--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 峰值:P3dB 36w
- 典型脈沖 連續(xù)波性能
- 占空比 10%
- 輸出功率為P3dB 50w
- 排水效率 62%
--- 產(chǎn)品詳情 ---
描述
GTRA360502M有兩個GaN-on-SiC功率晶體管用于非對稱多赫蒂功率放大器。設備已經(jīng)設計好了用于通信基礎設施應用,從3400兆赫到3800 MHz。它的工作電壓高達50伏,并提供最大平均輸出功率為8瓦。
特性
GaN on SiC HEMT技術
不對稱的多爾蒂設計
—主:P3dB = 20w
—峰值:P3dB = 36w
典型脈沖連續(xù)波性能,3600mhz, 48v, 10 μs
帶寬,占空比10% (Doherty配置)
-輸出功率為P3dB = 50w
-排水效率= 62% @ 50w
人體模型1A類(根據(jù)ANSI/ESDA/JEDECJS-001)
無鉛,符合RoHS要求
低的熱阻
應用
蜂窩功率放大器
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