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老化測試提高了 SiC 和 GaN 的可靠性

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振動試驗 環(huán)境可靠性測試

服務(wù)內(nèi)容廣電計量是國內(nèi)振動試驗?zāi)芰^完善的權(quán)威檢測認(rèn)證服務(wù)機(jī)構(gòu)之一,配備了(1~35)噸不同推力的振動臺,可滿足不同尺寸、重量的樣品的振動測試需求。服務(wù)范圍本商品可提供針對家用電器、汽車零部件、線束
2023-09-21 16:52:00

功率器件可靠性試驗測試項目

龍騰半導(dǎo)體建有功率器件可靠性與應(yīng)用實驗中心,專注于產(chǎn)品設(shè)計驗證、參數(shù)檢測、可靠性驗證、失效分析及應(yīng)用評估,公司參考半導(dǎo)體行業(yè)可靠性試驗條件和抽樣原則,制定產(chǎn)品可靠性規(guī)范并依此對產(chǎn)品進(jìn)行完整可靠性驗證。
2023-09-20 16:29:21808

硬件IIC與軟件IIC在使用上的區(qū)別,對產(chǎn)品可靠性與效率的影響?

硬件IIC與軟件IIC在使用上的區(qū)別,對產(chǎn)品可靠性與效率的影響
2023-09-20 07:53:05

面向SiC MOSFET的STGAP2SICSN隔離式單通道柵極驅(qū)動

單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制,采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝,通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率,STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計、節(jié)省了空間,并增強(qiáng)了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制的穩(wěn)健可靠性。
2023-09-05 07:32:19

GaNSiC功率器件的特點 GaNSiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

 SiCGaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG),因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量:而在硅的情況下,該能量為1.1eV,SiC(碳化硅)為3.3eV,GaN(氮化鎵)為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓,在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431

SiC功率器件可靠性

功率器件可靠性
2023-08-07 14:51:532

可靠性證明測試:高度加速壽命測試

壽命測試是一種重要的可靠性測試方法,用于評估組件、子系統(tǒng)或系統(tǒng)在預(yù)期或指定的使用壽命條件下的性能和可靠性。壽命測試旨在模擬實際應(yīng)用環(huán)境中物品所面臨的各種因素和應(yīng)力,例如時間、溫度、振動、沖擊、電壓等,并通過持續(xù)的測試和監(jiān)測來觀察物品在這些條件下的行為。
2023-08-01 16:31:20505

600-650 V MDmesh DM9:快速恢復(fù)SJ功率MOSFET提高了效率和穩(wěn)健性

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600-650 V MDmesh DM9:快速恢復(fù)SJ功率MOSFET提高了效率和穩(wěn)健性.pdf》資料免費下載
2023-08-01 16:09:541

可與鋰電相媲美!全新質(zhì)子電池能量密度提高了3倍

皇家墨爾本理工大學(xué)(RMIT)的工程師們表示,他們已經(jīng)將廉價、可充電、可回收的質(zhì)子流電池的能量密度提高了三倍,現(xiàn)在可以挑戰(zhàn)市售鋰離子電池245Wh/kg的比能量密度。
2023-07-30 17:34:09243

聯(lián)訊儀器 | CoC老化系統(tǒng)

條件,對老化前后的激光器功率變化,閾值變化等進(jìn)行評估,將產(chǎn)品設(shè)計制造中的材料缺陷,加工缺陷等及早篩選出來,提高了進(jìn)入后端工序的產(chǎn)品的可靠性!聯(lián)訊儀器CoC老化聯(lián)訊儀
2023-07-20 00:00:00631

如何驗證 GaN可靠性

鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術(shù)之前,您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。
2023-07-13 15:34:27410

半導(dǎo)體可靠性測試有哪些

在半導(dǎo)體器件中,常見的一些加速因子為溫度、濕度、電壓和電流。 在大多數(shù)情況下,加速測試不改變故障的物理特性,但會轉(zhuǎn)移觀察時間。 加速條件和正常使用條件之間的轉(zhuǎn)移稱為“降額”。那么半導(dǎo)體可靠性測試有哪些?讓凱智通小編告訴你~
2023-07-13 14:47:182548

詳細(xì)的理解可靠性分配

總之,可靠性分配是一種有助于理解復(fù)雜系統(tǒng)可靠性的方法。通過將系統(tǒng)分解為更小的組件,并為每個組件分配可靠性指標(biāo),可以進(jìn)行更詳細(xì)和全面的可靠性分析,從而提高系統(tǒng)的可靠性和性能。
2023-07-11 10:48:01810

電子產(chǎn)品常規(guī)的可靠性測試項目有哪些?

電子產(chǎn)品可靠性測試是為了評估產(chǎn)品在規(guī)定的壽命期間內(nèi),在預(yù)期的使用、運輸或儲存等所有環(huán)境下,保持功能可靠性而進(jìn)行的活動。是將產(chǎn)品暴露在自然的或人工的環(huán)境條件下經(jīng)受其作用,以評價產(chǎn)品在實際使用、運輸
2023-07-04 14:30:441184

如何提高電子元器件可靠性?

到2030年,10類關(guān)鍵核心產(chǎn)品可靠性水平達(dá)到國際先進(jìn)水平,可靠性標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)作用充分彰顯,培育一批可靠性公共服務(wù)機(jī)構(gòu)和可靠性專業(yè)人才,我國制造業(yè)可靠性整體水平邁上新臺階,成為支撐制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的重要引擎。
2023-07-04 11:15:07472

車規(guī)級功率器件可靠性測試難點及應(yīng)用場景

車規(guī)級功率器件未來發(fā)展趨勢 材料方面: SiCGaN是必然趨勢,GaAs在細(xì)分領(lǐng)域有可能 ●封裝方面:高功率密度、高可靠性和定制化 ●評測方面:多應(yīng)力綜合測試方法、新型結(jié)溫測試方法和技術(shù) ●進(jìn)展方面:國產(chǎn)在趕超進(jìn)口(參數(shù)和性能),可靠性還需要時間沉淀
2023-07-04 10:48:05415

提高硬件可靠性的一般方法

。因此,硬件可靠性設(shè)計在保證元器件可靠性的基礎(chǔ)上,既要考慮單一控制單元的可靠性設(shè)計,更要考慮整個控制系統(tǒng)的可靠性設(shè)計。
2023-06-29 15:29:53698

單片GaN器件集成驅(qū)動功率轉(zhuǎn)換的效率/密度和可靠性分析

單片GaN器件集成驅(qū)動功率轉(zhuǎn)換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28

通過集成和應(yīng)用相關(guān)壓力測試GaN可靠性分析

通過集成和應(yīng)用相關(guān)壓力測試GaN可靠性
2023-06-21 06:02:18

GaNPower集成電路的可靠性測試及鑒定

GaNPower集成電路的可靠性測試與鑒定
2023-06-19 11:17:46

GaN功率集成電路的進(jìn)展分析

GaN功率集成電路的進(jìn)展:效率、可靠性和自主
2023-06-19 09:44:30

GaN功率集成電路的可靠性系統(tǒng)方法

GaN功率集成電路可靠性的系統(tǒng)方法
2023-06-19 06:52:09

基于GaN電源集成電路的超高效率、高功率密度140W PD3.1 AC-DC適配器

升壓從動器PFC通過調(diào)整來提高低線效率總線電壓新的SR VCC供電電路簡化了復(fù)雜和在高輸出電壓下顯著降低驅(qū)動損耗條件新型GaNGaN半橋功率ic降低開關(guān)損耗和循環(huán)能量,提高系統(tǒng)效率顯著提高了
2023-06-16 09:04:37

宏展 Lab Companion 可靠性雙85試驗

為溫度85℃,且濕度為85%的條件下,對試驗體進(jìn)行老化測試,也就是嚴(yán)酷的環(huán)境可靠性試驗,比較常用的測試時間為1000小時,主要檢驗產(chǎn)品在高溫高濕的惡劣環(huán)境下所能承
2023-06-12 16:52:50456

四大潛力應(yīng)用助力GaN市場騰飛,易用和可靠性是關(guān)鍵

近幾年碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體異?;馃幔瑖鴥?nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。據(jù)Yole Développement統(tǒng)計,2021全球GaN功率器件市場規(guī)模為1.26億美元,預(yù)計
2023-06-08 09:40:301692

軍用電子元器件二篩,進(jìn)口元器件可靠性篩選試驗

軍用電子元器件二篩,二次篩選試驗,進(jìn)口元器件可靠性篩選試驗 按性質(zhì)分類: (1)檢查篩選:顯微鏡檢查、紅外線非破壞檢查、X射線非破壞檢查。 (2)密封篩選:液浸檢漏、氦質(zhì)譜檢漏、放射示蹤檢漏
2023-06-08 09:17:22

如何提高芯片測試準(zhǔn)確性和可靠性老化

芯片測試治具是一種用于芯片測試的實驗室設(shè)備,可以實現(xiàn)芯片的功能測試、參數(shù)測試和性能測試,它可以幫助電子工程師驗證芯片的性能和可靠性,實現(xiàn)芯片的精確測試和優(yōu)化。
2023-05-30 15:26:25453

汽車零部件環(huán)境可靠性實驗室及電磁兼容EMC測試機(jī)構(gòu)

試驗,電壓暫降測試,騷擾功率試驗,電磁抗擾試驗室,射頻測試,電磁場輻射試驗,抗繞度試驗,電瞬態(tài)干擾試驗,插入損耗試驗等。 可靠性試驗/可靠性測試可靠性強(qiáng)化試驗,加速壽命試驗(halt),環(huán)境應(yīng)力篩選試驗(ess),可靠性驗收試驗,可靠性鑒定試驗,可靠性增長試驗。
2023-05-23 15:55:57

幾種常見的芯片可靠性測試方法

可靠性測試對于芯片的制造和設(shè)計過程至關(guān)重要。通過進(jìn)行全面而嚴(yán)格的可靠性測試,可以提前發(fā)現(xiàn)并解決潛在的設(shè)計缺陷、制造問題或環(huán)境敏感性,從而確保芯片在長期使用中的性能和可靠性。
2023-05-20 16:47:5211463

求分享MPC5200CVR400B和PCF8582C-2T/03可靠性數(shù)據(jù)

我想知道產(chǎn)品MPC5200CVR400B和PCF8582C-2T/03的MTBF或FIT值來做可靠性預(yù)測工作
2023-05-17 08:49:55

電源模塊老化測試的重要性

電源模塊作為現(xiàn)代科技賴以生存的電力來源,已經(jīng)成為最為關(guān)鍵的元件之一,電源的可靠性在很大程度上會影響到設(shè)備的可靠性,所以對電源進(jìn)行可靠性測試成了一切參數(shù)、性能保證的前提。在電源模塊出廠之前,需要進(jìn)行
2023-05-12 11:25:30695

影響硬件可靠性的因素和提高方法

。因此,硬件可靠性設(shè)計在保證元器件可靠性的基礎(chǔ)上,既要考慮單一控制單元的可靠性設(shè)計,更要考慮整個控制系統(tǒng)的可靠性設(shè)計。
2023-05-11 11:11:48587

電源模塊老化測試的重要性

電源模塊作為現(xiàn)代科技賴以生存的電力來源,已經(jīng)成為最為關(guān)鍵的元件之一,電源的可靠性在很大程度上會影響到設(shè)備的可靠性,所以對電源進(jìn)行可靠性測試成了一切參數(shù)、性能保證的前提。在電源模塊出廠之前,需要進(jìn)行
2023-04-25 16:12:44479

通過柔性和剛硬的PCB簡化裝配并提高可靠性

PCB的外殼中。可以將組件安裝到靈活的解決方案上,而不是將組件安裝到剛性PCB上,它們將與外形合適的外殼相符。此外,可以用加固基板加固柔性PCB的部分,以提高可靠性。最后,柔性印制電路板可提供最輕
2023-04-21 15:52:50

PCBA測試老化板的方法是什么?

PCBA測試老化板的方法是什么?
2023-04-14 15:22:57

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管

阻并提高可靠性。東芝實驗證實,與現(xiàn)有SiC MOSFET相比,這種設(shè)計結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1],可將導(dǎo)通電阻[2](RonA)降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能,降低功耗以及實現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18

PCB設(shè)計中的可靠性有哪些?如何提高PCB設(shè)計的可靠性呢?

  PCB設(shè)計中的可靠性有哪些?  實踐證明,即使電路原理圖設(shè)計正確,如果PCB設(shè)計不當(dāng),也會對電子設(shè)備的可靠性產(chǎn)生不利的影響。舉個簡單的例子,如果PCB兩條細(xì)平行線靠得很近的話,則會造成信號波形
2023-04-10 16:03:54

AEC---SiC MOSFET 高溫柵氧可靠性研究

摘要:碳化硅(SiC)由于其優(yōu)異的電學(xué)及熱學(xué)特性而成為一種很有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領(lǐng)域中使用,高溫柵氧的可靠性是大功率MOSFET中最應(yīng)注意
2023-04-04 10:12:34663

求分享BSS138PW/BSS84AKW,115可靠性數(shù)據(jù)

我想知道這些設(shè)備的可靠性數(shù)據(jù),例如 MTBF 和 FIT,BSS138PW BSS84AKW,115
2023-04-03 08:12:35

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13

SiCGaN的共源共柵解決方案

GaNSiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數(shù)以億計的此類設(shè)備,其中許多每天運行數(shù)小時,因此節(jié)省的能源將是巨大的。
2023-03-29 14:21:05296

如何提高硬件可靠性

。 因此,硬件可靠性設(shè)計在保證元器件可靠性的基礎(chǔ)上,既要考慮單一控制單元的可靠性設(shè)計,更要考慮整個控制系統(tǒng)的可靠性設(shè)計。
2023-03-27 17:01:30685

在哪里獲得PCA85073ADP/FS32K144HAT0MLHT可靠性測試報告?

嗨,我在哪里可以獲得以下芯片的可靠性測試報告?FS32K144HAT0MLHTPCA85073ADPTJA1044GT/3
2023-03-23 06:20:13

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