--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 輸出功率 350W;
- 排水效率 70 %;
- 增益 18 分貝
- 脈沖寬度 300 μs
- 占空比 10%
--- 產(chǎn)品詳情 ---
描述
GTVA123501FA 是一款 350 瓦 GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT),用于 1200 至 1400 MHz 頻段。它具有輸入匹配功能;高效率; 以及帶有無耳法蘭的熱增強型表面貼裝封裝。
特征
寬帶內(nèi)部輸入匹配;
典型的脈沖連續(xù)波性能;1200 – 1400 兆赫;50V;
輸出功率350W;
排水效率 70 %;
增益 18 分貝;
脈沖寬度 300 μs;
占空比 10%;
無鉛且符合 RoHS 標準
應用
L 波段雷達放大器
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