--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號(hào) DMTH10H010LCTB
- 名稱 100V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺(tái)灣
- 封裝 TO263AB (D2PAK)
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH10H010LCTB 這種新一代N溝道增強(qiáng)型MOSFET設(shè)計(jì)用于最小化RDS(ON),同時(shí)保持卓越的切換表演該設(shè)備是高效電源的理想選擇管理應(yīng)用程序。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMTH10H010LCTB
名稱 100V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 TO263AB (D2PAK)
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 100 A
PD @TA = +25°C (W) 3.9 W
PD @TC = +25°C (W) 125 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 9.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 17 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3.5 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 53.7 nC
CISS Typ (pF) 2592 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
額定溫度為+175°C——適用于高環(huán)境溫度環(huán)境
100%無(wú)阻尼感應(yīng)開(kāi)關(guān)——確保更可靠和穩(wěn)健的最終應(yīng)用
低RDS(ON)--最大限度地減少電源損耗
低Qg——最大限度地減少開(kāi)關(guān)損耗
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