?收購(gòu)）的UF3N170400B7S?JFET。UF3N170400B7S是一款高性能的第三代碳化硅 (SiC) 常開JFET，為過流保護(hù)電路、DC-AC逆變器、開關(guān)電源?、功率因數(shù)校正模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)
2022-04-29 16:36:30
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(SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見于電動(dòng)汽車
2022-05-17 11:55:242172 
美國(guó)新澤西州普林斯頓 --- 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布已經(jīng)推出一系列適用于與具備內(nèi)置低壓MOSFET的控制器IC共同封裝的SiC JFET晶片，由此可制造出速度極快，基于共源共柵的20～100W反激式產(chǎn)品。
2019-03-20 09:19:281750 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC于3月21日宣布達(dá)成與ADI公司（Analog Devices）的戰(zhàn)略投資和長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，具體條款尚未公布。
2019-03-22 00:34:33963 UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動(dòng)汽車（EV）逆變器、高功率DC/DC轉(zhuǎn)換器、大電流電池充電器和固態(tài)斷路器等高功率應(yīng)用。
2019-12-10 13:45:241799 ，也點(diǎn)燃半導(dǎo)體業(yè)新戰(zhàn)火。 ? 第三代半導(dǎo)體主要和氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）兩種材料有關(guān)，不少大廠都已先期投資數(shù)十年，近年隨著蘋果、小米及現(xiàn)代汽車等大廠陸續(xù)宣布產(chǎn)品采用新材料的計(jì)劃，讓第三代半導(dǎo)體成為各界焦點(diǎn)。 ? 目前各大廠都運(yùn)用不同
2021-05-10 16:00:572569 UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其內(nèi)部集成了一個(gè)SiC JFET并將之與一個(gè)硅MOSFET封裝在一起。
2021-09-14 14:47:19612 
點(diǎn)研究?jī)?nèi)容,廣泛地分析了3GPP(第三代合作伙伴計(jì)劃)提出的一系列相關(guān)安全協(xié)議及技術(shù)規(guī)范,給出了基于獨(dú)立同分布概率理論的認(rèn)證數(shù)據(jù)流量數(shù)學(xué)分析模型。該文分析了現(xiàn)存3GPP安全協(xié)議在用戶接入過程中存在的單向
2010-04-24 09:25:49
的上限。SiC晶體管的出現(xiàn)幾乎消除了IGBT的開關(guān)損耗，以實(shí)現(xiàn)類似的導(dǎo)通損耗（實(shí)際上，在輕載時(shí)更低）和電壓阻斷能力，除了降低系統(tǒng)的總重量和尺寸外，還能實(shí)現(xiàn)前所未有的效率。 然而，與大多數(shù)顛覆性技術(shù)
2023-02-27 13:48:12
繼前篇內(nèi)容，繼續(xù)進(jìn)行各功率晶體管的比較。本篇比較結(jié)構(gòu)和特征。功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較下圖是各功率晶體管的結(jié)構(gòu)、耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度的比較。使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同，因而電氣特征也不同。補(bǔ)充
2018-11-30 11:35:30
ROHM推出了SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進(jìn)一步改善了第二代SiC SBD實(shí)現(xiàn)的當(dāng)時(shí)業(yè)界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產(chǎn)品
2018-12-03 15:12:02
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)公司及產(chǎn)品進(jìn)展：歐美出于對(duì)我國(guó)技術(shù)發(fā)展速度的擔(dān)憂及遏制我國(guó)新材料技術(shù)的發(fā)展想法，在第三代半導(dǎo)體材料方面，對(duì)我國(guó)進(jìn)行幾乎全面技術(shù)封鎖和材料封鎖。在此情況下，我國(guó)科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)單位立足自主
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?！ ≡诠怆娮?、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
，我這暴脾氣......。從最初應(yīng)用算起，半導(dǎo)體材料已經(jīng)發(fā)展了三代，第一代是四五十年代開始以鍺、硅為代表的IV族半導(dǎo)體材料逐步發(fā)展起來(lái)，推動(dòng)人類進(jìn)入電子時(shí)代晶體管收音機(jī)就是那個(gè)時(shí)代的產(chǎn)物，老王你明白了吧
2017-05-15 17:09:48
KSZ8873RLL-EVAL，KSZ8873RLL評(píng)估板是第三代完全集成的3端口開關(guān)。 KSZ8873RLL的兩個(gè)PHY單元支持10BASE-T和100BASE-TX。 KSZ8873RLL支持
2020-05-15 08:48:50
UTC-1212SE
第三代無(wú)線通信模塊
產(chǎn)品描述
【產(chǎn)品特點(diǎn):】配我們公司專門的高增益8.5cm棒狀天線，開闊地距離可以達(dá)到700-1000米！
(1) 配置我們
2010-12-02 20:31:50
３Ｇ定義 ３Ｇ是英文３rd Generation的縮寫，至第三代移動(dòng)通信技術(shù)。相對(duì)于第一代模擬制式手機(jī)（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機(jī)（２Ｇ）來(lái)說(shuō)，第三代手機(jī)是指將無(wú)線通信與國(guó)際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52
第三代移動(dòng)通信過渡技術(shù)——EDGE作者：項(xiàng)子GSM和TDMA/136現(xiàn)在是全球通用的第二代蜂窩移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)前有100多個(gè)國(guó)家的1億多人采用GSM，有近100個(gè)國(guó)家的約9500萬(wàn)用戶采用 TDMA
2009-11-13 21:32:08
。帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機(jī)技術(shù)與陣列式區(qū)別： 亮度：第三代陣列式將發(fā)光二極管按照陣列式排在一起，通過一個(gè)透鏡來(lái)進(jìn)行光傳遞，是通過將幾十個(gè)高效率和高功率的晶元通過高科技封裝在一個(gè)平面上，由多顆
2011-02-19 09:35:33
，到目前全球首推的第三代紅外技術(shù)，紅外夜視領(lǐng)域經(jīng)歷了一場(chǎng)場(chǎng)紅外技術(shù)新革命，引領(lǐng)著夜視監(jiān)控行業(yè)向更深更遠(yuǎn)的方向發(fā)展，給安防市場(chǎng)制造著一個(gè)又一個(gè)亮點(diǎn)。紅外技術(shù)早在60年代初期由美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室研發(fā)
2011-02-19 09:38:46
``<p>凌度dt298第三代聯(lián)網(wǎng)記錄儀搭載騰訊車聯(lián)，采用的是最新無(wú)限技術(shù)，無(wú)限流量隨便使用。擁有強(qiáng)大的互聯(lián)網(wǎng)功能，全程語(yǔ)音幫車主解決很多行車問題。行車
2019-01-08 15:44:58
基于SiC HEMT技術(shù)的GaN輸出功率> 250W預(yù)匹配的輸入阻抗極高的效率-高達(dá)80％在100ms，10％占空比脈沖條件下進(jìn)行了100％RF測(cè)試IGN0450M250功率晶體管
2021-04-01 10:35:32
1200V高速開關(guān)系列第三代
2023-03-28 14:59:26
LED:節(jié)能環(huán)保的第三代照明技術(shù)1、半導(dǎo)體照明 LED：變革照明的第三代革命1.1LED 代替白熾燈—任重而道遠(yuǎn)自 20 世紀(jì) 60 年代世界第一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光二極管誕生以來(lái)，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
瑞士微型數(shù)字傳感器生產(chǎn)商Sensirion公司推出第三代MEMS流量傳感器，用于對(duì)微流體系統(tǒng)的流量進(jìn)行數(shù)字化測(cè)量?！ ⌒滦蚈EM傳感器通過使用OEM組件，原有微流體產(chǎn)品范圍得到擴(kuò)大。組件價(jià)格優(yōu)惠
2018-10-26 16:29:10
`第一代沒有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生：`
2013-08-10 15:35:19
;Reliability (可靠性) " ，始終堅(jiān)持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個(gè)最重要的特性：第一個(gè)高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對(duì)應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
近日，華碩正式發(fā)布EeePCShell貝殼機(jī)，標(biāo)志上網(wǎng)本市場(chǎng)正式進(jìn)入第三代。華碩EeePC全球產(chǎn)品經(jīng)理吳南磬表示，今后的每款EeePC在設(shè)計(jì)之初都將預(yù)留3G模塊的位置，并透露EeePC與傳統(tǒng)筆記本將
2009-07-01 22:40:05
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入“十四五”規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，...
2021-07-27 07:58:41
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨(dú)立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個(gè)或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
什么是第三代移動(dòng)通信答復(fù)：第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)IMT2000，是國(guó)際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當(dāng)時(shí)稱為陸地移動(dòng)系統(tǒng)（FPLMTS）。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二代移動(dòng)
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動(dòng)通信技術(shù)的興起，UMTS網(wǎng)絡(luò)的建立將帶來(lái)一場(chǎng)深刻的革命，這對(duì)網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃也提出了更高的要求。在德國(guó)轟動(dòng)一時(shí)的UMTS執(zhí)照拍賣，引起了公眾對(duì)這一新技術(shù)的極大興趣。第三代移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技術(shù)定義(IR-III Technology Definition)IR-III技術(shù)即紅外夜視第三代技術(shù)，根植于上世紀(jì)60年代美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明的紅外夜視技術(shù)，屬于一種主動(dòng)式紅外
2011-02-19 09:34:33
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過程。當(dāng)前正在
2018-12-04 10:15:20
的全SiC功率模塊最新的全SiC功率模塊采用最新的SiC-MOSFET-（即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），以進(jìn)一步降低損耗。以下為示例。下一次計(jì)劃詳細(xì)介紹全SiC功率模塊的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。關(guān)鍵要點(diǎn)
2018-11-27 16:38:04
DMOS結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的全SiC功率模塊BSM180D12P2C101、以及采用第三代溝槽結(jié)構(gòu)MOSFET的BSM180D12P3C007的開關(guān)損耗比較結(jié)果。相比IGBT，第二代的開關(guān)損耗
2018-11-27 16:37:30
第三代移動(dòng)通信的提出IMT-2000是第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)（3G）的統(tǒng)稱第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)最早由國(guó)際電信聯(lián)盟（ITU）1985年提 出，考慮到該系統(tǒng)將于2000年左右進(jìn)入商用市場(chǎng)，工作的頻段在
2009-06-14 19:32:36
代替了電子管第三代計(jì)算機(jī)（1965-1970）以中小規(guī)模集成電路取代了晶體管第四代計(jì)算機(jī)（1971-至今）采用大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路第五代計(jì)算機(jī)（智能計(jì)算機(jī)）特點(diǎn)是模擬人類神...
2022-01-06 08:22:49
已經(jīng)將產(chǎn)業(yè)未來(lái)聚焦到了第三代化合物半導(dǎo)體身上?？梢哉f(shuō)第三代半導(dǎo)體就是未來(lái)功率器件的發(fā)展方向。全國(guó)兩會(huì)近日剛落下帷幕，第三代半導(dǎo)體（GaN和SiC）再度成為兩會(huì)的關(guān)鍵詞之一。伴隨著第三代半導(dǎo)體行業(yè)的觸角向
2021-03-26 15:26:13
制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。 按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數(shù)國(guó)產(chǎn)管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2
2012-07-11 11:36:52
基于第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的ALC控制方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
2021-01-13 06:07:38
性能。 能滿足第三代智能卡尺寸要求的FCOS封裝 英飛凌公司與德國(guó)智能卡制造商Giesecke & Devrient推出的用于智能卡的FCOS封裝可滿足新型第三代智能卡（UICC）對(duì)尺寸
2018-08-24 17:06:08
：Gen1》 Gen2 》 Gen3 VF：Gen1》 Gen2 》 Gen3 產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn) 綜上所述，基本半導(dǎo)體推出的第三代碳化硅肖特基二極管有以下優(yōu)點(diǎn)： 更低VF：第三代二極管具有更低VF，同時(shí)
2023-02-28 17:13:35
客戶采用的是SCS2系列。包括不同的封裝和電流規(guī)格等在內(nèi)，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)近50個(gè)機(jī)型的量產(chǎn)供應(yīng)。第三代是2016年4月推出的SCS3系列。SCS后面的數(shù)字表示各代。－那么接下來(lái)請(qǐng)您介紹一下第三代SiC
2018-12-03 15:11:25
，避免故障。表1總結(jié)了三種晶體管類型參數(shù)以及GaN、Si和SiC的物理材料。對(duì)于Si SJ MOS，選擇了最新的具有本征快速體二極管的Si基MOSFET。GaN和SiC是最新一代的寬帶隙晶體管，更適合
2023-02-27 09:37:29
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號(hào)即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC
2018-12-05 10:04:41
淺析第三代移動(dòng)通信功率控制技術(shù)
2021-06-07 07:07:17
具有明顯的優(yōu)勢(shì)。UnitedSiC的1200V和650V器件除了導(dǎo)通電阻低，還利用了低內(nèi)感和熱阻的SiC性能?！ ?b class="flag-6" style="color: red">1200V和650V第三代器件的導(dǎo)通電阻值比較 Anup Bhalla說(shuō)，碳化硅的優(yōu)點(diǎn)
2023-02-27 14:28:47
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
本文討論了移動(dòng)通信向
第三代(
3G)標(biāo)準(zhǔn)的演化與發(fā)展，給出了范圍廣泛的
3G發(fā)射機(jī)關(guān)鍵
技術(shù)與規(guī)范要求的概述。文章提供了頻分復(fù)用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統(tǒng)發(fā)射機(jī)的設(shè)計(jì)和測(cè)得的性能數(shù)據(jù)，以Maxim現(xiàn)有的發(fā)射機(jī)IC進(jìn)行展示和說(shuō)明?！ ?/div>
2019-06-14 07:23:38
，典型能效為55%,P1dB輸出功率為700瓦，增益為16dB,并具備低熱阻特性。 新晶體管的推出使得英飛凌如今可為1200 MHz~1400 MHz系統(tǒng)應(yīng)用提供一系列射頻功率晶體管，額定輸出功率分別為
2018-11-29 11:38:26
導(dǎo)讀：蘋果第三代AirPods預(yù)計(jì)會(huì)在今年年底前上市。 4月24日，據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈最新消息，蘋果正在準(zhǔn)備第三代AirPods，預(yù)計(jì)會(huì)在今年年底前上市，而今年3月份蘋果剛剛發(fā)布了AirPods的第二代
2019-04-27 09:28:37
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強(qiáng)，穩(wěn)定的超快速本體二極管，因此無(wú)需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國(guó)英飛凌、美國(guó)Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
分享小弟用第三代太陽(yáng)能的心得。
最近看了很多資料對(duì)第三代太陽(yáng)能的介紹，諸多的評(píng)論都說(shuō)到他的優(yōu)勢(shì)，小弟于是購(gòu)買了這種叫第三代的太陽(yáng)能－砷化鎵太陽(yáng)能模塊。想說(shuō)，現(xiàn)在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
，160 mOhm，280 mOhm和450 mOhm。對(duì)于1200 V的新型第三代MOSFET，已經(jīng)為PCIM發(fā)布了40 mOhm的電壓，而在1200 V時(shí)，將繼而推出30 mOhm和22 mOhm的功率
2019-10-25 10:01:08
文章介紹了第三代LonWorks 技術(shù)的應(yīng)用方向和結(jié)構(gòu)，以及美國(guó)Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks 產(chǎn)品以及它們的主要技術(shù)特點(diǎn)和性能。關(guān)鍵詞LonWorks® LonTalk® LonMark®, L
2009-05-29 12:14:45
8 UJ3N120035K3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UJ3N120035K3S 是一款 1200 V、35 mohm 高性能 Gen 3 SiC 常開 JFET 晶體管。該器件具有超低導(dǎo)通電
2023-05-15 09:45:15
UJ3N120070K3S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UJ3N120070K3S 是一款 1200 V、70 mohm 高性能 Gen 3 SiC 常開 JFET 晶體管。該器件具有超低導(dǎo)
2023-05-15 09:57:00
第三代LonWorks技術(shù)和產(chǎn)品介紹
文章介紹了第三代LonWorks技術(shù)的應(yīng)用方向和結(jié)構(gòu)，以及美國(guó)Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks產(chǎn)品以及它們的主要技術(shù)特點(diǎn)
2010-03-18 09:55:0417 Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETUnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列產(chǎn)品，提供業(yè)界最佳
2024-02-26 19:40:31
Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進(jìn)的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能，設(shè)計(jì)用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內(nèi)存速度和增加內(nèi)存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進(jìn)的安全技術(shù)以及內(nèi)置工作負(fù)載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）針對(duì)云、企業(yè)、HPC、網(wǎng)絡(luò)、安全和IoT工作負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化，具有8到40個(gè)強(qiáng)大的內(nèi)核和頻率范圍、功能和功率級(jí)別
2024-02-27 11:58:54
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
第三代移動(dòng)通信常識(shí)
1、3G定義
3G是英文3rd Generation的縮寫，指第三代移動(dòng)通信技術(shù)。相對(duì)
2009-06-01 21:03:572479 萊迪思半導(dǎo)體公司日前宣布推出其第三代混合信號(hào)器件，Platform Manager系列。通過整合可編程模擬電路和邏輯，以支持許
2010-10-18 08:49:24711 LatticeECP3系列是來(lái)自萊迪思半導(dǎo)體公司的第三代高價(jià)值的FPGA，在業(yè)界擁有SERDES功能的FPGA器件中，它具有最低的功耗和價(jià)格
2011-03-23 10:41:36981 據(jù)一向不靠譜的臺(tái)灣媒體DigiTimes報(bào)道，蘋果將于今年夏季發(fā)布新款第三代iPad。新款第三代iPad將配備來(lái)自夏普的IGZO顯示屏，這種技術(shù)將使iPad變得更薄，電池更耐用。在第三代iPad發(fā)布之
2012-06-30 11:48:16625 前面讓我介紹基礎(chǔ)內(nèi)容，這是非常必要的。要想更好地了解第三代產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)與特點(diǎn)，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。
2018-04-09 15:42:506274 科銳（Nasdaq: CREE）旗下Wolfspeed于近日宣布推出最新第三代1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）系列，為電動(dòng)汽車動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)帶來(lái)性能突破。
2018-07-19 10:17:593499 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:299042 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布擴(kuò)展UF3C FAST產(chǎn)品系列，并推出采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅
2019-01-01 10:33:003613 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關(guān)型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:021767 招商引資名單中。 問題來(lái)了：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是真的進(jìn)入春天還是虛火上升？又有哪些行業(yè)真的需要GaN或SiC功率器件呢？相對(duì)于IGBT、MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET，GaN和SiC到底能為電子行業(yè)帶來(lái)哪些技術(shù)變革？ 為了回答這些問題，小編認(rèn)真閱讀了多
2020-12-08 17:28:0312548 深圳愛仕特科技公司第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品宣傳冊(cè)
2021-03-16 16:18:5934 第三代半導(dǎo)體Central issue 2020年10月，國(guó)星光電成功舉辦了首屆國(guó)星之光論壇，論壇上國(guó)星光電宣布將緊抓國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇，迅速拓展第三代半導(dǎo)體新賽道。近期，國(guó)星光電正式推出一系列第三代半導(dǎo)體
2021-04-22 11:47:102719 UnitedSiC SiC FET用戶手冊(cè)
2021-09-07 18:00:1317 UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。
2022-06-06 09:33:573458 
許多人選擇“七”這個(gè)數(shù)字是因?yàn)樗摹靶疫\(yùn)”屬性，而UnitedSiC選擇它則當(dāng)然是因?yàn)槠邆€(gè)引腳非常適合D2PAK半導(dǎo)體封裝。
2022-08-01 14:42:36744 表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購(gòu)）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開關(guān)損耗
2022-09-23 16:44:35576 
UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器讓為功率設(shè)計(jì)選擇SiC FET和SiC肖特基二極管變得輕而易舉。設(shè)計(jì)工程師只需：
2022-10-11 09:03:28556 UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo收購(gòu)）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封裝。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC FET），借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統(tǒng)功率密度。
2022-10-27 16:33:29739 2021?年?11?月， Qorvo? 收購(gòu) 領(lǐng)先的碳化硅?(SiC)?功率半導(dǎo)體制造商 United Silicon Carbide (UnitedSiC)。對(duì) UnitedSiC 的收購(gòu)
2022-11-30 10:55:02335 CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET，能夠在100kHz的頻率下實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效，且每個(gè)開關(guān)位置并聯(lián)三個(gè)器件。
2022-12-12 09:25:09446 在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:211381 
ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱"SiC-SBD"）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過程。
2023-02-10 09:41:07305 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過程。
2023-02-10 09:41:07611 
－進(jìn)入主題之前請(qǐng)您介紹了很多基礎(chǔ)內(nèi)容，下面請(qǐng)您介紹一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被稱為“第三代”，首先請(qǐng)您講一講各“代”的歷史。前面讓我介紹基礎(chǔ)內(nèi)容，這是非常必要的。
2023-02-16 09:55:07759 
仿真器可以提供許多信息，但無(wú)法告知哪些功率晶體管可以優(yōu)化您的設(shè)計(jì)，也無(wú)法確定晶體管在特定應(yīng)力水平下是否會(huì)損壞。這就是在線 FET-Jet 計(jì)算器的優(yōu)勢(shì)所在。閱讀本博客，了解該軟件如何簡(jiǎn)化器件選擇以及
2023-05-17 12:05:02259 
UnitedSiC SiC FET用戶指南
2023-12-06 15:32:24172 
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