--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMP32D9UFZ
- 名稱 P 溝道增強型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 X2-DFN0606-3
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP32D9UFZ該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) ),同時保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMP32D9UFZ
名稱 P 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 X2-DFN0606-3
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.2 A
PD @TA = +25°C (W) 0.39 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 5000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 6000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 7000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.35 nC
CISS Typ (pF) 22.5 pF
主要特征
低封裝外形,最大封裝高度0.42mm
0.62mm x 0.62mm封裝外形
低導通電阻
極低柵極閾值電壓,最大-1.0V
ESD保護門
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