--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 最低頻率(MHz) 直流電
- 最大頻率(MHz) 4,000
- 增益(分貝) > 14
- 飽和度(dBm) 51
- 電壓(伏) 50
- Idq (毫安) 250
- 包裝類型 NI-360
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 TGF2819-FL 是一款峰值功率大于 200 W(平均 40 W)(P3dB) 的 SiC HEMT 分立式 GaN,工作頻率范圍為 DC 至 4.0 GHz。該器件采用 Qorvo 經(jīng)過驗證的 TQGaN25HV 工藝構(gòu)建,該工藝采用先進(jìn)的場板技術(shù),可在高漏極偏置工作條件下優(yōu)化功率和效率。就更少的放大器陣容和更低的熱管理成本而言,這種優(yōu)化可能會降低系統(tǒng)成本。
產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 4,000
增益(分貝) > 14
飽和度(dBm) 51
電壓(伏) 50
Idq (毫安) 250
包裝類型 NI-360
主要特征
頻率范圍:DC - 4 GHz
輸出功率 (P 3dB ) 1 : 257 W
線性增益1 : 18 dB
典型 PAE 3dB 1 : > 67.5%
工作電壓:50V
CW 和脈沖能力
注 1:@ 3 GHz 負(fù)載牽引
相關(guān)型號
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T2G6003028-FS
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TGF2023-2-02
TGF2023-2-05
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