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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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ZXGD3101N8 MOSFET 控制器

型號(hào)： ZXGD3101N8

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 是的
  • 合規(guī)性 標(biāo)準(zhǔn)
  • 電源電壓 V CC 5伏
  • 靜態(tài)電源電流 (mA 8毫安
  • 漏極電壓 V D 180伏
  • 操作模式 DCM CrCM CCM
  • 開關(guān)頻率 (kHz) ≤100 kHz
  • 比例柵極驅(qū)動(dòng)控制 是的
  • 開啟時(shí)間 T ON 500 納秒
  • 關(guān)斷閾值電壓 (mV -16毫伏
  • 關(guān)斷延遲時(shí)間 TOF 15納秒
  • 柵極源極電流 2.5安
  • 柵極灌電流 2.5安

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXGD3101N8 

 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXGD3101 指在驅(qū)動(dòng)配置為理想二極管替代品的 MOSFET。這些AC-DC 轉(zhuǎn)換器由差分放大器檢測(cè)器級(jí)和大電流驅(qū)動(dòng)器組成。檢測(cè)器監(jiān)控 MOSFET 的反向電壓，這樣如果體二極管發(fā)生導(dǎo)通，就會(huì)向 MOSFET 的柵極引腳施加正電壓。一旦將正電壓施加到柵極，MOSFET 就會(huì)導(dǎo)通，允許反向電流流動(dòng)。然后，檢測(cè)器的輸出電壓與 MOSFET 漏源反向壓降成正比，并通過(guò)驅(qū)動(dòng)器施加到柵極。此操作可在電流衰減時(shí)快速關(guān)斷。

 

產(chǎn)品規(guī)格
符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 是的
合規(guī)性（只有汽車支持 PPAP） 標(biāo)準(zhǔn)
電源電壓 V CC  (V) 5伏
靜態(tài)電源電流 (mA) 8毫安
漏極電壓 V D  (V) 180伏
操作模式 DCM CrCM CCM
開關(guān)頻率 (kHz) ≤100 kHz
比例柵極驅(qū)動(dòng)控制 (Y|N) 是的
開啟時(shí)間 T ON (ns) 500 納秒
關(guān)斷閾值電壓 (mV) -16毫伏
關(guān)斷延遲時(shí)間 TOFF (ns) 15納秒
柵極源極電流 I SOURCE (A) 2.5安
柵極灌電流 I SINK (A) 2.5安

 

主要特征
關(guān)斷傳播延遲15ns，關(guān)斷時(shí)間20ns。
適用于非連續(xù)模式（DCM），臨界
傳導(dǎo)模式（CrCM）和連續(xù)模式（CCM）活動(dòng)
符合Energy Star V2.0和歐洲標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行V3
無(wú)鹵素部件 5-15V Vcc范圍

 

相關(guān)型號(hào)
DRDC3105E6
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ZXGD3101N8
ZXGD3103N8
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ZXTC6720MC
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ZXTD4591E6
ZXTD617MC
ZXTD618MC
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ZXTD718MC
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