三星電子宣布，將從本月開始在全球率先量產(chǎn)30納米級4Gb(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32GB(byte)內(nèi)存模塊
2011-06-01 08:55:55
978 Micron近日宣布將推出2GB和4GB的DDR3-2133內(nèi)存芯片，采用30nm制造工藝，這種芯片能夠進(jìn)一步融入到SoC芯片和顯卡芯片中提供“超性能”的強(qiáng)悍表現(xiàn)
2012-06-13 10:11:341383 為了更好地管理各類DDR3內(nèi)存的特性，并提供一種簡便的、帶寬效率高的自動化方式來初始化和使用內(nèi)存，我們需要一款高效DDR3內(nèi)存控制器。
2021-02-09 10:08:0010211 
2、512Mb-2Gb LP DDR2，以及?LP DDR4x、LP DDR3、LP DDR、SDRAM，適用于需配備4Gb 或以下容量DRAM 的應(yīng)用，?如人工智能加速器、物聯(lián)網(wǎng)、汽車、工業(yè)用、電信、
2022-04-20 16:04:032554 
DDR內(nèi)存條經(jīng)歷了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條三個時代。這里給出了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條的對比分析。
2011-12-29 14:21:563149 DDR31.DDR3概述DDR3內(nèi)存控制器主要用于以JESD79-3C標(biāo)準(zhǔn)做SDRAM設(shè)備的外部存儲接口。支持的內(nèi)存類型有DDR1 SDRAM,SDRSDRAM, SBSRAM。DDR3內(nèi)存控制器
2018-01-18 22:04:33
使用microblaze處理器。我必須通過DDR3內(nèi)存發(fā)送一些固定值，如8位數(shù)據(jù)（X'FF'），即我將該數(shù)據(jù)寫入Genesys2 DDR3內(nèi)存并從內(nèi)存中讀出數(shù)據(jù)。我已經(jīng)通過Xilinx網(wǎng)絡(luò)設(shè)備視頻手冊
2019-05-05 15:29:38
我們知道DDR3內(nèi)存條，通常有個速率DDR3-800，DDR3-1066，DDR3-1333等，這個說明他們的最高工作頻率不能超過400MHz，533MHz。。。但還有一個最低工作頻率要求，請問在DDR3內(nèi)存條顆粒是那個指標(biāo)？為什么有這個要求？
2012-10-23 22:52:34
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動儲存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:53:43
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動儲存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-03-12 16:05:56
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動儲存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 22:58:49
概述: JS-9300A內(nèi)存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動儲存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測
2009-03-13 15:46:57
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動儲存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:50:27
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動儲存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:55:45
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動儲存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 23:00:19
和安全性大大提高?！ ? DDR3介紹 DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲器2個部分，都采用源同步時序，即選通信號（時鐘）不是獨立的時鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動芯片發(fā)送。它比 DR2有更高
2014-12-15 14:17:46
ARM SOC的上電復(fù)位，DDR3內(nèi)存的復(fù)位都是由ARM CPU控制的嗎？求大神解答
2022-08-03 14:15:16
轉(zhuǎn)載DDR3內(nèi)存詳解，存儲器結(jié)構(gòu)+時序+初始化過程2017-06-17 16:10:33a_chinese_man閱讀數(shù) 23423更多分類專欄：硬件開發(fā)基礎(chǔ)轉(zhuǎn)自：首先，我們先了解一下內(nèi)存的大體結(jié)構(gòu)工作流程，這樣會比較容量理解這些參數(shù)在其...
2021-07-27 07:10:34
通過
DDR3內(nèi)存名MT41J128M16-16Meg*16*8Banks通過命名怎樣算出
內(nèi)存的大?。?/div>
2017-06-15 21:19:11
CPU的DDR3總線只連了一片DDR3，也沒有復(fù)用總線將DDR3的CS直接拉到地的話，DDR3初始化不成功所以說DDR3的CS信號是通過沿采樣的嗎，電平采樣不行？無法理解啊還是有其他方面原因
2016-11-25 09:41:36
DDR3芯片讀寫控制及調(diào)試總結(jié)，1. 器件選型及原理圖設(shè)計（1） 由于是直接購買現(xiàn)成的開發(fā)板作為項目前期開發(fā)調(diào)試使用，故DDR3芯片已板載，其型號為MT41J256M16HA-125，美光公司生產(chǎn)的4Gb容量DDR3芯片。采...
2021-07-22 08:33:54
的不同。從某種角度講，DDR3是為了解決DDR2發(fā)展所面臨的限制而催生的產(chǎn)物?！ ?b class="flag-6" style="color: red">DDR2與DDR3的區(qū)別 針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上
2011-02-27 16:47:17
ddr3內(nèi)存顆粒編碼規(guī)則
2021-07-22 06:02:39
DDR3 SDRAM內(nèi)存的總線速率達(dá)到600 Mbps to 1.6 Gbps (300 to 800 MHz)，1.5V的低功耗工作電壓，采用90nm制程達(dá)到2Gbits的高密度。這個架構(gòu)毫無疑問
2019-04-22 07:00:08
本次發(fā)布 Gowin DDR3參考設(shè)計。Gowin DDR3 參考設(shè)計可在高云官網(wǎng)下載，參考設(shè)計可用于仿真，實例化加插用戶設(shè)計后的總綜合，總布局布線。
2022-10-08 08:00:34
我們參照TMDXEVM6678L開發(fā)板設(shè)計了一塊FPGA加DSP架構(gòu)的處理板，由FPGA完成6678的boot啟動任務(wù)。在進(jìn)行程序燒錄調(diào)試的過程中，出現(xiàn)了以下問題。未使用到DDR3內(nèi)存部分的簡單
2019-10-29 17:56:48
Achieving High Performance DDR3 Data Rates in Virtex-7 and Kintex-7 FPGAs。Xilinx官方DDR3資料。
2016-05-27 16:39:58
DDR3的頻率就是外頻的8倍 133=1066DDR2和DDR3的區(qū)別內(nèi)存相對于DDR2內(nèi)存，其實只是規(guī)格上的提高，并沒有真正的全面換代的新架構(gòu)。DDR3接觸針腳數(shù)目同。DDR2皆為240pin。但是
2014-12-30 14:35:58
DDR3的頻率就是外頻的8倍 133=1066DDR2和DDR3的區(qū)別內(nèi)存相對于DDR2內(nèi)存，其實只是規(guī)格上的提高，并沒有真正的全面換代的新架構(gòu)。DDR3接觸針腳數(shù)目同。DDR2皆為240pin。但是
2014-12-30 14:36:44
＆amp; 14用于DDR3內(nèi)存接口，但由于我使用的是3.3V的fash存儲器IC，我必須使用bank 14進(jìn)行閃存存儲器接口。原因是需要的資源僅在Bank 14中可用.DDR3存儲器連接的bank應(yīng)該工作在
2020-04-17 07:54:29
DDR4存儲器模塊面世，運(yùn)作電壓同樣在1.2V，同時宣布預(yù)計在2012年下半年開始大批量生產(chǎn)。此后的2012年5月，美光宣布將在2012年后期使用30nm制程生產(chǎn)DRAM及閃存顆粒。然而直到2014年
2022-10-26 16:37:40
仍不知道DDR3和DDR4這兩種規(guī)格的區(qū)別，以至于買回來的硬件并不兼容。下面和宏旺半導(dǎo)體一起來看一下DDR3和DDR4到底有哪些差別。DDR3是一種計算機(jī)內(nèi)存規(guī)格，它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品，提供
2019-07-25 14:08:13
我們就為你講解DDR2與DDR3的區(qū)別DDR3內(nèi)存相對于DDR2內(nèi)存，其實只是規(guī)格上的提高，并沒有真正的全面換代的新架構(gòu)。DDR3接觸針腳數(shù)目同DDR2皆為240pin。但是防呆的缺口位置不同。DDR3
2011-12-13 11:29:47
問下。像我們這種僅僅是使用內(nèi)存顆粒而非研發(fā)顆粒芯片的企業(yè)，真的有必要去配這么貴的示波器嗎？如果真的出現(xiàn)了這種問題，而我們手頭上又沒有相關(guān)設(shè)備，或者即便有設(shè)備也搞不定，向哪兒尋求技術(shù)支持呢？像DDR3這種
2017-10-26 09:54:13
嗨， 我想知道哪個DDR3內(nèi)存部件可以與Spartan-6配合使用。 SP601上的DDR2部件是aEDE1116AEBG，但在Digikey，Avnet或Farnell上不可用。無論如何我會
2019-05-21 06:16:43
請求。物理層接口前端連接至內(nèi)存控制器模塊，后端連接外部存儲設(shè)備，其主要功能是捕獲DDR3發(fā)出的數(shù)據(jù)，產(chǎn)生DDR3所需要的控制指令信號，并通過輸入輸出緩存發(fā)送所有DDR3的控制信號、地址信號以及數(shù)據(jù)信號
2018-08-02 09:34:58
大量收購現(xiàn)代DDR3長期回收現(xiàn)代ddr3，高價收購現(xiàn)代DDR3.大量求購現(xiàn)代DDR3.深圳帝歐專業(yè)電子回收，帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com
2021-10-13 19:12:25
大量收購現(xiàn)代DDR3長期回收現(xiàn)代ddr3，高價收購現(xiàn)代DDR3.大量求購現(xiàn)代DDR3.深圳帝歐專業(yè)電子回收，帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com
2021-10-13 19:18:05
，ddr3的帶寬利用率也只有20%-30%左右。這里就覺得比較糾結(jié)。burst length太大，frame buffer的輸出端當(dāng)要對輸入的視頻幀進(jìn)行截取一部分的時候會變相降低DDR3帶寬利用率，這樣
2015-08-27 14:47:57
大家好，我在DDR3規(guī)格中發(fā)現(xiàn)JEDEC79-3E定義VOH（DC）是DC輸出高測量級別（用于IV曲線線性）。但是沒有關(guān)于如何測量高輸出直流輸出的指南，特別是當(dāng)信號在高電壓時有環(huán)時，請參見附圖。誰能
2019-04-17 13:59:13
我正在使用vivado 2014.3，MIG 7 ddr3 verilog IP，內(nèi)存時鐘400MHz，用戶時鐘200 MHz，ddr數(shù)據(jù)寬度64位，AXI數(shù)據(jù)寬度128位。在我的系統(tǒng)中，我們有微型
2020-08-05 13:45:44
大家好，我做FPGA開發(fā)，需要用到大的內(nèi)存，ise12只有美光和現(xiàn)代的庫，我對美光內(nèi)存使用有如下疑惑：美光2G內(nèi)存位寬16位，速率可達(dá)200M，4G內(nèi)存怎么才8位，速率還慢，才125M~150MHz.這樣的話，用更多的內(nèi)存反而降低性能？
2013-06-22 21:46:08
程序中需要用malloc動態(tài)分配兩塊內(nèi)存，分別在LL2和DDR3上，請問用cmd動態(tài)分配的空間都是在.sysmem里面嗎？怎么在兩塊內(nèi)存中都動態(tài)分布內(nèi)存呢？
如果在cfg中開辟兩個heap的方式分別
2018-06-21 09:29:19
樹莓派3的內(nèi)存是不是DDR3的？
2016-03-26 16:00:58
DDR4和DDR3的區(qū)別在哪里？DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存相比，有哪些優(yōu)勢呢？
2021-06-18 08:58:23
威剛科技(A-DATA)推出最高速DDR3內(nèi)存模塊
威剛科技(A-DATA Technology)宣布推出最高速的XPG Plus系列DDR3-2200+ v2.0雙信道內(nèi)存模塊，針對最新的雙信道主機(jī)版
2009-08-03 07:58:021155 三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程N(yùn)AND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23533 臺灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3
2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實。據(jù)臺灣媒體報道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺系DRAM芯片
2010-01-18 09:25:13602 IDT推出DDR3內(nèi)存模塊高精度溫度傳感器
IDT公司推出首款針對DDR2和DDR3內(nèi)存模塊、固態(tài)硬盤和電腦主板市場的高精度溫度傳感器。新器件有助于企業(yè)、
2010-01-26 16:53:32646 三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國外媒體報道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:26701 Dell公布Latitude 13 超輕薄商務(wù)機(jī)
距離Adamo跳水降價沒多久，今天Dell又高調(diào)面向企業(yè)公布了Latitude 13超輕薄筆記本，它擁有13.3英寸LED背光屏幕，使用
2010-02-08 09:21:221010 鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片
鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱下一代30nm制程級別
2010-02-10 09:40:501091 三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:42779 三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā)，并采用30nm級工藝制造了首批樣品。
2011-01-05 09:23:451296 在今年的CES(國際消費電子展)上，微步公司也展出了新品，采用13.3英寸TFT液晶屏的微步WB-U3P-3523筆記本作為一款超輕薄機(jī)型
2011-02-15 17:55:521067 從那時起，采用DDR2、甚至最新的DDR3 SDRAM的新設(shè)計讓DDR SDRAM技術(shù)黯然失色。DDR內(nèi)存主要以IC或模塊的形式出現(xiàn)。如今，DDR4雛形初現(xiàn)。但是在我們利用這些新技術(shù)前，設(shè)計人員必須了解如何
2011-07-11 11:17:145033 
目前推出單條8GB DDR3內(nèi)存的廠商也逐漸增多，但低電壓版DDR3L規(guī)格的內(nèi)存還是首次現(xiàn)身：這款產(chǎn)品出自臺灣廠商Avexir(宇帷)之手，默認(rèn)頻率DDR3-1333。Avexir這款低電壓版8GB內(nèi)存屬于旗下Gre
2011-11-01 09:04:241077 內(nèi)存顆粒廠家提供的，DDR3內(nèi)存條電路圖。onboard內(nèi)存的板子可以參考。
2015-12-31 14:15:39
471 華芯半導(dǎo)體DDR3內(nèi)存顆粒 datasheet
2016-12-17 21:59:120 3月6日消息，LG Gram 系列超輕薄筆記本在京東正式開啟預(yù)約，分別發(fā)布了三個尺寸五款機(jī)型同時上架。
2017-03-13 14:59:231729 這段時間，DDR4內(nèi)存條價格持續(xù)處于高位，于是不少廠商和需求不高的用戶開始將目光轉(zhuǎn)向老一代的DDR3，畢竟無論是DDR3內(nèi)存本身還是相應(yīng)主板，都已經(jīng)十分廉價，組個入門機(jī)還挺合適。
2017-11-07 13:21:264014 雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項核心改變：
2017-11-08 15:42:2330895 MBA卷土重來，傳出可能瞄準(zhǔn)3萬元（1,000美元）以下的主流市場，與宏碁、華碩等PC大廠正面交鋒，掀起新一波超輕薄筆電的市場激戰(zhàn)。
2018-03-08 09:26:011350 國產(chǎn)紫光內(nèi)存DDR3顆粒的性能如何呢？值得入手嗎？為了解決大家的疑問，我們?yōu)榇蠹規(guī)砹俗瞎?b class="flag-6" style="color: red">DDR3 4GB*2 1600內(nèi)存的評測，幫助大家了解紫光內(nèi)存的真實性能。
2018-03-12 13:56:009783 
在CES2019大展上，羅技PEBBLE鵝卵石鼠標(biāo)發(fā)布，這是一款基于京東大數(shù)據(jù)精準(zhǔn)反饋，優(yōu)化升級為中國定制的產(chǎn)品，主打靜音及超輕薄。
2019-01-11 13:51:343609 目前輕薄本中常見兩種內(nèi)存，一種是LPDDR3，多出現(xiàn)在超輕薄筆記本中，不可更換；另一種是DDR4，常見于14英寸輕薄本或游戲本中，可更換。
2019-04-18 09:46:1343435 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。量產(chǎn)時間
2019-03-29 07:52:01215 DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲器2個部分，都采用源同步時序，即選通信號(時鐘)不是獨立的時鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率，最高可達(dá)1866Mbps；DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù)，明顯提高了存儲帶寬；其工作電壓為1.5V，保證相同頻率下功耗更低。
2019-06-25 15:49:231736 宏碁今天下午在德國召開Next@Acer新品發(fā)布會，推出超輕薄本Swift 5，即2019款蜂鳥5。
2019-09-05 14:46:005015 宏碁在德國召開Next@Acer新品發(fā)布會，推出超輕薄本Swift 5，即2019款蜂鳥5。
2019-09-05 10:16:512893 DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲器2個部分，都采用源同步時序，即選通信號（時鐘）不是獨立的時鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率，最高可達(dá)1866Mbps；DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù)，明顯提高了存儲帶寬；其工作電壓為1.5V，保證相同頻率下功耗更低。
2019-09-18 14:27:031304 
DDR3 SDRAM是DDR3的全稱，它針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計，與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢。
2019-10-29 08:00:000 大鵬之前研發(fā)的兩款超輕薄VR眼鏡目前即將和大家見面了，據(jù)了解已經(jīng)開始和國內(nèi)外的運(yùn)營商開始進(jìn)行配適了。
2020-06-01 16:18:30821 從成本的角度來看，DDR3也許的確要比DDR4低一些，所以從這個角度可以講通。
2020-09-08 16:28:234062 據(jù)悉，聯(lián)想近日公布了做工精巧的一款超輕薄Air5投影儀，支持1080P高清解碼，2600流明光源亮度。
2020-08-04 15:00:41572 2021年還在研發(fā)DDR3內(nèi)存？別急，雖然明年DDR3內(nèi)存已經(jīng)不是什么新東西了，DDR5都要上市了，但DDR3還不會被淘汰，而且兆易創(chuàng)新主要是用于利基市場，也就是消費電子產(chǎn)品，對內(nèi)存的性能、容量等要求不高。
2020-11-03 10:10:212341 DDR3內(nèi)存。 兆易創(chuàng)新在電話會議中透露，自研DRAM現(xiàn)在還在按照原計劃進(jìn)行，目前研發(fā)進(jìn)度跟預(yù)期基本一樣，預(yù)期明年上半年會有產(chǎn)品出來。 兆易創(chuàng)新表示，自研第一個產(chǎn)品會是DDR3， 4Gb，面向利基市場。 2021年還在研發(fā)DDR3內(nèi)存？別急，雖然明年DDR3內(nèi)存已經(jīng)不是什么新東
2020-11-03 11:13:592021 電源，用以延長數(shù)碼設(shè)備的續(xù)航時間。本期文章為大家分享一些超輕薄的移動電源品牌，可以對比參考下！ 1、Nank南卡無線移動電源POW2 Nank南卡移動電源POW2被稱為無線充電寶市場上的“無冕之王”究竟有多厲害呢？近期就有評測達(dá)人對
2020-12-14 18:33:331744 2 月 1 日消息，據(jù)國外媒體報道，業(yè)內(nèi)人士表示，2021 年，DDR3 內(nèi)存價格預(yù)計將上漲 40%-50%，高于業(yè)內(nèi)人士此前估計的 30% 增幅。 DDR3 是一種電腦內(nèi)存規(guī)格，它屬于 SDRAM
2021-02-01 18:00:332343 了，未來幾年被取代是水到渠成的，不過DDR3內(nèi)存反而可能熱了。 目前DDR3內(nèi)存主要用于一些低端、嵌入式領(lǐng)域，比如Wi-Fi路由等，它們不需要多高端、多大容量的內(nèi)存，相比DDR4便宜不少，可以降低成本。 目前三星、美光、SK海力士等公司已經(jīng)停產(chǎn)或者減少DDR3內(nèi)存產(chǎn)能，現(xiàn)在主要廠商是臺灣的
2021-02-02 11:27:393279 日前，世界著名硬件網(wǎng)站TomsHardware上有消息表示，多家大廠都在考慮停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)。DDR3內(nèi)存早在2007年就被引入，至今已長達(dá)15年，因為其不再泛用于主流平臺，即便退出市場也不會
2022-04-06 12:22:564679 摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101089 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003905 華碩官方宣布，作為全球第一款女性AI超輕薄本，a豆14 Air將在今晚20點正式發(fā)布。
2024-02-19 16:42:25457 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 10:16:450 
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