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標(biāo)簽 > 功率mosfet
功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
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MAX5981支持IEEE 802.3at標(biāo)準(zhǔn)的功率MOSFET
MAX5981為用電設(shè)備(PD)提供完整的接口電路,符合以太網(wǎng)供電(PoE)系統(tǒng)IEEE? 802.3af/at標(biāo)準(zhǔn)。MAX5981還提供電源就緒(PG...
2011-08-03 標(biāo)簽:功率MOSFETMAX5981IEEE 802.3at 1221 0
瑞薩電子公司宣布開發(fā)面向消費(fèi)類產(chǎn)品(如無線電動(dòng)工具和電動(dòng)自行車)中電機(jī)驅(qū)動(dòng)的100A大電流功率MOSFET,
2011-07-29 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率MOSFET瑞薩電子 2118 0
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用...
意法半導(dǎo)體推出航天級(jí)功率MOSFET晶體管
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST) 推出首款完全符合衛(wèi)星和運(yùn)載火箭電子子系統(tǒng)質(zhì)量要求的功率系列產(chǎn)品。全新抗輻射功率MOSFET...
2011-06-15 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體晶體管功率MOSFET 1352 0
Vishay發(fā)布TrenchFET功率MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率...
瑞薩電子推出新型高壓功率MOSFET產(chǎn)品RJK60S5DPK
瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡稱瑞薩電子)推出用于電源器件的新型高壓、N通道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)產(chǎn)品。新產(chǎn)品名為RJK60S5DPK
2011-03-21 標(biāo)簽:功率MOSFET瑞薩電子RJK60S5DPK 1130 0
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA923EDJ
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923ED...
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA427DJ
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器...
功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn),因而非常適合用作開關(guān)電源的整流組件
2011-01-13 標(biāo)簽:功率MOSFET 1702 0
內(nèi)置功率MOSFET的通用半橋驅(qū)動(dòng)器NJW4800
新日本無線現(xiàn)已開發(fā)完成了內(nèi)置有30V耐圧、4A輸出功率MOSFET的通用半橋驅(qū)動(dòng)器NJW4800,并已經(jīng)開始投入生產(chǎn)了。該產(chǎn)品
2010-12-24 標(biāo)簽:功率MOSFET 1322 0
本文不準(zhǔn)備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以
2010-12-06 標(biāo)簽:功率MOSFET 1228 0
新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiH
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,...
2010-11-09 標(biāo)簽:功率MOSFET 1734 0
硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的發(fā)展
擁有30年發(fā)展史的硅功率MOSFET 功率MOSFET作為雙極晶體管的替代品最早出現(xiàn)于1976年。與那些少數(shù)載流子器件
2010-09-30 標(biāo)簽:功率MOSFET 916 1
飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議 全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌...
2010-04-26 標(biāo)簽:功率MOSFET 642 0
基于功率MOSFET設(shè)計(jì)考量 用作功率開關(guān)的MOSFET 隨著數(shù)十年來器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化,功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘?..
2010-04-24 標(biāo)簽:功率MOSFET 1319 0
功率MOSFET并聯(lián)均流問題研究 對(duì)頻率為MHz級(jí)情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問題進(jìn)行了研究,詳細(xì)分析了影響功率MOSFET并聯(lián)均流諸因素。通過Q軌...
2009-06-30 標(biāo)簽:功率MOSFET 3615 0
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