--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 廠家 Sumitomo
- 型號 TC1106
- 名稱 砷化鎵HEMT
- 產(chǎn)地 日本
- 封裝 Chip
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號簡介
Sumitomo的TC1106是GaAs偽晶高電子遷移率晶體管(PHEMT)芯片具有非常低的噪聲系數(shù)和高的相關(guān)增益。該設(shè)備最多可用于50個電路GHz,適用于低噪聲應(yīng)用。所有設(shè)備都經(jīng)過100%直流測試,以確保質(zhì)量一致。所有焊盤鍍金,用于熱壓或熱聲波引線接合。
型號規(guī)格
廠家 Sumitomo
型號 TC1106
名稱 砷化鎵HEMT
產(chǎn)地 日本
封裝 Chip
型號參數(shù)
低噪聲系數(shù):NF=0.35 dB典型頻率為12 GHz
高相關(guān)增益:Ga=14.5 dB,典型頻率為12 GHz
LLg=0.15μm,Wg=160μm
全金金屬化,實現(xiàn)高可靠性
嚴密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
1100%直流測試
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