更高系統(tǒng)效率和功率密度，是現(xiàn)今數(shù)據(jù)和電信電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的首要目標(biāo)。為達(dá)此一目的，半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)商研發(fā)出采用柵極屏蔽結(jié)構(gòu)的新一代溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體（MOSFET），可顯著降低全負(fù)載及輕負(fù)載
2014-03-25 11:07:15
3711 
DC/DC開(kāi)關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以?xún)?nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種情況會(huì)變得更加復(fù)雜。
2022-08-22 14:15:071229 DC-DC升壓芯片,輸入電壓0.65v/1.5v/1.8v/2v/2.5v/2.7v/3v/3.3v/3.6v/5v/12v/24v航譽(yù)微HUB628是一款超小封裝高效率、直流升壓穩(wěn)壓電路。輸入電壓
2020-12-27 11:25:18
（Fairchild典型的開(kāi)關(guān)控制器），電感的一端是連接到DC輸出電壓。另一端通過(guò)開(kāi)關(guān)頻率切換連接到輸入電壓或GND。在狀態(tài)1過(guò)程中，電感會(huì)通過(guò)（高邊“high-side”）MOSFET連接到輸入電壓。在狀態(tài)
2015-05-17 18:25:47
本帖最后由 zhupinchao899 于 2020-4-3 09:26 編輯
YJ2220是一款體積小，效率高的升壓型DC-DC調(diào)整器，輸出電壓可通過(guò)兩個(gè)外部電阻來(lái)設(shè)定，固定開(kāi)關(guān)頻率1.4MHZ,帶載調(diào)整能力強(qiáng)。
2020-04-01 20:46:18
描述DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器DC to DC轉(zhuǎn)換器在電子發(fā)燒友中頗受歡迎，并在業(yè)界廣泛使用。非隔離式直流到直流轉(zhuǎn)換器主要分為三種類(lèi)型：降壓型、升壓型和降壓-升壓型。在本文/視頻中，我使用了著名
2022-07-26 07:56:08
我使用DC-DC直流升壓模塊，將DC4V供電升壓為DC12V，為用電設(shè)備供電。
當(dāng)單獨(dú)提供DC4V，為升壓模塊供電時(shí)（不接用電設(shè)備），電壓4V，平均電流1mA，24小時(shí)平均功耗約為22.9mAH
2023-09-14 15:40:24
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 編輯
N溝道MOSFET PowerTrench??[N-Channel PowerTrench?? MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23:44
2.92A后，MOSFET的傳導(dǎo)損耗更大。不過(guò)，圖4中的直流傳導(dǎo)損耗比較不適用于大部分應(yīng)用。同時(shí)，圖5中顯示了傳導(dǎo)損耗在CCM (連續(xù)電流模式)、升壓PFC電路，125℃的結(jié)溫以及85V的交流輸入電壓Vac
2018-08-27 20:50:45
MOSFET柵極電路常見(jiàn)的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動(dòng)方式
2021-03-29 07:29:27
應(yīng)用。同時(shí)，圖5中顯示了傳導(dǎo)損耗在CCM (連續(xù)電流模式)、升壓PFC電路，125℃的結(jié)溫以及85V的交流輸入電壓Vac和400 Vdc直流輸出電壓的工作模式下的比較曲線。圖中，MOSFET-IGBT的曲線
2021-06-16 09:21:55
會(huì)測(cè)量測(cè)試電流在二極管上恢復(fù)的Eon損耗。 在硬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通的情況下，柵極驅(qū)動(dòng)電壓和阻抗以及整流二極管的恢復(fù)特性決定了Eon開(kāi)關(guān)損耗。對(duì)于像傳統(tǒng)CCM升壓PFC電路來(lái)說(shuō)，升壓二極管恢復(fù)特性在Eon
2020-06-28 15:16:35
MOSFET的VGS(th)：
柵極閾值
電壓MOSFET的VGS(th)：
柵極閾值
電壓是為使
MOSFET導(dǎo)通，
柵極與源極間必需的
電壓。也就是說(shuō)，VGS如果是閾值以上的
電壓，則
MOSFET導(dǎo)通?？赡苡?/div>
2019-05-02 09:41:04
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開(kāi)通損耗嗎？柵極電阻的值會(huì)在開(kāi)通過(guò)程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
用于產(chǎn)生高直流輸出電壓，降壓/升壓轉(zhuǎn)換器則用于產(chǎn)生小于、大于或等于輸入電壓的輸出電壓。本文將重點(diǎn)介紹如何成功應(yīng)用降壓/升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。降壓和升壓轉(zhuǎn)換器已在2011年6月和9月的《模擬對(duì)話》中單獨(dú)介紹
2018-11-01 11:34:48
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱(chēng)為集電極
2021-01-27 07:59:24
具有較低導(dǎo)通電阻和非常高的關(guān)斷電阻，驅(qū)動(dòng)電路中的功耗大大降低。為在柵極轉(zhuǎn)換期間控制邊沿速率，Q1 的漏極和Q2的柵極之間外加一個(gè)小電阻。使用MOSFET的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是其易于在裸片上制作，而制作電阻則相對(duì)
2021-07-09 07:00:00
負(fù)電壓柵極驅(qū)動(dòng)器中的負(fù)電壓處理是指承受輸入和輸出端負(fù)電壓的能力。這些不必要的電壓可能是由于開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換、泄漏或布局不良引起的。柵極驅(qū)動(dòng)器的負(fù)電壓承受能力對(duì)于穩(wěn)健可靠的解決方案至關(guān)重要。圖1顯示了TI柵極
2019-04-15 06:20:07
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技術(shù)，具有極低的RDS（on），低柵極電壓和高電流能力，非常適合應(yīng)用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
構(gòu)成的CMOS 升壓DC/DC 控制器。通過(guò)使用外接低通態(tài)電阻N 溝道功率MOS，即可適用于需要高效率、高輸出電流的應(yīng)用電路上。通過(guò)PWM / PFM 切換控制電路，在負(fù)載較輕時(shí)，將工作狀態(tài)切換為占空
2020-11-09 16:57:23
。在隔離型1/16thbrickDC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，Power33MOSFET的最大RDS(ON)僅為1.3mΩ，與具有同等占位面積的競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比減小了25%。此外，該器件減小了傳導(dǎo)損耗，從而
2012-04-28 10:21:32
和卓越的電壓調(diào)節(jié)。 據(jù)了解，Linear的LT3840集成的降壓-升壓型穩(wěn)壓器可產(chǎn)生7.5V MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)，以保持在2.5V至60V輸入電壓范圍內(nèi)提供高效率柵極驅(qū)動(dòng)，抵御高壓瞬態(tài)并在汽車(chē)?yán)滠?chē)
2018-09-27 15:19:03
的柵極電壓越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些應(yīng)用中，對(duì)MOSFET進(jìn)行柵控的是可以提供令人滿(mǎn)意的RDS(on)的電壓。額外的柵極電壓會(huì)因?C x Vgs x Vgs x f產(chǎn)生功耗，其中柵極
2018-03-03 13:58:23
`羅姆低門(mén)驅(qū)動(dòng)電壓MOSFET具有0.9伏至10伏的寬驅(qū)動(dòng)類(lèi)型。 這種廣泛的驅(qū)動(dòng)器類(lèi)型范圍支持從小信號(hào)到高功率的各種應(yīng)用。 這些MOSFET具有與微型封裝（0604尺寸）一樣小的尺寸選擇。 各種大小
2021-02-02 09:55:16
`請(qǐng)問(wèn)：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個(gè)東西？抗干擾或散熱嗎？這是個(gè)SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時(shí)的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時(shí)間短于IGTB的短路耐受時(shí)間，也可以通過(guò)集成在柵極驅(qū)動(dòng)器IC中的去飽和功能來(lái)保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開(kāi)始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
的不是全SiC功率模塊特有的評(píng)估事項(xiàng)，而是單個(gè)SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，該信息也非常有用?！?b class="flag-6" style="color: red">柵極誤導(dǎo)通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
異步DC-DC轉(zhuǎn)換器中箝位二極管的正向壓降通常會(huì)產(chǎn)生的損耗。這一效率提升使LT3762能夠提供比類(lèi)似異步升壓型LED驅(qū)動(dòng)器更高的輸出電流，特別是在低輸入電壓時(shí)。為了改善低輸入電壓時(shí)的工作性能，通過(guò)配置一
2019-09-25 13:58:43
升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在功率電子領(lǐng)域非常重要，但是電感值的選擇并不總是像通常假設(shè)的那樣簡(jiǎn)單。在dc - dc升壓轉(zhuǎn)換器中，所選電感值會(huì)影響輸入電流紋波、輸出電容大小和瞬態(tài)響應(yīng)。選擇正確的電感值有助于優(yōu)化轉(zhuǎn)換器
2019-12-11 18:02:31
，MOSFET的傳導(dǎo)損耗更大。不過(guò)，圖4中的直流傳導(dǎo)損耗比較不適用于大部分應(yīng)用。同時(shí)，圖5中顯示了傳導(dǎo)損耗在CCM (連續(xù)電流模式)、升壓PFC電路，125℃的結(jié)溫以及85V的交流輸入電壓Vac和400
2019-03-06 06:30:00
`AP8106 高效低功耗 PFM DC-DC 同步升壓芯片概述AP8106 系列產(chǎn)品是一種低功耗、效率高、低紋波、工作頻率高的 PFM 同步升壓 DC-DC 變換器。AP8106 系列產(chǎn)品僅需要
2021-07-06 11:24:11
`AP8105 低功耗 PFM DC-DC 升壓芯片概述AP8105 系列產(chǎn)品是一種效率高、低紋波、工作頻率高的 PFM 升壓 DC-DC 變換器。AP8105 系列產(chǎn)品僅需要四個(gè)外圍元器件，就可
2021-07-06 11:29:18
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過(guò)程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說(shuō)明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
器件相比，具有更低的導(dǎo)通電阻和更高的電壓耐受能力。（圖片來(lái)源：ROHM Semiconductor）標(biāo)準(zhǔn)硅 MOSFET 在高至 150°C 的溫度條件下工作時(shí)，RDS(on) 導(dǎo)通電阻要高出 25
2017-12-18 13:58:36
用的 MOSFET 的關(guān)斷，通常建議使用負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)電壓（對(duì)于 C3M006065D 為-3 V ~ -4 V），以防止因高 dv/dt 引起的串?dāng)_而導(dǎo)致快速開(kāi)關(guān)器件的誤導(dǎo)通。但是，在 LLC 電路中，所有
2023-02-27 14:02:43
概述OC6811 是一款具有超低待機(jī)功耗、高效率的同步升壓DC-DC，待機(jī)電流僅1.8uA。OC6811 采用固定導(dǎo)通時(shí)間的PFM 控制方式，在輕載時(shí)自動(dòng)降低開(kāi)關(guān)頻率保持高的轉(zhuǎn)換效率。OC6811
2020-04-01 10:03:38
就不用柵極電阻控制端直接連向柵極。想問(wèn)下大家。 1.什么時(shí)候可以不加柵極電阻，什么時(shí)候需要加上柵極電阻。感覺(jué)是和GS間結(jié)電容有關(guān)或和MOSFET的功率大小有關(guān)但具體分析不清楚。2.聽(tīng)說(shuō)在不加柵極電阻
2013-02-08 15:28:29
耐壓MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器IC。80V的耐壓是非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界頂級(jí)水平，在ROHM的目前產(chǎn)品陣容中，也是耐壓最高的DC/DC轉(zhuǎn)換器IC。ROHM在推出該
2019-04-08 08:48:17
轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品陣容中也是最高耐壓的機(jī)型。高耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器在以電信相關(guān)和工業(yè)設(shè)備為首的應(yīng)用中、最近在使用電池組的應(yīng)用中使用量增加，因此其需求日益高漲。然而，現(xiàn)狀是可供應(yīng)具有60V以上耐壓的DC/DC
2018-10-19 16:47:06
產(chǎn)品陣容中也是最高耐壓的機(jī)型。高耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器在以電信相關(guān)和工業(yè)設(shè)備為首的應(yīng)用中、最近在使用電池組的應(yīng)用中使用量增加，因此其需求日益高漲。然而，現(xiàn)狀是可供應(yīng)具有60V以上耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器
2018-12-04 10:10:43
電壓、輸出電壓都是直流電壓，而且輸入電壓比輸出電壓低，基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖對(duì)于剛剛開(kāi)始接觸和學(xué)習(xí)電路設(shè)計(jì)的新人來(lái)說(shuō)，扎實(shí)的了解和掌握DC-DC變換器的運(yùn)行情況，是非常有必要的。在平時(shí)的工作中，升壓式
2020-11-22 01:00:00
電壓、輸出電壓都是直流電壓，而且輸入電壓比輸出電壓低，基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖對(duì)于剛剛開(kāi)始接觸和學(xué)習(xí)電路設(shè)計(jì)的新人來(lái)說(shuō)，扎實(shí)的了解和掌握DC-DC變換器的運(yùn)行情況，是非常有必要的。在平時(shí)的工作中，升壓式
2021-01-02 09:00:00
· ((3.3mΩ || 0.9mΩ) + 0.7mΩ) = 0.56W在圖 1 所示的 12V 應(yīng)用中，LTC4234 的 MOSFET 處理的是高漏極至源極電壓情況，此時(shí) SOA 是一個(gè)主要的關(guān)注點(diǎn)。在正常
2018-10-23 14:26:00
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表的開(kāi)關(guān)特性中，列出了柵極電荷的參數(shù)，包括以下幾個(gè)參數(shù)，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開(kāi)關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴(kuò)散型
2016-10-10 10:58:30
異步DC-DC轉(zhuǎn)換器中箝位二極管的正向壓降通常會(huì)產(chǎn)生的損耗。這一效率提升使LT3762能夠提供比類(lèi)似異步升壓型LED驅(qū)動(dòng)器更高的輸出電流，特別是在低輸入電壓時(shí)。為了改善低輸入電壓時(shí)的工作性能，通過(guò)配置一
2019-03-30 09:36:59
。 啟動(dòng)時(shí)，LTC3786 在 4.5V 至 38V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，啟動(dòng)后直至 2.5V 都保持工作，并可調(diào)節(jié)高達(dá) 60V 的輸出電壓。強(qiáng)大的 1.2Ω 內(nèi)置 N 溝道 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器能快速
2021-04-19 07:05:41
LT3762 是一款同步升壓型LED控制器，旨在減少高功率升壓型LED驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)中常見(jiàn)的效率損耗源。該器件的同步運(yùn)行可最大限度地減少異步DC-DC轉(zhuǎn)換器中箝位二極管的正向壓降通常會(huì)產(chǎn)生的損耗。這一
2019-08-02 08:14:26
低Qgd/Qgs(th)比率和高閾值電壓的MOSFET也可降低dv/dt電感誤導(dǎo)通的可能性。欲了解更多信息，請(qǐng)查閱四開(kāi)關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。
2019-07-16 06:44:27
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請(qǐng)你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
，能夠在 MOSFET 關(guān)斷狀態(tài)下為柵極提供負(fù)電壓、高充電/放電脈沖電流，并且足夠快以在納秒范圍內(nèi)操作柵極。IC IX6611是一款智能高速柵極驅(qū)動(dòng)器，可輕松用于驅(qū)動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET以及標(biāo)準(zhǔn)
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問(wèn)題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說(shuō)明。我們看到的是在沒(méi)有任何
2023-04-19 06:36:06
瞬態(tài)操作。圖1所示為硬開(kāi)關(guān)關(guān)斷瞬態(tài)下，理想MOSFET的工作波形和工作順序。 圖1 升壓轉(zhuǎn)換器中的MOSFET的典型關(guān)斷瞬態(tài)波形 當(dāng)驅(qū)動(dòng)器發(fā)出關(guān)斷信號(hào)后，即開(kāi)始階段1 [t=t1]操作，柵極與源極之間
2018-10-08 15:19:33
`AP8106 高效低功耗 PFM DC-DC 同步升壓芯片概述AP8106 系列產(chǎn)品是一種低功耗、效率高、低紋波、工作頻率高的 PFM 同步升壓 DC-DC 變換器。AP8106 系列產(chǎn)品僅需要
2021-07-08 11:22:03
DC/DC 開(kāi)關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規(guī)定范圍以?xún)?nèi)，必須在低柵極電荷
2019-11-30 18:41:39
通；P溝道MOSFET通過(guò)施加給定的負(fù)的柵-源極電壓導(dǎo)通。MOSFET的柵控決定了它們在SMPS轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用。例如，N溝道MOSFET更適用于以地為參考的低側(cè)開(kāi)關(guān)，特別是用于升壓、SEPIC、正向和隔離
2021-04-09 09:20:10
開(kāi)關(guān)MOS管與線性MOS管的區(qū)別，1.是不是開(kāi)關(guān)MOS管的只有“開(kāi)”與“關(guān)”2種狀態(tài)？2.是不是線性MOS管可以利用柵極的電壓大小來(lái)控制導(dǎo)通的比率?3.開(kāi)關(guān)的MOS管是使用數(shù)字信號(hào)控制。而線性的MOS管使用模擬信號(hào)控制？
2023-03-15 11:51:44
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅(qū)動(dòng)能力，適用于驅(qū)動(dòng) SiC
2018-10-16 17:15:55
晶體管。P溝道MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要電流，所以大大降低了器件本身消耗的電流;另一方面，采用PNP晶體管的電路中，為了防止PNP晶體管進(jìn)入飽和狀態(tài)而降低輸出能力， 輸入和輸出之間的電壓降不可以
2019-03-11 11:19:44
可用作 K=16/1 的升壓轉(zhuǎn)換器。固定比率轉(zhuǎn)換器的工作原理與變壓器極為相似，但它執(zhí)行的不是 AC-AC 轉(zhuǎn)換，而是 DC-DC 轉(zhuǎn)換，輸出電壓為固定比例的 DC 輸入電壓。與變壓器一樣，這種轉(zhuǎn)換器
2022-10-25 08:00:00
測(cè)試，并觀察波形。在雙脈沖測(cè)試電路的高邊（HS）和低邊（LS）安裝ROHM的SiC MOSFET SCT3040KR，并使HS開(kāi)關(guān)、LS始終OFF（柵極電壓=0V）。圖1所示的延長(zhǎng)電纜已經(jīng)直接焊接
2022-09-20 08:00:00
通過(guò)金屬物短路，從而避免寄生三極管的意外導(dǎo)通。當(dāng)柵極沒(méi)有加驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，功率MOSFET通過(guò)反向偏置的P-體區(qū)和N-^^的epi層形成的PN結(jié)承受高的漏極電壓。在高壓器件中絕大部分電壓由低摻雜的epi層來(lái)
2023-02-20 17:21:32
描述 此高功率升壓直流/直流轉(zhuǎn)換器采用具有低柵極電荷外部 MOSFET 的控制器，針對(duì)來(lái)自 24V 電源的高達(dá) 250W 的負(fù)載提供 48V 輸出。特性帶有集成低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的 TPS40210
2022-09-27 07:52:40
。雖然有許多方式來(lái)繪制MOSFET管，但最常見(jiàn)的符號(hào)如圖2。注意有且只有三端連接：源極、漏極和柵極；柵極控制從源極到漏極的電流。較小的MOSFET可以在標(biāo)準(zhǔn)的MOS IC裸芯上直接制造，因此它可以是單芯片
2016-01-27 17:22:21
非常重要的。下一篇文章將對(duì)準(zhǔn)諧振方式進(jìn)行介紹。關(guān)鍵要點(diǎn):?在使用電源IC的設(shè)計(jì)中，要使用SiC-MOSFET需要專(zhuān)用的電源IC。?SiC-MOSFET和Si-MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電壓VGS不同。?設(shè)計(jì)中使用了SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC：BD7682FJ-LB。
2018-11-27 16:54:24
ROHM最近推出的“BD9G341AEFJ”，是內(nèi)置80V高耐壓MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器IC。80V的耐壓是非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界頂級(jí)水平，在ROHM的目前產(chǎn)品陣容中，也是耐壓最高
2018-12-03 14:44:01
低Qgd/Qgs(th)比率和高閾值電壓的MOSFET也可降低dv/dt電感誤導(dǎo)通的可能性。欲了解更多信息，請(qǐng)查閱四開(kāi)關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。
2018-10-30 09:05:44
的接地點(diǎn)提供高電壓隔離。但是，高頻切換導(dǎo)致次級(jí)端電壓轉(zhuǎn)換的邊沿較短。由于隔離邊界之間的寄生電容，這些快速瞬變而從一側(cè)耦合到另一側(cè)，這可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)損壞。其表現(xiàn)可能是在柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)中引入抖動(dòng)，或者將信號(hào)完全
2018-10-25 10:22:56
所示。PMOS具有較低導(dǎo)通電阻和非常高的關(guān)斷電阻，驅(qū)動(dòng)電路中的功耗大大降低。為在柵極轉(zhuǎn)換期間控制邊沿速率，Q1的漏極和Q2的柵極之間外加一個(gè)小電阻。使用MOSFET的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是其易于在裸片上制作，而
2018-11-01 11:35:35
圖1：開(kāi)關(guān)損耗讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗。在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期開(kāi)始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開(kāi)始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段（圖
2022-11-16 08:00:15
。MOSFET不是邏輯電平，并且引腳DRVUV和DRVSET與INTVCC相連，以提供10V柵極驅(qū)動(dòng)。引腳VPRG1連接到INTVCC，以在第一個(gè)通道上選擇5V輸出電壓。圖2顯示了轉(zhuǎn)換器的效率。DC
2019-10-25 09:59:35
新年伊始，設(shè)計(jì)師們似乎在永遠(yuǎn)不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我討論了高電流柵極驅(qū)動(dòng)器如何幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高的效率。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過(guò)降低FET的體二極管
2019-03-08 06:45:10
為了減小輸出電容和電感的尺寸以節(jié)省印刷電路板（PCB）空間，越來(lái)越多的高輸入電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器在更高的開(kāi)關(guān)頻率下工作。然而，隨著輸出電壓降至5V和更低，設(shè)計(jì)更快的開(kāi)關(guān)高輸入電壓降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
2019-07-16 23:54:06
（+ 3.3V）在SP6642單堿性電池，高效率升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器中的典型應(yīng)用。 SP6642 / 6643器件是一款高效，低功耗升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器，適用于+ 1V輸入，適用于單個(gè)堿性電池應(yīng)用，如尋呼機(jī)，遙控器和其他低功耗便攜式終端產(chǎn)品
2019-07-29 06:26:54
本文討論了屏蔽柵極MOSFET在中等電壓MOSFET(40～300V)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。
2011-03-30 16:44:242015 
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)出N溝道PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L，該器件經(jīng)專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)以最大限度地減小傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，并提升DC-DC轉(zhuǎn)換器的整體效率
2011-05-18 09:09:07704 快捷半導(dǎo)體擴(kuò)大PowerTrench? MOSFET系列產(chǎn)品陣容
提供更高的功率密度與提升開(kāi)關(guān)電源的效率
中電壓MOSFET元件采用高性能矽片減低優(yōu)化系數(shù)，提高同步整流應(yīng)用的可靠性
2012-08-17 08:52:52860 全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild （NASDAQ： FCS） 在2016年APEC上發(fā)布了新一代100V N溝道Power MOSFET旗艦產(chǎn)品——FDMS86181 100V屏蔽柵極PowerTrench? MOSFET。
2016-03-22 11:44:063151 用于高效率降壓型或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器具有強(qiáng)大的柵極驅(qū)動(dòng)
2021-03-19 07:15:03
2 帶MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的LTC3803LTC4441演示電路升壓轉(zhuǎn)換器(6-24V至52V@2A)
2021-06-04 14:54:385 使用安森美半導(dǎo)體 40 V 和 80 V 汽車(chē)電源模塊的可靠開(kāi)關(guān)性能建議（使用屏蔽柵極 MOSFET）
2022-11-15 20:20:220 從本文開(kāi)始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 
上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開(kāi)關(guān)工作帶來(lái)的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時(shí)的動(dòng)作情況。
2023-02-08 13:43:23300 
上一篇文章中介紹了LS開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時(shí)的動(dòng)作情況。低邊開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作：下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。
2023-02-08 13:43:23399 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過(guò)采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來(lái)防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對(duì)策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:16589 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對(duì)策、負(fù)電壓浪涌對(duì)策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02815 MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:17223 
MOSFET柵極電路常見(jiàn)的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571 
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