行業(yè)背景 隨著工業(yè)技術的不斷發(fā)展，物聯網作為新興生產力正在改變許多行業(yè)的工作方式。在半導體芯片行業(yè)，自動蝕刻機的物聯網應用正在助力企業(yè)達到監(jiān)控設備更加便利、故障運維更加高效、數據分析更加精準等等
2024-03-20 17:52:39
823 
AMCOM的AM08012041WN-00-R/AM08012041WN-SN-R是款寬帶GaN MMIC功率放大器。AM08012041WN-00-R/AM08012041WN-SN-R在7.5到
2024-03-15 09:36:37
：電阻器件的數據手冊中通常會說明其制造工藝和材料類型，通過查閱相關數據手冊可以進一步確認電阻是薄膜還是厚膜。
需要注意的是，有些電阻可能是混合型的，既有薄膜又有厚膜的特性，因此在判斷電阻類型時需綜合考慮多個因素。如果無法確定電阻的類型，可以咨詢相關技術人員或參考電阻器件的制造商的說明。
2024-03-07 07:49:07
電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）功率GaN的大規(guī)模應用，其實也只有六七年的歷史，從2018手機快速充電器上才正式吹響了普及的號角。目前，從晶體管來看，功率GaN主要的產品是HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-28 00:13:001844 ? 電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001551 
在半導體制造領域，我們經常聽到“薄膜制備技術”，“薄膜區(qū)”，“薄膜工藝”等詞匯，那么有厚膜嗎？答案是：有。
2024-02-25 09:47:42237 
蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術。使用射頻濺射設備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
薄膜電容，在電子設備中經常用到，是一種以金屬箔為電極，聚乙酯、聚丙烯等塑料薄膜作為電介質從電極的兩端開始重疊，卷繞成圓筒形狀的電容器，因此也稱為塑料薄膜電容。
2024-01-23 17:30:31330 薄膜電阻與 厚膜電阻的共同特征在于，通過在耐熱基板的表面，涂覆一層薄膜狀的電阻材料而形成的電阻元件。薄膜與厚膜最直觀的差異就是這層“膜”（導電層）的厚度。厚膜電阻膜的厚度可以是薄膜電阻的上千倍。
2024-01-18 09:55:43542 
過程中起著重要的作用。這種制造過程通常需要與埋著的SiGe薄膜接觸。與這些埋地區(qū)域接觸需要蝕刻硅并在薄薄的SiGe層中停止。 因此，為了實現精確的圖案轉移，我們需要一種可控蝕刻的方法。不幸的是，針對SiGe選擇性的RIE技術尚未被發(fā)現。幸運的是
2023-12-28 10:39:51131 
4H-SiC概述（生長、特性、應用）、Bulk及外延層缺陷、光致發(fā)光/拉曼光譜法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光學顯微鏡，TEM，SEM/散射光等表征方法。
2023-12-28 10:38:03486 
芯片晶圓里TaN薄膜是什么？TaN薄膜的性質、制備方法 TaN薄膜是一種在芯片晶圓制備過程中常用的材料。它具有高熔點、高硬度和良好的熱穩(wěn)定性，因此在芯片技術中應用廣泛。本文將對TaN薄膜的性質和制備
2023-12-19 11:48:16376 在微電子制造領域，光刻機和蝕刻機是兩種不可或缺的重要設備。它們在制造半導體芯片、集成電路等微小器件的過程中發(fā)揮著關鍵作用。然而，盡管它們在功能上有所相似，但在技術原理、應用場景等方面卻存在著明顯的區(qū)別。本文將對光刻機和蝕刻機的差異進行深入探討。
2023-12-16 11:00:09371 
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應用于高頻放大器和高壓功率開關中。就器件制造而言，GaN的相關材料，如AlGaN，憑借其物理和化學穩(wěn)定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294 
GaN和相關合金由于其優(yōu)異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優(yōu)化工藝過程相關的成熟材料是有源/無源射頻光電子器件近期發(fā)展的關鍵問題。專用于三元結構的干法蝕刻工藝特別重要，因為這種器件通常包括異質結構。因此，GaN基光電器件的制造部分或全部依賴于干法刻蝕。
2023-12-11 15:04:20188 
GaN 技術的過去和現在
2023-12-06 18:21:00432 
GaN 如何改變了市場
2023-12-06 17:10:56186 
按工藝要求排放出部分比重高的溶液經分析后補加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46286 氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場強、高熱導率、低導通和開關損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維GaN器件、高電子遷移率等特點，用于制造高頻、高功率密度和高效率的功率電子器件
2023-12-06 10:04:03350 
GaN是常用半導體材料中能隙最寬、臨界場最大、飽和速度最高的材料。
2023-12-06 09:28:15913 
GaN和InGaN基化合物半導體和其他III族氮化物已經成功地用于實現藍-綠光發(fā)光二極管和藍光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:22220 
GaN是否可靠？
2023-12-05 10:18:41169 
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關蝕刻已經被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結構。
2023-11-30 09:01:58166 
GaN基高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其高頻和低導通電阻的特性，近來在功率開關應用中引起了廣泛關注。二維電子氣（2DEG）是由AlGaN/GaN異質結中強烈的自發(fā)和壓電極化效應引起的，這導致傳統器件通常處于導通狀態(tài)，即耗盡模式。
2023-11-27 10:37:47293 
，雖然已經發(fā)現KOH基溶液可以蝕刻AlN和InAlN，但是之前還沒有發(fā)現能夠蝕刻高質量GaN的酸或堿溶液。在本文中，英思特通過使用乙二醇而不是水作為KOH和NaOH的溶劑，開發(fā)了一種將晶體表面蝕刻為III族氮化物的兩步法。
2023-11-24 14:10:30241 
蝕刻設備的結構及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側蝕度產生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側蝕度。這些添加劑的化學成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設備的結構問題，后面的章節(jié)將專門討論。
2023-11-14 15:23:10217 電子發(fā)燒友網站提供《玻璃基離子交換型和熔融拉錐型多模光分路器對比.doc》資料免費下載
2023-11-02 14:29:28
0 GaN近期為何這么火？如果再有人這么問你，你可以這樣回答：因為我們離不開電源。
2023-11-02 10:32:041265 
亞甲藍溶液測試儀是一種用于檢測密封性的重要工具，通過負壓法來評估容器或管道的密封性能。該儀器利用真空泵將亞甲藍溶液抽入測試室，然后將測試室密封，觀察測試室內的壓力變化情況來確定密封性能的好壞。本文將
2023-10-18 16:43:33
蝕刻液的化學成分的組成：蝕刻液的化學組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數可達3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達到幾乎沒有側蝕問題，蝕刻后的導線側壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結構，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現藍光發(fā)光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化學蝕刻來蝕刻或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32244 
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應晶體管(fet)能夠提供比傳統Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關GaN非常需要HEMT來降低功率并簡化電路和系統架構，這是GaN HEMT技術的主要挑戰(zhàn)之一。凹進的AlGaN/GaN結構是實現常關操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:11291 
腐蝕pcb板的溶液按抗蝕層類型與生產條件而選擇：有酸性氯化銅、堿性氯化銅、三氯化鐵、硫酸與過氧化氫、過硫酸鹽等多種。下面捷多邦小編和大家介紹一下腐蝕pcb板的溶液的一些知識。 三氯化鐵的蝕刻液是銅箔
2023-10-08 09:50:22735 GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺面結構，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30670 諸多應用難點，極高的開關速度容易引發(fā)振蕩，過電流和過電壓導致器件在高電壓場合下容易失效[2]。 GaN HEMT 的開通門限電壓和極限柵源電壓均明顯低于 MOS鄄FET，在橋式拓撲的應用中容易發(fā)生誤
2023-09-18 07:27:50
薄膜電阻和厚膜電阻的區(qū)別1.結構:-薄膜電阻:薄膜電阻是通過在絕緣基板上沉積金屬或合金薄膜形成的。常用的薄膜材料有鉑、鎳鉻合金等。薄膜通常具有光滑且均勻的厚度，形成電阻元件的形狀和尺寸是通過光刻
2023-09-15 11:07:402118 
工業(yè)上制備傳統塑料薄膜的主要方法有擠出吹塑法、擠出流延法（含雙向拉伸）、壓延法、溶液流延法等。其中高性能塑料薄膜的制備方法主要有擠出吹塑法、擠出流延法、溶液流延法等，前兩種方法是工業(yè)化大規(guī)模生產的首選方法，而溶液流延法因受環(huán)境保護等的限制，目前主要是實驗室研究制樣用。
2023-09-13 15:36:09767 
薄膜式鍵盤是一種常見的輸入設備，它由一層薄膜電路板和一層觸摸膜組成。薄膜電路板上印有導電圖案，而觸摸膜則具有與之對應的按鍵區(qū)域。
2023-09-07 18:22:15815 
要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
在消費類應用領域，由于快速充電器的快速增長，GaN 技術在 2020-2021 跨越了鴻溝，目前其他交直流應用場景中也采用了GaN? 帶有嵌入式驅動程序 / 控制器（MasterGaN、VIPerGaN）的系統封裝 (SiP) 由于集成簡單，將有助于更廣泛的使用
2023-09-07 07:20:19
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內層蝕刻工藝，可以參閱內層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅動器專為特定的GaN FET驅動要求而設計，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態(tài)抗擾度、一套集成式保護功能
2023-09-05 06:58:54
應用程序: 本樣本代碼使用 M031BT 來做藍牙電牙刷溶液 。
BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.05.000
硬件: nuvoton 核_M031BT 藍牙
2023-08-29 07:40:54
我們華林科納通過光學反射光譜半實時地原位監(jiān)測用有機堿性溶液的濕法蝕刻，以實現用于線波導的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結構產生的各向同性蝕刻導致表面
2023-08-22 16:06:56239 
半導體蝕刻設備是半導體製造過程中使用的設備。 化學溶液通過將晶片浸入化學溶液（蝕刻劑）中來選擇性地去除半導體晶片的特定層或區(qū)域，化學溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 PCB蝕刻工藝中的“水池效應”現象，通常發(fā)生在頂部，這種現象會導致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻質量。
2023-08-10 18:25:431013 產品簡介“只需輕輕一按，試驗會自動完成”是本儀器的操作特點。我公司HM203全自動水溶性酸測試儀（比色法）是根據中華人民共和國國家標準GB/T7598-2008運行中變壓器油水溶性酸
2023-07-25 09:41:41
蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個側壁鈍化機制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技術，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學性質非常有用，但是當存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053 
GaN和MOS與理想開關波形的對比
Class D應用中的關鍵拓撲是半橋逆變電路，通過半橋GaN器件的互補導通從而可以逆變輸出對應的交流信號。為驗證三安集成200V 20mΩ GaN EHEMT器件在逆
2023-06-25 15:59:21
GaN在單片功率集成電路中的工業(yè)應用日趨成熟
2023-06-25 10:19:10
GaN功率半導體與高頻生態(tài)系統(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導體集成驅動性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半導體器件集成提供應用性能
2023-06-21 13:20:16
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
GaN功率集成電路技術:過去，現在和未來
2023-06-21 07:19:58
低規(guī)格GaN快速充電器的脈沖ACF
2023-06-19 12:09:55
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率集成電路的進展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率集成電路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成電路可靠性的系統方法
2023-06-19 06:52:09
GaN技術實現快速充電系統
2023-06-19 06:20:57
標準1U CRPS (90mm × 30.5 mm × 11mm)。通過利用卓越的性能在GaN HEMT集成電路中，我們已經能夠將開關頻率推到600 kHz以上，同時保持97.5%的效率。當結合行業(yè)領先的圖騰柱PFC，峰值整個系統的效率達到80Plus制定的Titanium標準。
2023-06-16 11:01:43
器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業(yè)開發(fā)先進的工藝技術。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經成為小型化的重要加工技術。ALD是一種沉積技術，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應。ALE是一種蝕刻技術，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應。
2023-06-15 11:05:05526 
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設計（如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET )）預計將在互補金屬氧化物半導體技術中被采用。3D MOS架構為蝕刻應用帶來了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設備，通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優(yōu)化內部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結構的一種非常有用的技術。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數據，提出了一種預測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484918 蝕刻是微結構制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
而導致煙氣的酸露點升高。當排煙溫度低于煙氣酸露點溫度時，H2SO4蒸汽會黏貼在煙道和換熱器中形成H2SO4溶液，進而腐蝕設備，導致換熱器泄漏和煙道損壞。
S+O2 —— SO2
SO2+O2
2023-05-13 11:37:51
薄膜電容是一種常用的基礎的電子元件，一般出現在電子產品電路中，以塑料薄膜為介質，金屬箔或金屬化薄膜作為電極，
2023-05-04 18:08:44392 到目前為止我們已知的GaN有三種晶體結構，它們分別為纖鋅礦（Wurtzite）、閃鋅礦（Zincblende）和巖鹽礦（Rocksalt）。通常的情況下纖鋅礦是最穩(wěn)定的結構。目前學術上在薄膜的外延
2023-04-29 16:41:0012094 
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:212335 
薄膜按鍵都是“按鍵+薄膜”的基本結構，所以，按鍵的手感、特色等很大方面都取決于薄膜按鍵的設計?？紤]到開關觸點的分離和回彈的可靠性，薄膜的厚度一般選擇在為佳,過薄回彈無力，觸點分離不靈敏。薄膜按鍵
2023-04-21 11:02:191389 
的工藝流程如下： 鉆孔板→去毛刺→去鉆污→清潔調整處理→水洗→粗化→水洗→預浸→活化處理→水洗→加速處理→水洗→化學鍍銅→二級逆流漂洗→水洗→浸酸→電鍍銅加厚→水洗→干燥?！ ∮捎诨瘜W鍍銅溶液中的甲醛
2023-04-20 15:25:28
是否有關于 NXP GaN 放大器長期記憶的任何詳細信息。數據表說“專為低復雜性線性系統設計”。長期記憶是否不再是當前幾代 GaN 器件的關注點？這是整個產品堆棧嗎？
2023-04-17 06:12:19
反應離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導體工業(yè)中使用的互補金屬氧化物半導體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
，減少SO3的產生，可以JD煙氣的酸露點溫度。3.其它影響因素 煙氣中的水蒸氣濃度越大，產生H2SO4的機會越大，煙氣的酸露點就會越高。另外爐膛和煙道的負壓、爐體內的溫度分布不均勻、換熱器泄漏造成溫度
2023-04-06 11:21:09
經常定制薄膜開關和薄膜面板時候，對其步驟卻不甚了解，對此，雨菲跟大家分享薄膜開關和薄膜面板定制的步驟。
2023-03-29 17:02:451701 
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 BM02B-ACHLKS-GAN-ETF
2023-03-28 14:51:28
薄膜電阻應用于光通訊、 射頻微波毫米波通訊，如放大、耦合、衰減、濾波等模塊電路。電阻網絡應用于微波集成電路中，能夠縮小電路板空間，降低元器件成本。薄膜衰減器應用于光通訊、微波集成電路模塊，其
2023-03-28 14:19:17
大家好，隨著家電行業(yè)的快速發(fā)展，市場需求對于薄膜開關越來越嚴格，那么薄膜開關生產出來之后需要做哪些檢查呢？下面就嘗試寫給大家分享下吧： 1、先要知自己規(guī)劃的有用尺度，如正陽，反陽，正陰，反陰
2023-03-27 15:39:12
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
2023-03-27 14:36:14
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。
2023-03-27 10:17:49402 
電子發(fā)燒友App
工商網監(jiān)
評論