--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型號 FLM1011-3F
- 名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管
- 產(chǎn)地 日本
- 封裝 IA
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號簡介
Sumitomo的FLM1011-3F是一種功率GaAs FET,內(nèi)部匹配標準通信頻帶,以在50歐姆系統(tǒng)。Eudyna嚴格的質(zhì)量保證計劃確??煽啃院鸵恢碌男阅堋?/p>
型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 FLM1011-3F
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管
產(chǎn)地 日本
封裝 IA
型號參數(shù)
高輸出功率:P1dB b35.0dBm(型號)
高增益:G1dB B7.5dB(類型)
高PAE:η加p29%(類型)
低IM3=-46dbc@po=24.0dBm
寬帶:10.7至11.7GHz
阻抗匹配鋅/鹽,50?
密封
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