--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號(hào) DMTH3004LK3Q
- 名稱 30V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺(tái)灣
- 封裝 TO252
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH3004LK3Q 該 MOSFET 旨在滿足汽車(chē)應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AECQ101 資格并得到 PPAP 支持。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMTH3004LK3Q
名稱 30V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 TO252
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20, 16 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 21 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 75 A
PD @TC = +25°C (W) 107 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 4 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 7 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 20 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 44 nC
CISS Typ (pF) 2370 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
高轉(zhuǎn)換效率
低 R DS(ON) – 最大限度地減少通態(tài)損耗
低輸入電容
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