--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DXTN10060DFJBWQ
- 名稱 60V NPN 低飽和 晶體管
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 W-DFN2020-3
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡介
DIODES 的DXTN10060DFJBWQ這款采用先進的工藝能力來最大限度地提高這款 60V、NPN 晶體管的性能。W-DFN2020-3/SWP(A 型)封裝外形更小,降額高達 +175°C,可為功率密度至關(guān)重要的應(yīng)用提供更高的耗散。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DXTN10060DFJBWQ
名稱 60V NPN 低飽和 晶體管
產(chǎn)地 臺灣
封裝 W-DFN2020-3
產(chǎn)品參數(shù)
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 60
IC (A) 4
ICM (A) 6
PD (W) 1.8
hFE (Min) 340
hFE (@ IC) (A) 0.2
hFE(Min 2) 140
hFE (@ IC2) (A) 2
VCE(sat) Max (mV) 20
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/10
VCE(sat) (Max.2) (mV) 200
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/50
fT (MHz) 125
RCE(sat) (mΩ) 60
主要特征
BVCEO > 60V
IC = 4A 連續(xù)集電極電流
低飽和電壓(最大 100mV @1A)
RSAT = 60mΩ,可實現(xiàn)低等效導通電阻
hFE 指定高達 6A,可實現(xiàn)高電流增益保持
更嚴格的增益規(guī)格
適用于薄型應(yīng)用的薄型 0.62mm 高封裝
AOI 中可濕性側(cè)面的側(cè)壁鍍錫
RθJA 效率比 SOT23 低 60%
4mm2 占地面積,比 SOT23 小 50%
額定溫度 +175°C – 高溫環(huán)境的理想選擇
相關(guān)型號
DSS60600MZ4Q
DSS60601MZ4Q
DXT2011P5Q
DXT5551P5Q
DXT651Q
DXT751Q
DXTC3C100PDQ
DXTN10060DFJBQ
DXTN10060DFJBWQ
DXTN3C100PDQ
DXTN3C100PSQ
DXTN3C60PSQ
DXTP03200BP5Q
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DXTP3C100PDQ
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DZT5551Q
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