--- 產品參數 ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMN3061S
- 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
- 產地 臺灣
- 封裝 SOT23
--- 產品詳情 ---
產品簡介
DIODES 的 DMN3061S 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻(RDS(ON))同時保持優(yōu)異的開關性能,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。
產品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMN3061S
名稱 N 溝道增強型 MOSFET
產地 臺灣
封裝 SOT23
產品參數
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.3 A
PD @TA = +25°C (W) 1.23 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 59 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 98 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 196 (@3.3V) mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.8 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 2.9 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 5.5 nC
CISS Typ (pF) 233 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
低導通電阻
低輸入電容
開關速度快
低輸入/輸出泄漏
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