前言：臻驅(qū)科技（上海）有限公司（以下簡稱臻驅(qū)科技）是一家以研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新能源車動力總成及其功率半導體模塊為核心業(yè)務的高科技公司。2 019 年底，臻驅(qū)科技與日本羅姆半導體公司成立了聯(lián)合實驗室
2020-11-24 11:51:47
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10月21日，正海集團有限公司（以下簡稱：正海集團）和全球領(lǐng)先的碳化硅芯片/模組供應商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱：羅姆）在上海市閔行區(qū)召開合資公司發(fā)布會。
2021-10-23 08:00:002526 電氣設(shè)計專家和SiC功率模塊設(shè)計專家。 ? 這也意味著理想正在籌備自研碳化硅功率模塊，未來或可能建立功率模塊封測產(chǎn)線。 ? 電動汽車時代，功率模塊和碳化硅地位越來越高 ? 電動汽車與燃油汽車的成本結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了很大差異，在電動汽車中，電池
2023-12-04 06:47:00820 海飛樂技術(shù)有限公司是一家以快速恢復二極管（FRD）、快恢復模塊、超結(jié)MOSFET等新型功率半導體芯片及器件的設(shè)計、生產(chǎn)和銷售為主營業(yè)務的高科技企業(yè)。公司快恢復二極管/模塊產(chǎn)品廣泛應用于變頻空調(diào)
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
0.5Ω，內(nèi)部柵極電阻為0.5Ω?！ ?b class="flag-6" style="color: red">功率模塊的整體熱性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。與具有相同標稱電流的硅IGBT相比，SiC MOSFET通常表現(xiàn)出顯著較低的開關(guān)損耗，尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
)碳化硅器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的不足是： 碳化硅圓片的價格還較高,其缺陷也多?！ ∪?、碳化硅肖特基二極管的特點 上面已談到硅肖特基二極管反向耐壓較低，約
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
2020年初與羅門子公司SiCrystal就SiC晶圓供應達成了協(xié)議，僅舉出一些戰(zhàn)略舉措。這一戰(zhàn)略對意法半導體來說非常有效，因此意法半導體成為快速增長的SiC市場的關(guān)鍵參與者。為了不只流口水，現(xiàn)在讓我們
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐不斷加快，工程師們越來越多地在尋找新的解決方案，并對技術(shù)提出更多的要求，以滿足消費者和行業(yè)的需求。碳化硅半導體是滿足這些需求的優(yōu)選答案，其本身也在不斷改進，以期提供與舊技術(shù)相比更具成本
2023-02-27 14:28:47
應用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復。用于空氣/油/SF6 環(huán)境?？膳渲?b class="flag-6" style="color: red">為單個或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料?？芍貜偷姆蔷€性特性。耐高壓?；旧鲜菬o感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板；在引擎室中，由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求，現(xiàn)有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無線雷達偵測
2020-12-16 11:31:13
成熟，資源豐富，碳化硅的行業(yè)已經(jīng)具有集群化發(fā)展的趨勢了，但是行業(yè)規(guī)模很小，政策資金方面的風險能力很大，行業(yè)秩序也需要進一步完善。碳化硅的用途也十分廣泛，越來越多的新行業(yè)也正在開發(fā)，線切割為代表的新行業(yè)正
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點及優(yōu)勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
已經(jīng)成為全球最大的半導體消費國，半導體消費量占全球消費量的比重超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
科技有限公司TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。最大功率附加效率為
2018-06-12 10:22:42
TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。功率附加效率為69.5%，這使
2018-11-15 11:59:01
附加效率為70.5%，這使得tgf2023-2-20適合高效率的應用.產(chǎn)品型號:TGF2023-2-20產(chǎn)品名稱：碳化硅晶體管TGF2023-2-20產(chǎn)品特性頻率范圍：直流至14 GHz50.5
2018-06-22 11:09:47
TGF2954碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2954報價TGF2954代理TGF2954TGF2954現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司TGF2954是離散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
TGF2955碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2955報價TGF2955代理TGF2955TGF2955現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司TGF2955是離散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
通損耗一直是功率半導體行業(yè)的不懈追求。 相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品，基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低，開關(guān)損耗小的特點，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
，利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機控制系統(tǒng)中的功率器件，可以降低驅(qū)動器損耗，提高開關(guān)頻率，降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動。本項目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
）------------------------------------------------------------------------------------------------會議主題：羅姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用直播時間：2018
2018-07-27 17:20:31
生長氮化鎵結(jié)晶，以研發(fā)更高性能的縱型氮化鎵FET。制成的晶圓的電阻約為10-4Ωcm2，遠低于碳化硅晶圓（10-3Ωcm2左右）、錯位密度為104/cm2、氮化鎵膜厚超過1毫米。研究人員獲得了一塊晶圓
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
多半仍以機械結(jié)構(gòu)為主，造價高昂，且產(chǎn)品相當笨重，更需要經(jīng)常維修。為了改良這些缺點，以電力電子為基礎(chǔ)的新一代大功率電力設(shè)備應運而生。碳化硅等新世代組件，則是在背后促成這股電力設(shè)備電子化不可或缺的功臣
2021-09-23 15:02:11
，在這些環(huán)境中，傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統(tǒng)和應用的性能，包括飛機、車輛、通信設(shè)備和航天器。今天，SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來，預計多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
，獲得華大半導體有限公司投資，創(chuàng)能動力致力于開發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度，實現(xiàn)雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
的功率半導體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案。 02 圖騰柱無橋PFC拓撲分析 在正半周期（VAC大于0）的時候，T2為主開關(guān)管?！ ‘擳2開通時，電感L儲能，電流
2023-02-28 16:48:24
場效應管（Si MOSFET）以前從未考慮過的應用而變得更具有吸引力?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅MOSFET越來越多用于千瓦級功率水平應用，涵蓋如通電源，和服務器電源，和快速增長的電動汽車電池充電器市場等領(lǐng)域。碳化硅
2023-03-14 14:05:02
用碳化硅MOSFET設(shè)計一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環(huán)以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。圖 11 所示分別為銅鍵合線、銅帶連接方式。錫片或錫膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
一體的高科技企業(yè)，產(chǎn)品研發(fā)骨干來自北京清華大學和韓國延世大學，掌握碳化硅功率器件的核心技術(shù)。再加上薩科微總經(jīng)理宋仕強先生深耕華強北多年，深度了解華強北的商業(yè)模式，薩科微slkor的多年積累，為現(xiàn)階段快速
2023-02-21 09:24:40
系列電源模塊，支持多種柵極輸出電壓，可靈活應用于碳化硅MOSFET驅(qū)動。該電源模塊尺寸為 19.5 X 9.8 X 12.5 mm， 設(shè)計緊湊， 通用性強。原作者：基本半導體
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強，穩(wěn)定的超快速本體二極管，因此無需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導體技術(shù)的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導體場效應晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關(guān)，通過降低電阻和開關(guān)損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長期供應協(xié)議。
2020-01-17 09:07:481306 7月29日，基本半導體碳化硅功率模塊裝車測試發(fā)車儀式在深圳成功舉行，搭載自主研發(fā)碳化硅模塊的測試車輛正式啟程。
2021-07-30 15:55:331835 
。 合資新公司以功率模塊為主營業(yè)務，包括研發(fā)、設(shè)計、制造和銷售。新公司的名字取正海集團和羅姆的融合之意——上海海姆希科半導體有限公司（以下簡稱：海姆?？疲８鶕?jù)海姆?？瓶偨?jīng)理高崎 哲介紹稱，合資公司的出資比例為正海集團出資80%，羅姆出資
2021-10-27 09:32:171985 基本半導體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動
2021-11-29 14:54:087839 
12月30日，基本半導體位于無錫市新吳區(qū)的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運行，首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國內(nèi)第一條汽車級碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線，采用先進碳化硅專用封裝工藝技術(shù)，打造
2021-12-31 10:55:432795 
桑德斯微電子器件(南京)有限公司與世強硬創(chuàng)平臺達成協(xié)議，授權(quán)世強代理旗下碳化硅(SiC)、二級管等產(chǎn)品代理。
2022-02-24 16:14:141348 %。新公司將合作開發(fā)、設(shè)計、制造和銷售使用碳化硅（SiC）功率器件的功率模塊，旨在發(fā)展可用于牽引逆變器和其他新能源汽車的功率模塊業(yè)務。應用程序。 “新公司將設(shè)計、量產(chǎn)和銷售使用 ROHM 的 SiC 半導體的功率模塊?！?在接受《電力電子報》采訪時，羅
2022-08-03 15:50:24688 
Agarwal 的播客中，我們將發(fā)現(xiàn) SiC 的好處和應用。 討論的文章： 改進碳化硅晶圓工藝 碳化硅功率模塊建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的柵極漏電流行為研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351383 本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產(chǎn)品：TDK-Lambda CUS350MP-1000醫(yī)療和工業(yè)電源和Wolfspeed WolfPACK碳化硅功率模塊。
2022-08-04 09:51:111458 【2022年9月19日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與高意集團 （納斯達克代碼：IIVI）簽署了一份多年期碳化硅（SiC）晶圓供應協(xié)議
2022-09-20 11:39:12591 
碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191191 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021979 汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導體，碳化硅功率半導體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:163637 
碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 技術(shù)方面，意法半導體與Soitec就碳化硅晶圓制造技術(shù)合作達成協(xié)議。意法半導體希望通過此次合作，使其未來200mm晶圓生產(chǎn)可以采用Soitec的Smart碳化硅技術(shù)。
2023-02-06 16:25:17679 投建，我國初步形成了從襯底、外延片到器件、模塊較為完整的產(chǎn)品供應鏈。 但記者在采訪中了解到，國內(nèi)碳化硅功率器件行業(yè)還呈現(xiàn)“小”“散”特征，未來五年將是整合期，車規(guī)級碳化硅功率器件與國外公司還有較大差距。此外，碳
2023-02-21 09:26:45
2 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
什么是第三代半導體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 汽車碳化硅模塊是一種用于汽車電力傳動系統(tǒng)的電子器件，由多個碳化硅芯片、散熱器、絕緣材料和連接件等組成。碳化硅芯片作為模塊的核心部件，采用現(xiàn)代半導體技術(shù)制造而成，可以實現(xiàn)高功率、高效率、高頻率的控制和開關(guān)，適用于電動車的逆變器、充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應用。
2023-02-25 15:03:222180 意法半導體（ST）宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應協(xié)議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場，以及未來的發(fā)展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 三安光電近日宣布，將與國際功率半導體巨頭意法半導體合資一家8英寸碳化硅器件工廠。
2023-06-11 14:31:0385 長達 10 年的供應協(xié)議要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞薩電子供應規(guī)模化生產(chǎn)的 150mm 碳化硅裸晶圓和外延片，這將強化公司致力于從硅向碳化硅半導體功率器件產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型的愿景。
2023-07-06 10:36:37277 %的份額。到2027財年，將碳化硅功率半導體業(yè)務的銷售額提升到2700億日元（約人民幣139億）。 為此，羅姆在收購端開始發(fā)力，羅姆已與Solar Frontier達成協(xié)議，收購Solar
2023-07-19 19:37:01724 當前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立態(tài)勢，碳化硅材料七成以上來自美國公司，歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應用產(chǎn)業(yè)鏈，日本則在碳化硅芯片、模塊和應用開發(fā)方面占據(jù)領(lǐng)先優(yōu)勢。
2023-08-15 10:07:41260 
? 隨著新能源汽車的快速發(fā)展，碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域中的應用也越來越多。碳化硅功率器件相比傳統(tǒng)的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開關(guān)速度和更小的尺寸等優(yōu)點，因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880 碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導體器件，具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點，被廣泛應用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識。
2023-09-28 18:19:571219 智新半導體有限公司是東風公司與中國中車2019年在武漢成立的，智新半導體碳化硅模塊項目基于東風集團“馬赫動力”新一代800V高壓平臺，項目于2021年進行前期先行開發(fā)，2022年12月正式立項為量產(chǎn)項目。
2023-11-03 16:48:16328 
碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：材料特性、功率密度、溫度特性和開關(guān)速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰(zhàn)
2023-12-21 11:27:09286 隨著科技的不斷進步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導體材料，在功率器件領(lǐng)域的應用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿Γ瑢⒃诙鄠€領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢。本文將介紹未來碳化硅功率器件的優(yōu)勢
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 中宜創(chuàng)芯，即河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司，成立于2023年，注冊資本金為3億。它由中國平煤神馬控股集團和平頂山發(fā)展投資控股集團聯(lián)合出資組建，主營高品質(zhì)碳化硅材料的制造與運營。
2024-01-09 15:06:13476 材料的生長和加工難度較大，其特色工藝模塊的研究和應用成為了當前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個方面： 注入摻雜 在碳化硅中，碳硅鍵能較高，雜質(zhì)原子難以在其中擴散。因此，在制備碳化硅器件時
2024-01-11 17:33:14292 
英飛凌與韓國SK Siltron子企業(yè)SK Siltron CSS最近達成了一項重要協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，SK Siltron CSS將為英飛凌提供6英寸碳化硅（SiC）晶圓，以支持英飛凌在SiC半導體生產(chǎn)方面的需求。
2024-01-17 14:08:35228
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