--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMN2022UNS
- 名稱 雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 POWERDI®3333-8
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2022UNS 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) ),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMN2022UNS
名稱 雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 POWERDI?3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.7 A
PD @TA = +25°C (W) 1.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10.8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 14.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 17 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 20.3 nC
CISS Typ (pF) 1870 pF
主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
互補(bǔ)對 MOSFET
ESD 保護(hù)高達(dá) 2kV
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