東芝推出新一代工藝制造而成的80V N溝道功率MOSFET

　　–進一步擴展U-MOS X-H功率MOSFET系列產(chǎn)品線–

　　中國上海，2020年3月30日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，其“U-MOS X-H系列”產(chǎn)品線新增采用其最新一代工藝制造而成的80V N溝道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設備的開關電源。

　　U-MOS X-H系列產(chǎn)品示意圖

　　新增產(chǎn)品包括采用表面貼裝SOP Advance封裝的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封裝的“TPN19008QM”。產(chǎn)品于今日開始出貨。

　　由于采用了其最新一代的工藝制造技術，與當前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V產(chǎn)品相比，新款80V U-MOS X-H產(chǎn)品的漏源導通電阻降低了大約40%。通過優(yōu)化器件結構，漏源導通電阻與柵極電荷特性［1］之間的平衡也得到了進一步的改善［2］。因此，新產(chǎn)品可提供業(yè)界最低［3］功耗。

　　東芝正在擴展其降耗型產(chǎn)品線，從而為降低設備功耗提供幫助。

　　應用：

　　?開關電源（高效AC-DC轉換器、DC-DC轉換器等）

　　?電機控制設備（電機驅動等）

　　特性：

　　?業(yè)界最低［3］功耗（通過改善導通電阻與柵極電荷特性［2］之間的平衡）

　　?業(yè)界最低［3］導通電阻：

　　RDS（ON）=2.43mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPH2R40QM）

　　RDS（ON）=19mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPN19008QM）

　　?高額定通道溫度：Tch=175℃

　　主要規(guī)格：

　?。ǔ橇碛姓f明，@Ta＝25℃）

　　注釋：

　?。?］ 總柵極電荷（柵源+柵漏）、柵極開關電荷、輸出電荷。

　?。?］ 與TPH4R008NH（U-MOS Ⅷ-H系列）進行比較，TPH2R408QM的漏源導通電阻x總柵極電荷改善約為15%、漏源導通電阻 x 柵極開關電荷改善約為10%、漏源導通電阻x輸出電荷改善約為31%。

　?。?］ 截至2019年3月30日，東芝調(diào)研。