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71M6533,71M6534第三代多相表SoC

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何以在第三代半導(dǎo)體技術(shù)中遙遙領(lǐng)先?

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第一代、第二代和第三代半導(dǎo)體知識科普

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芯干線獲戰(zhàn)略投資,系第三代半導(dǎo)體企業(yè)

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71M6534H-IGTR/F - (Maxim Integrated) - PMIC - 能量計量

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2023-08-22 18:41:52

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2023-08-22 18:41:22

硅化物、氮化物與鈣鈦礦:第三代半導(dǎo)體的四大分類與應(yīng)用探索

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2023-08-21 09:33:071580

什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析

第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在材料特征研究,本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:54915

到底什么是第三代半導(dǎo)體

半導(dǎo)體
學(xué)習(xí)電子知識發(fā)布于 2023-07-26 21:18:58

C3M0350120D是一款芯片

應(yīng)用,例如 UPS、電機控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù),各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能
2023-07-24 16:57:30

C3M0350120J是一款芯片

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2023-07-24 16:55:28

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2023-07-24 16:49:27

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2023-07-24 16:43:13

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2023-07-24 16:40:49

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2023-07-24 16:38:50

E3M0160120K是一款芯片

且防潮的 MOSFET,擴大了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。它采用 Wolfspeed 的第三代堅固耐用技術(shù),提供業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。E 系列 MO
2023-07-24 16:35:49

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應(yīng)用,例如 UPS、電機控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等?;?b class="flag-6" style="color: red">第三代技術(shù),各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠為
2023-07-24 16:28:29

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2023-07-24 16:24:37

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2023-07-24 16:22:11

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2023-07-24 16:12:50

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且防潮的 MOSFET,擴大了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。它采用 Wolfspeed 的第三代堅固耐用技術(shù),提供業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。E 系列 MO
2023-07-24 16:09:04

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且防潮的 MOSFET,擴大了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。它采用 Wolfspeed 的第三代堅固耐用技術(shù),提供業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。E 系列 MOS
2023-07-24 16:05:58

C3M0075120K-A是一款芯片

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2023-07-24 16:03:38

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2023-07-24 16:01:35

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2023-07-24 15:57:23

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2023-07-24 15:53:34

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2023-07-24 15:50:45

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2023-07-24 15:43:39

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2023-07-24 15:41:28

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2023-07-24 15:39:15

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2023-07-24 15:29:28

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2023-07-24 15:24:14

C2M0025120D是一款芯片

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2023-07-24 15:15:52

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2023-07-24 14:41:44

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2023-07-24 14:36:36

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2023-07-24 14:33:12

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2023-07-24 14:17:12

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2023-07-24 14:11:45

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2023-07-24 14:03:33

E3M0120090J是一款芯片

且防潮的 MOSFET,擴大了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。它采用 Wolfspeed 的第三代堅固耐用技術(shù),提供業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。E 系列 MOS
2023-07-24 13:39:06

C3M0120065K是一款芯片

650 V、120 mΩ、22 A、TO-247-4 封裝、第 3 分立 SiC MOSFETWolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET 擴展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)領(lǐng)先地位
2023-07-24 11:42:29

C3M0120065J是一款芯片

650 V、120 mΩ、21 A、TO-263-7 封裝、第 3 分立 SiC MOSFETWolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET 擴展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)領(lǐng)先地位
2023-07-24 11:36:33

C3M0120065D是一款芯片

650V、120mΩ、22A、TO-247-3 封裝、第 3 分立式 SiC MOSFETWolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET 擴展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)領(lǐng)先地位,在
2023-07-24 11:30:39

零碳故事丨新能源“東風(fēng)”下的第三代半導(dǎo)體

來源:內(nèi)容轉(zhuǎn)自公眾號21tech(News-21),作者:李強。于代輝英飛凌科技高級副總裁英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部大中華區(qū)負責(zé)人減碳趨勢下的節(jié)能、高效需求同樣給第三代半導(dǎo)體的登場搭好了舞臺。過去
2023-07-06 10:07:54367

鑫祥微第三代半導(dǎo)體功率器件項目落戶日照

據(jù)藍色空港消息,先進半導(dǎo)體制造項目主要從事第三代半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計、研發(fā)、制造、功率器件clip先進工程包裝、電力驅(qū)動產(chǎn)品應(yīng)用方案的開發(fā)和銷售。該項目總投資8億元,分三期建設(shè),一期投資2億元,計劃建設(shè)6條clip先進包裝生產(chǎn)線。
2023-06-27 10:31:18602

如果用_at_指向了外部NOR FLASH地址,在download M453碼時,是否此數(shù)據(jù)會d?

如果用_at_指向了外部NOR FLASH地址,在download M453碼時,是否此數(shù)據(jù)會d
2023-06-27 07:49:27

第三代半導(dǎo)體:在智能電網(wǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用前景展望

近年來,隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和計算機應(yīng)用范圍的不斷擴大,半導(dǎo)體技術(shù)變得愈加重要。在半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展歷程中,第三代半導(dǎo)體技術(shù)的出現(xiàn)為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展帶來了新的變革。
2023-06-20 16:55:22611

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心:著力打造一流的產(chǎn)業(yè)發(fā)展生態(tài)

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(以下簡稱“國創(chuàng)中心”)獲批建設(shè)兩年以來,瞄準國家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求,以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命,進一步推動我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,形成立足長三角、輻射全國的技術(shù)融合點和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的輻射源。
2023-06-19 14:55:451660

第三代半導(dǎo)體應(yīng)用市場面臨三大痛點,威邁斯IPO上市加速突圍

當(dāng)前,第三代半導(dǎo)體中的碳化硅功率器件,在導(dǎo)通電阻、阻斷電壓和結(jié)電容方面,顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件。因此,碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢。面對當(dāng)前行業(yè)發(fā)展新趨勢,威邁斯等新能源汽車
2023-06-15 14:22:38357

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)步入快速增長期

  日前,2023中關(guān)村論壇“北京(國際)第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇”上,科技部黨組成員、副部長相里斌表示,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體具有優(yōu)異的性能,在信息通信、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車等領(lǐng)域有巨大的市場。
2023-06-15 11:14:08313

國星光電第三代半導(dǎo)體看點盡在《GaN的SIP封裝及其應(yīng)用》

為期四天的2023廣州國際照明展覽會(簡稱:光亞展)在火熱的氣氛中圓滿落幕。此次展會,國星光電設(shè)置了高品質(zhì)白光LED及第三代半導(dǎo)體兩大展區(qū),鮮明的主題,引來了行業(yè)的高度關(guān)注。 其中,在第三代半導(dǎo)體
2023-06-14 10:02:14437

使用新的計算引擎(CE)代碼圖像編譯儀表代碼

71M6531/71M6532 和 71M6533/71M653471M6541/71M6542/71M6543 系列電能計量 IC 設(shè)計用于計算引擎 (CE) 代碼,可適應(yīng)手頭的應(yīng)用。 在某些情況下,Maxim需要并提供特殊的CE代碼,以支持不同的傳感器類型或功能,如濾波或諧波分析。
2023-06-13 14:50:57669

后摩爾時代,洞見第三代功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測試的趨勢和未來!

2022年,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)連續(xù)高增長,進入調(diào)整周期。與此形成對比,在新能源汽車、光伏、儲能等需求帶動下,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展,全球化供應(yīng)鏈體系正在形成,競爭格局逐步確立,產(chǎn)業(yè)步入快速
2023-05-30 14:15:56534

后摩爾時代,洞見第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試的趨勢和未來!

前言 ??????? 2022年,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終結(jié)連續(xù)高增長,進入調(diào)整周期。與此形成對比,在新能源汽車、光伏、儲能等需求帶動下,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展,全球化供應(yīng)鏈體系正在形成,競爭格局逐步
2023-05-30 09:40:59568

開關(guān)電源設(shè)計優(yōu)質(zhì)選擇 Vishay威世科技第三代650V SiC二極管

Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點

所謂第三代半導(dǎo)體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料,又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AIN)、氧化鋅(ZnO)和金剛石等,其中
2023-05-18 10:57:361018

第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料

第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442614

IKW15N120H3

1200V高速開關(guān)系列第三代
2023-03-28 14:59:26

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