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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMP2075UFDB 20V 雙P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號： DMP2075UFDB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMP2075UFDB
  • 名稱 20V 雙 P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP2075UFDB  

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP2075UFDB 該MOSFET設(shè)計(jì)用于最小化導(dǎo)通電阻（RDS（on））同時保持卓越的切換性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMP2075UFDB
名稱                  20V 雙 P  溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  U-DFN2020-6


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.8 A
PD @TA = +25°C (W) 1.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 75 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 137 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.35 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 15 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 642 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
薄型，最大高度0.6mm
ESD保護(hù)門


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