--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DXT2011P5Q
- 名稱 100V NPN中功率 低飽和 晶體管
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 PowerDI®5
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡介
DIODES 的DXT2011P5Q這種雙極結(jié)型晶體管(BJT)設(shè)計(jì)用于滿足汽車應(yīng)用的要求。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DXT2011P5Q
名稱 100V NPN中功率 低飽和 晶體管
產(chǎn)地 臺灣
封裝 PowerDI?5
產(chǎn)品參數(shù)
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 100
IC (A) 6
ICM (A) 10
PD (W) 3.2
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 2
hFE(Min 2) 30
hFE (@ IC2) (A) 5
VCE(sat) Max (mV) 65
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 1/100
VCE(sat) (Max.2) (mV) 125
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/100
fT (MHz) 130
主要特征
BVCEO > 100V
IC = 6A 高連續(xù)集電極電流
ICM = 10A 峰值集電極電流
PD高達(dá)3.2W
比SOT223小43%;比 TO252 小 60%
最大高度僅為1.1mm
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