--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號(hào) DMN10H099SK3
- 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺(tái)灣
- 封裝 TO252
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN10H099SK3這款新一代互補(bǔ) MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)的特點(diǎn),使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN10H099SK3
名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 TO252
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 17 A
PD @TA = +25°C (W) 2.45 W
PD @TC = +25°C (W) 34 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 80 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 99 (@6V) mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 12.2 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 25.2 nC
CISS Typ (pF) 1172 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V
主要特征
低低RDS(ON)–確保最大限度地減少狀態(tài)損耗
小尺寸的熱效率封裝使密度最終產(chǎn)品
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