--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMP3007SCGQ
- 名稱 30V P 溝道增強型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 V-DFN3333-8 (Type B)
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP3007SCGQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴格要求。它符合 AEC-Q101 標準并得到 PPAP 支持。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMP3007SCGQ
名稱 30V P 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 V-DFN3333-8 (Type B)
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 50 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 6.8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 13 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 31.2 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 64.2 nC
CISS Typ (pF) 2826 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
低 RDS(ON) – 確保導通狀態(tài)損耗最小化
小外形熱效率封裝可實現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%,從而實現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品
100% 非鉗位感應(yīng)開關(guān)(生產(chǎn)測試)——確保更高的可靠性
HBM ESD 保護等級典型值為 8kV
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