察到的室溫可見光致發(fā)光1 (PL)已經(jīng)證明了用于光電應(yīng)用的實用、高效硅基發(fā)射器的潛力。 多孔硅層已經(jīng)由(100)取向的n型硅片制備。用掃描電鏡、紅外光譜和熒光光譜表征了多孔硅的形態(tài)和光學(xué)性質(zhì)。研究了陽極氧化溶液中不同蝕刻時間對多孔硅結(jié)
2022-03-25 17:04:44
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接上回的實驗演示 ? 實驗演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設(shè)計和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉(zhuǎn)移； 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑； 3.去除氧化物掩模并進一步各向異性蝕刻
2022-05-11 14:49:58712 
在多孔電極中，固相導(dǎo)電顆粒組成電子導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，分布在孔隙電解液構(gòu)成的液相離子傳輸網(wǎng)絡(luò)中，因此多孔電極中電子導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)和離子傳輸網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)設(shè)計與電極性能密切相關(guān)。
2023-03-20 10:16:482999 摘要 本文報道了鉑輔助化學(xué)化學(xué)蝕刻制備的多孔氮化鎵的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能。掃描電鏡圖像顯示，孔隙的密度隨著蝕刻時間的增加而增加，而蝕刻時間對孔隙的大小和形狀沒有顯著影響。原子力顯微鏡測量結(jié)果表明，表面
2022-04-27 16:55:321306 
超聲增強化學(xué)腐蝕被用來制作多孔硅層，通過使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制備多孔硅層，發(fā)現(xiàn)超聲波改善了p型硅上多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用這種方法可以制作品質(zhì)因數(shù)高得多的多孔硅微腔，由超聲波蝕刻
2022-05-06 17:06:511048 
哪位老師知道多孔USB的原理 有原理圖嗎?
2013-03-08 22:20:17
）及電子電器設(shè)備、可控硅元件的軟連接線。軟銅絞線適用于電氣裝備、電子電器或元件接線或這些場合用軟結(jié)構(gòu)絕緣電線電纜的導(dǎo)體線芯。銅軟絞線采用優(yōu)質(zhì)圓銅線或鍍錫軟圓銅線制成。加工過程中經(jīng)韌煉處理，電鍍銅接地絞線，使成品柔軟、外表整齊美觀。`
2018-12-06 20:48:24
的沖擊韌性，應(yīng)用于汽車工業(yè)，將有效降低交通事故給乘客帶來的傷害。應(yīng)該將多孔結(jié)構(gòu)對機械性能的影響分成直接的與間接的兩種影響。例如加快（或減緩）擴散過程，對相變的作用這類孔隙的間接影響在于會形成某些結(jié)構(gòu)。氣孔
2018-11-09 11:00:10
實現(xiàn)利用硅光電路和微光學(xué)元件的創(chuàng)新解決方案，同時可實現(xiàn)控制電子元件和系統(tǒng)封裝的最優(yōu)集成。MACOM始終關(guān)注采用細線光刻來實現(xiàn)高密度功能的硅微光子綜合技術(shù)。這些技術(shù)將高性能低功率光學(xué)器件與最佳功能及最大
2017-11-02 10:25:07
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實二者是一個概念。集成電路（IC）是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴散等方法
2011-12-02 14:30:44
除了垂直，還向兩側(cè)蝕刻。隨著深度增加，兩側(cè)金屬面的蝕刻面積也在加大。開始的部分被蝕刻的時間長，向兩側(cè)蝕刻的深度也大，形成嚴重側(cè)蝕，底部蝕刻時間較短，側(cè)蝕相對輕微。側(cè)蝕能使凸面的線條或網(wǎng)點變細變小，反之
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu)，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
簡述如下： 1 物理及化學(xué)方面 1）蝕刻液的濃度：應(yīng)根據(jù)金屬腐蝕原理和銅箔的結(jié)構(gòu)類型，通過試驗方法確定蝕刻液的濃度，它應(yīng)有較大的選擇余地，也就是指工藝范圍較寬?！ ?）蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻
2018-09-11 15:19:38
的影響，有物理、化學(xué)及機械方面的。現(xiàn)簡述如下：麥|斯|艾|姆|P|CB樣板貼片,麥1斯1艾1姆1科1技全國1首家P|CB樣板打板 1 物理及化學(xué)方面 1）蝕刻液的濃度：應(yīng)根據(jù)金屬腐蝕原理和銅箔的結(jié)構(gòu)
2013-10-31 10:52:34
與蝕刻深度之比, 稱為蝕刻因子。在印刷電路工業(yè)中，它的變化范圍很寬泛，從1：1到1：5。顯然，小的側(cè)蝕度或低的蝕刻因子是最令人滿意的。 蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響
2018-11-26 16:58:50
SRAM的性能及結(jié)構(gòu)
2020-12-29 07:52:53
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
波導(dǎo)耦合器由于低插損，高功率，高定向性微波通信，測試測量等場合有大量的使用。同時波導(dǎo)耦合器由于是三維結(jié)構(gòu)，耦合方式多種多樣（寬邊/窄邊/多路/平行/交叉耦合），其中應(yīng)用非常廣泛的一種結(jié)構(gòu)是貝茲孔
2019-06-26 06:11:35
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較編號：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
各向異性（晶體）化學(xué)蝕刻是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)工藝技術(shù)，其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是：（1）具有原子級光滑面的光學(xué)設(shè)備（波導(dǎo)、激光器）減少損失（2）MEMS，其中幾何形狀可以通過
2021-07-08 13:09:52
濕法蝕刻 InGaP 和 GaAs 的結(jié)果。以前，發(fā)現(xiàn)這些蝕刻劑產(chǎn)生令人滿意的效果。 然而，這些解決方案的一個嚴重缺點是它們會侵蝕金，金隨后可能會重新沉積在 MESA 結(jié)構(gòu)的斜面和蝕刻表面本身上。因此
2021-07-09 10:23:37
還改變了濕蝕刻輪廓GaAs 與沒有表面處理的晶片相比，反應(yīng)限制蝕刻更具各向同性；簡介 光刻膠的附著力對濕蝕刻的結(jié)果以及隨后的電氣和光學(xué)器件的產(chǎn)量起著關(guān)鍵作用。有許多因素會影響光刻膠對半導(dǎo)體襯底的粘附
2021-07-06 09:39:22
損傷并平滑垂直側(cè)壁。圖中。 在 TMAH 溶液中化學(xué)拋光不同時間后的 GaN m 面和 a 面?zhèn)缺诘?SEM 圖像。(a) 六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的晶胞示意圖。(b) 鳥瞰圖（傾斜于20°) ICP 干法蝕刻
2021-07-09 10:21:36
腔體對齊的精確位置制造光學(xué)組件。硅微加工和 MEMS 加工技術(shù)都非常適合此類應(yīng)用，從而能夠創(chuàng)建可以塑造或引導(dǎo)光束的復(fù)雜微結(jié)構(gòu)。先前已經(jīng)開發(fā)出硅體微加工技術(shù)并且通常使用多種不同的蝕刻來進行，其中
2021-07-19 11:03:23
關(guān)于光學(xué)互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的子波長硅光量子器件（章回2，3，4的內(nèi)容文本待續(xù)） （附圖與文本內(nèi)容一致，符合國際標準）ieee電腦設(shè)計與測試 2013 2021-1-23隨著我們對信息的需求增加，對網(wǎng)絡(luò)處理大量
2021-01-23 07:18:21
關(guān)于光學(xué)互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的子波長硅光量子器件（附圖續(xù)IV.）ieee計算機測量與設(shè)計 20132021-02-02（續(xù)完章回3文本內(nèi)容，及其中專業(yè)技術(shù)符號，表達式和公式等）（圖文一致，符合國際標準） 2021-02-02
2021-02-02 16:33:10
摘要：在印制電路制作過程中，蝕刻是決定電路板最終性能的最重要步驟之一。所以，研究印制電路的蝕刻過程具有很強的指導(dǎo)意義，特別是對于精細線路。本文將在一定假設(shè)的基礎(chǔ)上建立模型，并以流體力學(xué)為理論基礎(chǔ)
2018-09-10 15:56:56
蝕刻 浸入蝕刻是一種半槳技術(shù)，它只需一個裝滿蝕刻洛液的槽，把板子整個浸入到溶液中，如圖1所示。板子需要保持浸入直至蝕刻完成，這就需要很長的蝕刻時間，且蝕刻速度非常緩慢。可以通過加熱蝕刻溶液的方法來
2018-09-11 15:27:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
雙向可控硅結(jié)構(gòu)原理及應(yīng)用
2012-08-20 13:23:09
的波長窗口獲得穩(wěn)定的拍長,且拍長值也可以根據(jù)實際需求設(shè)計調(diào)整。通過優(yōu)化結(jié)構(gòu)參數(shù),在1310 nm波長窗口得到了帶寬大于180 nm的平坦拍長曲線?！娟P(guān)鍵詞】：光纖光學(xué);;多孔光纖;;波束傳播法;;雙折射
2010-04-24 10:12:19
可控硅一、可控硅的概念和結(jié)構(gòu)？ 晶閘管又叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier,SCR)。自從20世紀50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族，它的主要成員有單向
2021-09-09 08:23:06
有人做用電化學(xué)腐蝕多孔硅的工藝嗎？本人剛開始做，想一起交流一下相關(guān)經(jīng)驗。
2011-03-21 13:30:18
silicon photonic circuits“?；阪N離子注入的硅波導(dǎo)工藝和激光退火工藝，他們實現(xiàn)了可擦除的定向耦合器，進而實現(xiàn)了可編程的硅基集成光路，也就是所謂的光學(xué)FPGA。
2019-10-21 08:04:48
本文將介紹和比較在硅光電子領(lǐng)域中使用的多種激光器技術(shù)，包括解理面、混合硅激光器和蝕刻面技術(shù)。我們還會深入探討用于各種技術(shù)的測試方法，研究測試如何在推動成本下降和促進硅光子技術(shù)廣泛普及的過程中發(fā)揮重要作用。
2021-05-08 08:14:10
安捷倫科技公司(Agilent Technologies)宣布推出一款基于LED的高性能光學(xué)鼠標傳感器——ADNS-3080。這款產(chǎn)品為“第一射手”(FPS)電腦游戲、專業(yè)制圖和計算機輔助設(shè)計
2018-10-26 16:22:12
新型聚丙烯酸酯的制備與非線性光學(xué)性能設(shè)計合成了一種含偶氮苯和取代苯乙炔基長共軛生色團的丙烯酸酯，并采用溶液聚合法合成了功能化的聚丙烯酸酯，利用FTIR、NMR等對化合物的結(jié)構(gòu)進行了表征，證實
2009-05-26 00:24:16
，為避免上述情形發(fā)生，現(xiàn)有的解決方法大多由去除硅晶片正面邊緣上的劍山著手，使硅晶片正面能呈現(xiàn)待蝕刻結(jié)構(gòu)。如此一來，當夾持臂夾持晶片邊緣時，所接觸到的晶片正面邊緣便是平坦狀，不會發(fā)生夾斷晶片正面邊緣上的劍
2018-03-16 11:53:10
是半導(dǎo)體制造，微機械和微流控設(shè)備中的重要過程，需要微尺度的特征來優(yōu)化性能或創(chuàng)建層流態(tài)，這在宏觀上幾乎是不可能獲得的。由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時間來輕松控制z軸蝕刻，因此常用于分層應(yīng)用。缺點包括許多化學(xué)廢物，其中許多是高酸性和多步過程。
2021-01-08 10:15:01
我司是做濕法蝕刻藥水的，所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問題歡迎提問，很愿意為大家解答。謝謝！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
適當?shù)那鍧嵒驅(qū)θ芤哼M行補加。 蝕刻過程中應(yīng)注意的問題 減少側(cè)蝕和突沿﹐提高蝕刻系數(shù) 側(cè)蝕會產(chǎn)生突沿。通常印制板在蝕刻液中的時間越長,側(cè)蝕的情況越嚴重。側(cè)蝕將嚴重影響印制導(dǎo)線的精度，嚴重的側(cè)蝕將不
2017-06-24 11:56:41
利用準分子納秒激光誘導(dǎo)的細長須狀結(jié)構(gòu)和飛秒激光輻照下產(chǎn)生的具有表面枝蔓狀納米結(jié)構(gòu)的錐形微結(jié)構(gòu)。實驗結(jié)果表明,這種尖峰微結(jié)構(gòu)的形成與輻照激光的波長和脈沖持續(xù)時間有關(guān)。對空氣中微構(gòu)造硅的輻射反射的初步研究
2010-04-22 11:41:53
1995年希臘科學(xué)家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外線照相技術(shù),各向異性的反應(yīng)離子刻蝕和高溫氧化的后處理工藝,首次在硅平面上刻劃了尺寸小于20nm的硅柱和 硅線的表面結(jié)構(gòu),觀察到了類似于多孔硅的光激發(fā)光現(xiàn)象。
2019-09-26 09:10:15
納米結(jié)構(gòu)的幾何形狀只要滿足特定條件，并匹配入射光的波長，就能夠大幅提高光學(xué)傳感器的靈敏度。這是因為局部納米結(jié)構(gòu)可以極大地放大或減少光的電磁場。據(jù)麥姆斯咨詢報道，由Christiane Becker
2018-10-30 11:00:20
，小的側(cè)蝕度或低的蝕刻因子是最令人滿意的。 蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué)成分
2018-09-19 15:39:21
通過對陽極氧化多孔Al2O3 薄膜感濕材料的制備工藝及其電容濕敏特性進行研究,將陽極氧化參數(shù)對多孔Al2O3 薄膜的結(jié)構(gòu)和形態(tài)的影響與多孔Al2O3 薄膜作為濕度傳感器感濕材料的濕敏特
2009-06-22 11:24:50
13 多孔硅在光電子和傳感器領(lǐng)域是一種具有重要應(yīng)用價值的材料, 多孔硅網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的形狀紋理直接影響其光學(xué)和熱學(xué)性能。運用數(shù)字圖像處理分析方法對多孔硅結(jié)構(gòu)電子顯微鏡圖像(SEM)
2009-06-30 08:34:1015 本文介紹了有著蝕刻結(jié)構(gòu)的光纖傳感器在應(yīng)變測量以及薄結(jié)構(gòu)振動測量中的應(yīng)用和檢測機理. 并且在非對稱蝕刻結(jié)構(gòu)的光纖曲率傳感器的基礎(chǔ)上提出了分布式光纖模態(tài)曲率傳感器研究
2009-07-03 09:13:1310 激光加工多孔端面機械密封
摘 要：介紹了激光加工多孔端面機械密封的結(jié)構(gòu)特點，闡述了激光加工多孔端面機械密封的工作原理，指出端面微孔
2009-05-15 22:36:20968 
粉末多孔電極
粉末多孔電極
1，粉末多孔電極的優(yōu)點：
①于粉末電極的多孔性，可大大增加電極的比表面，減小電極通過的真實電流密度，
2009-11-05 17:24:431573 摘 要 提出一種用于SO2監(jiān)測的多孔硅光學(xué)傳感方案,其原理是以光催化氫化硅烷化處理的多孔硅作為敏感材料,根據(jù)多孔硅光致發(fā)光峰猝滅程度與SO2濃度間定量關(guān)系,實現(xiàn)SO2傳感。實驗采用電化學(xué)方法將n2型單晶硅腐蝕形成多孔硅并進行氫化硅烷化處理,獲得敏感膜層;研
2011-02-16 22:11:1731 對多孔硅施加陽極氧化表面處理技術(shù),可有效解決多孔硅干燥時出現(xiàn)龜裂及坍塌,破壞原有多孔硅的形貌和本質(zhì)的問題.陽極氧化表面處理技術(shù)就是使用少量的負離子作用于多孔硅表面,滿足
2011-06-24 16:28:380 該模型利用多孔固體中的蜂窩單元構(gòu)建柔性物體,將受表面壓力影響的三維空間細化為蜂窩形狀,基于結(jié)構(gòu)力學(xué)中的標準梁理論獲得蜂窩單元形變和作用力關(guān)系的解析表達式,進而實現(xiàn)基于
2012-03-22 17:06:5217 光學(xué)鼠標的結(jié)構(gòu)和原理
2017-11-23 10:50:188 從硅碳復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)出發(fā)，可將目前研究的硅碳復(fù)合材料分為包覆結(jié)構(gòu)和嵌入結(jié)構(gòu)。其中，包覆結(jié)構(gòu)是在活性物質(zhì)硅表面包覆碳層，緩解硅的體積效應(yīng)，增強其導(dǎo)電性。根據(jù)包覆結(jié)構(gòu)和硅顆粒形貌，包覆結(jié)構(gòu)可分為核殼型、蛋黃-殼型以及多孔型。
2018-01-09 11:13:317666 
本文首先介紹了蝕刻機的分類及用途，其次闡述了蝕刻機的配件清單，最后介紹了蝕刻機的技術(shù)參數(shù)及應(yīng)用。
2018-04-10 14:38:324723 通常所指蝕刻也稱腐蝕或光化學(xué)蝕刻（photochemicaletching），指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學(xué)溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-25 15:41:3614173 你看一下3D NAND結(jié)構(gòu)，就知道為了深入到結(jié)構(gòu)中進行蝕刻，就可能需要橫向蝕刻。這是傳統(tǒng)的蝕刻系統(tǒng)無法做到的一點。
2019-09-04 11:29:3410626 化學(xué)蝕刻法是利用酸、堿、氧化物等化學(xué)試劑對石墨烯片層進行化學(xué)刻蝕使其產(chǎn)生面內(nèi)孔的方法。圖4a展示了采用多金屬氧酸鹽衍生的金屬氧化物刻蝕，可以得到面內(nèi)多孔石墨烯材料，石墨烯片層上的孔徑約為20–50
2020-04-02 14:39:268812 
多孔材料通常用于噪音控制?？蒲腥藛T在不同多孔材料的吸聲特性方面已經(jīng)進行了許多研究。根據(jù)孔的互連性，多孔材料通?？煞譃殚_孔結(jié)構(gòu)和閉孔結(jié)構(gòu)。對多孔材料聲學(xué)應(yīng)用的現(xiàn)有文獻表明，開孔結(jié)構(gòu)具有更好的吸聲性能
2020-08-19 10:37:55793 一、蝕刻的目的 蝕刻的目的即是將前工序所做出有圖形的線路板上的未受保護的非導(dǎo)體部分銅蝕刻去，形成線路。 蝕刻有內(nèi)層蝕刻和外層蝕刻，內(nèi)層采用酸性蝕刻，濕膜或干膜為抗蝕劑；外層采用堿性蝕刻
2020-12-11 11:40:587458 1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學(xué)反應(yīng)而移除多余材料的技術(shù)。PCB線路板生產(chǎn)加工對蝕刻質(zhì)量的基本要求就是能夠?qū)⒊刮g層下面以外的所有銅層完全去除干凈，僅此而已。在PCB制造過程中，如果要精確地
2021-04-12 13:48:0031004 
為了設(shè)計符合工程設(shè)計參數(shù)要求的多孔結(jié)構(gòu)模型，提出一種孔隙表征參數(shù)驅(qū)動的多孔結(jié)構(gòu)建模思路，并以增材制造制備成形。首先，針對三周期極小化曲面（TPMS）的4種常用類型（PDGI-WP），研究了TPMS
2021-04-29 15:11:184 )、(TMAH)、NaOH等，但KOH與TMAH相比，平整度更好，并且只對硅的 100 表面做出反應(yīng)，因此Fig。如1所示，具有54.74的各向異性蝕刻特性，毒性小。使用KOH的硅各向異性濕式蝕刻在壓力傳感器、加速度計、光學(xué)傳感器等整體MEMS裝置結(jié)構(gòu)形成等中使用。 實驗 KOH硅濕法蝕刻工藝 工藝
2021-12-23 09:55:35484 
引言 通過在含有H2O2的HF溶液中蝕刻，在兩步工藝中對商用硅太陽能電池進行紋理化。銀納米粒子作為催化位點，有助于蝕刻過程。確定了在表面制備納米孔的蝕刻時間。利用光譜儀測量了硅太陽能電池表面納米結(jié)構(gòu)
2022-01-04 17:15:35629 
在 KOH 水溶液中進行濕法化學(xué)蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對蝕刻速率已通過光學(xué)干涉測量法使用掩膜樣品進行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0.07 μm/h 且與 60
2022-03-04 15:07:09845 
了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43336 
本文研究了用金剛石線鋸切和標準漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時間的關(guān)系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，無論是與表面結(jié)構(gòu)相關(guān)，缺陷相關(guān)，由于表面存在的氧化層，還是由于有機殘差。
2022-03-16 13:08:09619 
材料，其用于許多蝕刻步驟中以抵抗蝕刻。該掩模材料可以是光致抗蝕劑，并且使用光刻法將其圖案化。蝕刻也可以稱為制作空腔，這些空腔應(yīng)該根據(jù)用途具有特定的深度。產(chǎn)生的這種空腔的深度可以通過蝕刻時間和蝕刻速率
2022-03-16 16:31:581134 
質(zhì)的影響。蝕刻率由深度蝕刻隨時間的變化來確定。結(jié)果表明，隨著蝕刻時間的延長，硅的厚度減重增加。在高分辨率光學(xué)顯微鏡下，可以觀察到蝕刻的硅片表面的粗糙表面。XRD分析表明，蝕刻后硅的晶體峰強度變?nèi)?，說明在硅襯底
2022-03-18 16:43:11529 
利用作為掩模的陽極多孔氧化鋁的模式轉(zhuǎn)移，制備了具有100nm周期性自有序結(jié)構(gòu)的孔和柱陣列納米結(jié)構(gòu)，納米圖案的轉(zhuǎn)移是通過一個涉及硅的局部陽極化和隨后的化學(xué)蝕刻的組合過程來實現(xiàn)的。利用這一方法，可以通過改變蝕刻條件來制造負圖案和正圖案。
2022-03-23 11:05:54373 
和水熱蝕刻制備黑硅具有更大的優(yōu)勢。它為制備黑硅可見光和近紅外光電子器件提供了一種合適而經(jīng)濟的方法。本文采用濕式蝕刻法制備了微結(jié)構(gòu)硅，并對其微觀結(jié)構(gòu)進行了表征，并對其光學(xué)性能進行了測試。
2022-03-29 16:02:59819 
本文研究了用兩步金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)工藝制備的黑硅（b-Si）的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能，研究了銀膜低溫退火和碳硅片蝕刻時間短的兩步MACE法制備硼硅吸收材料。該過程包括銀薄膜沉積產(chǎn)生的鎵氮氣
2022-03-29 17:02:35650 
本文采用超聲增強化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用該方法可以制備質(zhì)量因子的多孔硅微腔，超聲波蝕刻所導(dǎo)致的質(zhì)量的提高
2022-04-06 13:32:13330 
本文采用超聲增強化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用該方法可以制備質(zhì)量因子的多孔硅微腔，超聲波蝕刻所導(dǎo)致的質(zhì)量的提高
2022-04-15 10:18:45332 
本文研究了用金剛石線鋸切和標準漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時間的關(guān)系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，無論是與表面結(jié)構(gòu)相關(guān)，缺陷相關(guān)，由于表面存在的氧化層，還是由于有機殘差。
2022-04-18 16:36:05406 
本文用濕化學(xué)腐蝕法制備多孔氧化鋅的研究。通過射頻磁控濺射在擇優(yōu)取向的p型硅上沉積ZnO薄膜。在本工作中使用的蝕刻劑是0.1％和1％硝酸（HNO）溶液，ZnO在不同時間被蝕刻，并通過X射線衍射（XRD
2022-04-24 14:58:20930 
在本文中，結(jié)合了現(xiàn)有的經(jīng)驗和觀察到的多晶氧化鋅腐蝕模型，該模型可以定性地描述濺射條件、材料特性和蝕刻條件的影響。幾項研究調(diào)查了濺射參數(shù)和蝕刻行為之間的關(guān)系，并提出了一種用于蝕刻的現(xiàn)象學(xué)結(jié)構(gòu)區(qū)域模型
2022-05-09 14:27:58281 
本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了蝕刻時間和氧化劑對用氫氧化銨(銨根OH)形成的多孔氧化鋅（氧化鋅）薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影響。在本工作中，射頻磁控管濺射的ZnO薄膜在氫氧化銨(NH4OH)溶液中腐蝕，全面研究了刻蝕時間和添加H2O2溶液對多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的影響。
2022-05-09 15:19:34560 
硅微腔。由超聲波蝕刻引起的質(zhì)量提高可歸因于氫氣泡和其它蝕刻化學(xué)物質(zhì)從多孔硅柱表面逃逸的速率增加。該效應(yīng)歸因于自由空穴載流子濃度的有效變化。超聲波已導(dǎo)致表明可能在鍵合結(jié)構(gòu)的變化，并增加氧化。此外，在超聲波處理和微觀結(jié)構(gòu)之間建
2022-05-10 15:43:25941 
在使用低溫卡盤的低壓高密度等離子體反應(yīng)器中研究了硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻。我們?nèi)A林科納以前已經(jīng)證明了這種技術(shù)在這種結(jié)構(gòu)上的可行性。已經(jīng)研究了蝕刻速率和輪廓的改進，并且新的結(jié)果顯示
2022-05-11 15:46:19730 
摘要 微流體和光學(xué)傳感平臺通常由玻璃和熔融石英(石英)制成，因為它們具有光學(xué)透明性和化學(xué)惰性。氫氟酸(HF)溶液是用于深度蝕刻二氧化硅襯底的選擇的蝕刻介質(zhì)，但是由于HF遷移穿過大多數(shù)掩模材料的侵蝕性
2022-05-23 17:22:141229 
通常在蝕刻過程之后通過將總厚度變化除以蝕刻時間或者通過對不同的蝕刻時間進行幾次厚度測量并使用斜率的“最佳擬合”來測量，當懷疑蝕刻速率可能不隨時間呈線性或蝕刻開始可能有延遲時，這樣做有時可以實時測量蝕刻速率。
2022-05-27 15:12:133471 引言 隨著尺寸變得越來越小以及使用k值 3.0的多孔電介質(zhì)，后端(BEOL)應(yīng)用中的圖案化變得越來越具有挑戰(zhàn)性。等離子體化學(xué)干法蝕刻變得越來越復(fù)雜，并因此對多孔材料產(chǎn)生損傷。在基于金屬硬掩模(MHM
2022-06-14 16:56:371355 
的逐層秘密。隨著制造工藝的變化和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的變化，這些技術(shù)需要在時間和程序上不斷調(diào)整。雖然有許多工具有助于這些分析，如RIE(反應(yīng)離子蝕刻-一種干法蝕刻技術(shù))、離子銑削和微切割，但鎢的濕法化學(xué)蝕刻有時比RIE技術(shù)更具重現(xiàn)性。
2022-06-20 16:38:205220 
通過使用多級等離子體蝕刻實驗設(shè)計、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法，以及開發(fā)自動蝕刻后遮蓋物去除順序；一種可再現(xiàn)的基板通孔處理方法被集成到大批量GaAs制造中。對于等離子體蝕刻部分，使用光學(xué)顯微鏡
2022-06-23 14:26:57516 
多孔材料具有多孔和高比表面積的特點，在電極載體方面有著重要的應(yīng)用。
2022-07-10 14:34:031157 這兩種蝕刻液被廣為使用的原因之一是其再生能力很強。通過再生反應(yīng)，可以提高蝕刻銅的能力，同時，還能保持恒定的蝕刻速度。在批量PCB生產(chǎn)中，既要保持穩(wěn)定的蝕刻速度，還要確保這一速度能實現(xiàn)最大產(chǎn)出率，這一點至關(guān)重要。蝕刻速度對生產(chǎn)速率會產(chǎn)生很大的影響，所以在對比蝕刻液的性能時，蝕刻速度是主要考量因素。
2022-08-17 15:11:198544 PTFE管用途：可用于蝕刻搖擺機的搖擺架，PTFE也稱：可溶性聚四氟乙烯、特氟龍、Teflon 蝕刻機的簡單介紹： 1、采用傳動裝置，霧化噴淋，結(jié)構(gòu)合理；加工尺寸長度不限制，速度快、精度高
2022-12-19 17:05:50407 光學(xué)器件在飛行時間（ToF）深度傳感相機中起著關(guān)鍵作用，光學(xué)設(shè)計決定了最終系統(tǒng)及其性能的復(fù)雜性和可行性。3D ToF相機具有某些獨特的特性1這推動了特殊的光學(xué)要求。本文介紹了深度傳感光學(xué)系統(tǒng)架構(gòu)
2022-12-09 15:37:131160 
光學(xué)器件在飛行時間（ToF）深度傳感相機中起著關(guān)鍵作用，光學(xué)設(shè)計決定了最終系統(tǒng)及其性能的復(fù)雜性和可行性。3D ToF相機具有某些獨特的特性1這推動了特殊的光學(xué)要求。本文介紹了深度傳感光學(xué)系統(tǒng)架構(gòu)
2022-12-15 14:19:12931 金屬蝕刻是一種通過化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強度。
2023-03-20 12:23:433172 研究表明，半導(dǎo)體的物理特性會根據(jù)其結(jié)構(gòu)而變化，因此半導(dǎo)體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻成可調(diào)整其電氣和光學(xué)特性以及連接性的結(jié)構(gòu)。
2023-03-28 09:58:34251 
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 ）濃度，蝕刻時間為30秒和60秒。經(jīng)過一定量的蝕刻后，光學(xué)帶隙降低，這表明薄膜的結(jié)晶度質(zhì)量有所提高。利用OPAL 2模擬器研究了不同ZnO厚度對樣品光學(xué)性能的影響。與其他不同厚度的ZnO層相比，OPAL 2模擬表明，400nm的ZnO層在UV波長范圍內(nèi)具有最低的透射率。 晶體硅/黑硅
2024-02-02 17:56:45306 
光學(xué)諧振器的結(jié)構(gòu)和作用 光學(xué)諧振器是一種用于控制和加強光信號的設(shè)備。它通過在內(nèi)部產(chǎn)生共振現(xiàn)象來增加光的傳輸效率和增益，并且可以選擇性地傳輸或反射特定波長的光。光學(xué)諧振器在許多應(yīng)用中起著重要的作用
2024-02-02 11:34:45285
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