--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號(hào) DMN31D5UDA
- 名稱(chēng) 雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺(tái)灣
- 封裝 X2-DFN0806-6
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN31D5UDA 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))同時(shí)保持卓越的切換性能,使其成為理想之選,用于高效電源管理應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN31D5UDA
名稱(chēng) 雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 X2-DFN0806-6
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.4 A
PD @TA = +25°C (W) 0.37 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 1500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 2000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 3000 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.38 nC
CISS Typ (pF) 22.6 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
低導(dǎo)通電阻
極低的柵極閾值電壓
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
超小型表面貼裝封裝 0.8mm x 0.6mm
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