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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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ZXTD6717E6Q 低飽和晶體管

型號： ZXTD6717E6Q

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 類別 低飽和晶體管
  • 合規(guī)性 汽車
  • 極性 NPN+PNP
  • VCEO、VCES 15, 12
  • IC (A) 1.5, 1.25
  • ICM (A) 5, 3
  • PD (W) 1.1
  • hFE（最小值） 300
  • fT (兆赫) 180, 220
  • RCE(飽和) (m 135, 150

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXTD6717E6Q

 
產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXTD6717E6Q 這種新型組合器件包含一個互補的 NPN 和 PNP 低飽和晶體管，采用 SOT23-6 封裝。用戶受益于非常高效的性能，結(jié)合了高電流操作、極低的 V CE(SAT)和高 H FE，從而導致極低的導通狀態(tài)損耗。這種雙晶體管非常適合用于各種高效驅(qū)動功能，包括電機、燈、繼電器和螺線管，也有利于需要高輸出電流開關的電路。

 

產(chǎn)品規(guī)格
類別 低飽和晶體管
合規(guī)性（只有汽車支持 PPAP） 汽車
極性 NPN+PNP
VCEO、VCES (V) 15, 12
IC (A) 1.5, 1.25
ICM (A) 5, 3
PD (W)  1.1
hFE（最小值） 300
hFE (@IC) (A) 0.1
h FE（最小 2） 75
hFE (@ IC2) (A) 3, 2
VCE(sat) 最大值 (mV) 20. 40
VCE (SAT) (@IC/IB) (A/mA) 0.1/10
VCE(sat)（最大 2）（mV） 200, 215
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 1/10, 1/50
fT (兆赫) 180, 220
RCE(飽和) (mΩ) 135, 150

 

主要特征
在SOT26機組中Pd=1.1W
完全無鉛且完全符合RoHS（注1和2）
不含鹵素和銻?！熬G色”裝置（注3）
符合AEC-Q101高可靠性標準
PPAP能力（注4）
NPN晶體管
bvco>15伏
IC=1.5A連續(xù)集電極電流
低飽和電壓（1A時最大100mV）
RSAT=135米? @1.5A用于低等效導通電阻
PNP晶體管
bvco>-12V
IC=-1.25A連續(xù)集電極電流
低飽和電壓（-1A時最大-140mV）
RSAT=150米? @ 1.2A用于低等效導通電阻

 

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