，并簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，合作內(nèi)容包含了基于某些客戶的需求，進行基于羅姆碳化硅芯片的功率半導(dǎo)體模塊，及對應(yīng)電機控制器的開發(fā)。本文即介紹臻驅(qū)對碳化硅功率模塊的開發(fā)、測試及系統(tǒng)評估。 Introduction 碳化硅功率半導(dǎo)體近年來在能源轉(zhuǎn)換
2020-11-24 11:51:47
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高性能電容器的領(lǐng)導(dǎo)者）開展合作，以提供緊湊且優(yōu)化集成的三相碳化硅（SiC）功率堆棧。該功率堆棧結(jié)合了CISSOID的1200V SiC智能功率模塊和Advanced Conversion的6組低ESR
2022-06-23 10:23:58570 
，使器件可工作在更高的開關(guān)頻率;同時，碳化硅材料更高的熱導(dǎo)率也有助于提升系統(tǒng)的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關(guān)速度快、損耗低等特性，使電力電子系統(tǒng)的效率和功率密度朝著更高的方向
2022-11-12 10:01:261315 高溫半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商CISSOID日前宣布：公司已與中國科學(xué)院電工研究所（簡稱中科院電工所）達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，將共同開展基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)研發(fā)項目，攻克技術(shù)難題，實現(xiàn)耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，推動碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。
2019-06-10 14:10:191342 電氣設(shè)計專家和SiC功率模塊設(shè)計專家。 ? 這也意味著理想正在籌備自研碳化硅功率模塊，未來或可能建立功率模塊封測產(chǎn)線。 ? 電動汽車時代，功率模塊和碳化硅地位越來越高 ? 電動汽車與燃油汽車的成本結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了很大差異，在電動汽車中，電池
2023-12-04 06:47:00820 碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點，被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊?！ 》至⑵骷ㄈ?TO-247）是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步，但對于更強大和更
2023-02-20 16:29:54
清華大學(xué)Labview教程教程PDF用書、分章節(jié)PPT講解、都有很全。{:4_96:}
2013-07-03 14:25:05
清華大學(xué)的Cadence教程
2012-08-20 19:18:16
清華大學(xué)的EMC教程
2012-08-08 22:00:38
轉(zhuǎn)帖：清華大學(xué)精彩資料解讀工業(yè)4.0與中國版本清華大學(xué)機械工程系關(guān)于工業(yè)4.0的資料分享，有關(guān)于工業(yè)4.0的系統(tǒng)科普。1 戰(zhàn)略背景2 解讀工業(yè) 4.03 工業(yè) 4.0 中國版4 啟示與發(fā)展5 總結(jié)6 分工7 參考文獻(xiàn)
2017-10-13 20:52:15
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 編輯
清華大學(xué)自動化系ARM培訓(xùn)教材
2012-08-14 13:29:43
電機學(xué)課件--清華大學(xué)專業(yè)課課件要看的自己下
2016-01-15 11:24:43
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱?，具有低的?dǎo)通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
作用下的界面完整性；此項目標(biāo)準(zhǔn)對碳化硅功率模塊而言很苛刻，尤其是應(yīng)用于汽車的模塊。AC/PCT（高溫蒸煮測試） 高溫蒸煮測試是把被測對象放進高溫高濕高氣壓的環(huán)境中，考驗晶片鈍化層的優(yōu)良程度及樹脂材料
2023-02-28 16:59:26
碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
和發(fā)電機繞組以及磁線圈中的高關(guān)斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
電子設(shè)備的能耗，因此碳化硅器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源器件”。各類電機系統(tǒng)在高壓應(yīng)用領(lǐng)域，使用碳化硅陶瓷基板的半導(dǎo)體碳化硅功率器件，功耗降低效果明顯，設(shè)備的發(fā)熱量大幅減少，同時可減少最高
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板；在引擎室中，由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求，現(xiàn)有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無線雷達(dá)偵測
2020-12-16 11:31:13
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán)，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點及優(yōu)勢 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導(dǎo)熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應(yīng)用場合。碳化硅(SiC)材料因其優(yōu)越的物理特性，開始受到人們的關(guān)注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學(xué)家Jns Jacob Berzelius發(fā)現(xiàn)以來，直到
2021-03-25 14:09:37
FPGA設(shè)計高級進階(清華大學(xué)電子工程系)
2012-08-16 20:35:02
FPGA設(shè)計高級進階(清華大學(xué)電子工程系)
2012-08-20 12:27:06
FPGA設(shè)計高級進階(清華大學(xué)電子工程系PPT)
2014-03-06 16:34:03
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
科技有限公司TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。最大功率附加效率為
2018-06-12 10:22:42
TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。功率附加效率為69.5%，這使
2018-11-15 11:59:01
通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求?！ ∠噍^于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品，基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅(qū)動技術(shù)研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
，從而能夠改善應(yīng)用終端的性能和效率，并且比碳化硅材料要好得多，因此，可以大規(guī)模生產(chǎn)?，F(xiàn)在，研究和開發(fā)人員正致力于收集有關(guān)的資料來驗證以上的結(jié)論。森勇介教授，日本大坂大學(xué)，在以上研究和開發(fā)活動中
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
系統(tǒng)能做得越小巧，則電動車的電池續(xù)航力越高。這是電動車廠商之所以對碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設(shè)備上攻城略地，氮化鎵組件則是在小型化電源應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域逐漸擴散，與碳化硅
2021-09-23 15:02:11
，在這些環(huán)境中，傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統(tǒng)和應(yīng)用的性能，包括飛機、車輛、通信設(shè)備和航天器。今天，SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來，預(yù)計多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
，獲得華大半導(dǎo)體有限公司投資，創(chuàng)能動力致力于開發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度，實現(xiàn)雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
和高性能的碳化硅 MOSFET之間，在某些場合性價比更優(yōu)于超結(jié)MOSFET和碳化硅MOSFET，可幫助客戶在性能和成本之間取得更好的平衡，具有重要的應(yīng)用價值，特別適用于對功率密度提升有需求，同時更強
2023-02-28 16:48:24
場效應(yīng)管（Si MOSFET）以前從未考慮過的應(yīng)用而變得更具有吸引力。 碳化硅MOSFET越來越多用于千瓦級功率水平應(yīng)用，涵蓋如通電源，和服務(wù)器電源，和快速增長的電動汽車電池充電器市場等領(lǐng)域。碳化硅
2023-03-14 14:05:02
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
和 1200V SiC 功率芯片集成在同一塊 DBC 板上，使半橋模塊面積僅為 TO-247 單管大小，極大地減小了驅(qū)動回路和功率回路的寄生電感參數(shù)。阿肯色大學(xué)則針對碳化硅芯片開發(fā)了相關(guān)的 SiC CMOS 驅(qū)動
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
一體的高科技企業(yè)，產(chǎn)品研發(fā)骨干來自北京清華大學(xué)和韓國延世大學(xué)，掌握碳化硅功率器件的核心技術(shù)。再加上薩科微總經(jīng)理宋仕強先生深耕華強北多年，深度了解華強北的商業(yè)模式，薩科微slkor的多年積累，為現(xiàn)階段快速
2023-02-21 09:24:40
的碳化硅功率器件?！ 《鳛檐囕d產(chǎn)品，且承擔(dān)的是充電這一功率變換部分，整車廠對于產(chǎn)品中元器件使用的要求，也相應(yīng)提高。為了更好的滿足這樣的要求提升，車規(guī)級器件則成了首選。泰科天潤作為中國碳化硅（SiC
2023-02-27 14:35:13
小于5ns； · 選用低傳輸延時，上升下降時間短的推挽芯片?！ 】傊啾扔诠鐸GBT，碳化硅MOSFET在提升系統(tǒng)效率、功率密度和工作溫度的同時，對于驅(qū)動器也提出了更高要求，為了讓碳化硅
2023-02-27 16:03:36
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司，技術(shù)骨干來自清華大學(xué)和韓國延世大學(xué)，掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件國際領(lǐng)先的工藝，和第五代超快恢復(fù)功率二極管技術(shù)。薩科微slkor（www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
公司等為代表。四、碳化硅半導(dǎo)體應(yīng)用碳化硅半導(dǎo)體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴(yán)苛的應(yīng)用?？蓮V泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。原作者：大年君愛好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
{:12:}誰有清華大學(xué)vhdl的電路設(shè)計的代碼PCB打樣找華強 http://www.hqpcb.com/3 樣板2天出貨
2012-10-09 23:10:36
IGBT 的三相電機半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級，并能夠監(jiān)控和保護各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅(qū)動器的優(yōu)勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動器IC
2022-11-02 12:02:05
高溫半導(dǎo)體供貨商 CISSOID 稍早前推出一款高電壓225℃碳化硅電源開關(guān) JUPITER ，據(jù)稱是首款以簡單0/5V邏輯電平無縫閘極控制的高溫碳化硅高電壓開關(guān)
2011-04-14 11:41:581237 清華大學(xué)（中國北京市）與知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市），于2013年5月24日在清華大學(xué)“清華-羅姆電子工程館”內(nèi)舉辦了“2013清華-羅姆國際產(chǎn)學(xué)連攜論壇（TRIFIA2013）”。
2013-05-27 18:05:23817 清華大學(xué)機電系的復(fù)試面試題目，主要是往年的回憶內(nèi)容。
2016-02-25 15:31:48
0 高溫與長壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID日前宣布：公司已與清華大學(xué)電機工程與應(yīng)用電子技術(shù)系（簡稱電機系）達(dá)成技術(shù)合作意向，雙方將攜手研發(fā)基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)，期望共同攻克技術(shù)難題以求實現(xiàn)其潛在的高效率和高功率密度等優(yōu)勢，并將大力支持在新能源汽車領(lǐng)域開展廣泛應(yīng)用。
2019-04-08 13:51:171392 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID，在2019年歐洲功率電子及智能傳動產(chǎn)品展覽會（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊
2019-05-16 09:10:563764 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布：公司已與中國科學(xué)院電工研究所（簡稱中科院電工所）達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，將共同開展基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)研發(fā)項目，攻克技術(shù)難題，實現(xiàn)耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，推動碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。
2019-06-11 14:50:593516 7月29日，基本半導(dǎo)體碳化硅功率模塊裝車測試發(fā)車儀式在深圳成功舉行，搭載自主研發(fā)碳化硅模塊的測試車輛正式啟程。
2021-07-30 15:55:331835 
基本半導(dǎo)體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動
2021-11-29 14:54:087839 
12月30日，基本半導(dǎo)體位于無錫市新吳區(qū)的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運行，首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國內(nèi)第一條汽車級碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線，采用先進碳化硅專用封裝工藝技術(shù)，打造
2021-12-31 10:55:432795 
為提升新能源汽車整體性能，全球各大車企紛紛將目光鎖定在碳化硅功率半導(dǎo)體。相較傳統(tǒng)硅基模塊，碳化硅功率模塊可大幅提升電機控制器的功率密度和效率，在降低電池成本、增加續(xù)航里程、縮短充電時間、減少整車重量等方面表現(xiàn)出了非凡的科技魅力，堪比功率半導(dǎo)體里的“學(xué)霸”。
2022-08-01 14:58:55908 碳化硅 (SiC) 具有提高電動汽車整體系統(tǒng)效率的潛力。在太陽能行業(yè)，碳化硅逆變器優(yōu)化在成本節(jié)約方面也發(fā)揮著很大的作用。在這個與俄亥俄州立大學(xué)電氣與計算機工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:351383 供應(yīng)商CISSOID S. A.（CISSOID）,與第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域先進的芯片設(shè)計、器件研發(fā)、模塊制造及系統(tǒng)應(yīng)用創(chuàng)新解決方案提供商重慶平創(chuàng)半導(dǎo)體研究院有限責(zé)任公司，今日共同宣布：雙方已建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將針對碳化硅等第三代功率半導(dǎo)體的應(yīng)用共同開展研發(fā)項目
2022-10-18 17:35:10617 基于進一步提升電驅(qū)動總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計了一款碳化硅三合一電驅(qū)動總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動電機的結(jié)構(gòu)設(shè)計方案,并詳細(xì)闡述了碳化硅三合一電驅(qū)動總成的冷卻系統(tǒng)設(shè)計方案。為了進一步
2022-12-21 14:02:33836 摘 要 基于進一步提升電驅(qū)動總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計了一款碳化硅三合一電驅(qū)動總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動電機的結(jié)構(gòu)設(shè)計方案,并詳細(xì)闡述了碳化硅三合一電驅(qū)動總成的冷卻系統(tǒng)設(shè)計方案
2022-12-21 14:05:031414 碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191191 汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體，碳化硅功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 電機碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制作電機的技術(shù)，它是利用碳化硅材料的特性，如高熱導(dǎo)率、高電阻率、低摩擦系數(shù)等，來提高電機的效率、耐久性和可靠性，從而降低電機的成本。
2023-02-16 17:54:004554 碳化硅模塊上車高濕測試 ? 2021年碳化硅很“熱”。比亞迪 半導(dǎo)體 、派恩杰、中車時代電氣、基本半導(dǎo)體等國內(nèi)碳化硅功率器件供應(yīng)商的產(chǎn)品批量應(yīng)用在汽車上，浙江金華、安徽合肥等地碳化硅項目開始
2023-02-21 09:26:452 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 汽車碳化硅模塊是一種用于汽車電力傳動系統(tǒng)的電子器件，由多個碳化硅芯片、散熱器、絕緣材料和連接件等組成。碳化硅芯片作為模塊的核心部件，采用現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)制造而成，可以實現(xiàn)高功率、高效率、高頻率的控制和開關(guān)，適用于電動車的逆變器、充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應(yīng)用。
2023-02-25 15:03:222180 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場，以及未來的發(fā)展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司（Shenzhen?SlkorMicroMicro?Semicon?Co.,Ltd），技術(shù)骨干來自清華大學(xué)和韓國延世大學(xué)，掌握第三代化合物半導(dǎo)體碳化硅功器件技術(shù)。薩科微產(chǎn)品
2023-07-01 13:55:20185 
當(dāng)前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立態(tài)勢，碳化硅材料七成以上來自美國公司，歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈，日本則在碳化硅芯片、模塊和應(yīng)用開發(fā)方面占據(jù)領(lǐng)先優(yōu)勢。
2023-08-15 10:07:41260 
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件，具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識。
2023-09-28 18:19:571219 碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體，用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
三菱電機今天宣布，將與安世半導(dǎo)體建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體。
2023-11-15 15:25:52473 
隨著科技的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進的電力電子設(shè)備，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機控制、電網(wǎng)保護等多個領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢。
2023-12-16 10:29:20359 的優(yōu)勢高頻率：碳化硅材料的電子遷移率比硅高，使得碳化硅功率器件能夠承受更高的開關(guān)頻率。這有助于減小無源元件的尺寸，提高系統(tǒng)的整體效率。低損耗：碳化硅的導(dǎo)通電阻比硅低，使得碳化硅功率器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗遠(yuǎn)低于硅器件。這有助于減小系統(tǒng)的散熱需求，提高設(shè)備的能效。高效率：碳化硅
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅二極管和碳化硅晶體管。由于其出色的性能，碳化硅功率器件在電動汽車、可再生能源系統(tǒng)、智能電網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
2024-01-09 09:26:49379 材料的生長和加工難度較大，其特色工藝模塊的研究和應(yīng)用成為了當(dāng)前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個方面： 注入摻雜 在碳化硅中，碳硅鍵能較高，雜質(zhì)原子難以在其中擴散。因此，在制備碳化硅器件時
2024-01-11 17:33:14292 
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