積所需形態(tài)的金屬覆層的表面處理工藝。
電鍍原理：在含有欲鍍金屬的鹽類溶液中，以被鍍基體金屬為陰極，通過電解作用，使鍍液中欲鍍金屬的陽離子在基體金屬表面沉積，形成鍍層。如圖13所示。
2023-05-29 12:07:23644 
有時候，化學物質(zhì)會吸附在表面上，這種現(xiàn)象可能發(fā)生在氣相中的固體表面以及浸沒在液體溶液中的固體表面。
2023-06-05 11:25:291228 
隨著半導體科技的發(fā)展，在固態(tài)微電子器件制造中，人們對清潔基底表面越來越重視。濕法清洗一般使用無機酸、堿和氧化劑，以達到去除光阻劑、顆粒、輕有機物、金屬污染物以及硅片表面上的天然氧化物的目的。然而，隨著硅電路和器件結(jié)構(gòu)規(guī)模的不斷減小，英思特仍在專注于探索有效可靠的清潔方法以實現(xiàn)更好的清潔晶圓表面。
2023-06-05 17:18:50437 
金屬探測器是能夠檢測表面上的金屬元素的小工具。探測器可以檢測金屬的距離取決于它可以覆蓋的探測器范圍。在這個金屬檢測機電路中，我們使用定時器IC555和電感器來檢測金屬，并通過簡單的蜂鳴器發(fā)出警報來提醒用戶。
2023-06-18 11:16:421186 
蝕刻是一種從材料上去除的過程?；?b class="flag-6" style="color: red">表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
蝕刻是一種從材料上去除的過程?；?b class="flag-6" style="color: red">表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
M16插頭表面鍍層對產(chǎn)品的質(zhì)量有影響。表面鍍層是在連接器的金屬表面上涂覆一層特殊材料，通常用于提高連接器的性能和保護其金屬部件。
2023-08-05 11:39:18462 
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