--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號(hào) DMC21D1UDA
- 名稱 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺(tái)灣
- 封裝 X2-DFN0806-6
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMC21D1UDA 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMC21D1UDA
名稱 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 X2-DFN0806-6
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20, 20 V
|VGS| (±V) 8, 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.455, 0.328 A
PD @TA = +25°C (W) 0.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 990, 1900 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 1200, 2400 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1800, 3400 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1800, 3400 V
|VGS(TH)| Max (V) 1, 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.41, 0.4 nC
CISS Typ (pF) 31, 28.5 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10, 10 V
主要特征
低導(dǎo)通電阻
極低柵極閾值電壓,最大值 1.0V
低輸入電容
開關(guān)速度快
超小型表面貼裝封裝 0.8mm x 0.6mm
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