羅杰斯公司于近日推出了新款 curamik?系列氮化硅 (Si3N4) 陶瓷基板。由于氮化硅的機(jī)械強(qiáng)度比其它陶瓷高，所以新款curamik? 基板能夠幫助設(shè)計(jì)者在嚴(yán)苛的工作環(huán)境以及 HEV/EV 和其它可再生
2012-08-07 11:34:16
3492 本文介紹了在緩沖氧化物腐蝕(BOE)溶液中溫度對(duì)氮化物和氧化物層腐蝕速率的影響。明確的框架結(jié)構(gòu)和減少的蝕刻時(shí)間將提高制造過(guò)程的生產(chǎn)率，該方法從圖案化氮化硅開(kāi)始，以研究在BOE工藝之后形成的框架結(jié)構(gòu)
2022-05-05 14:00:50907 
離子注入后的快速加熱退火(RTA)工藝是快速加熱步驟 (RTP)中最常使用的一種技術(shù)。當(dāng)離子注入完成后，靠近表面的硅晶體結(jié)構(gòu)會(huì)受到高能離子的轟擊而嚴(yán)重?fù)p傷，需要高溫退火消除損傷來(lái)恢復(fù)單晶結(jié)構(gòu)并激活
2022-10-24 09:26:428996 激光退火系統(tǒng)采用激光光源的能量來(lái)快速加熱晶圓表面到臨界溶化點(diǎn)溫度。由于硅的高導(dǎo)熱性，硅片表面可以在約1/10 ns范圍快速降溫冷卻。激光退火系統(tǒng)可以在離子注入后以最小的雜質(zhì)擴(kuò)散激活摻雜物離子，這種技術(shù)已被用于后45nm工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)。激光退火系統(tǒng)可用于尖峰退火系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的結(jié)果。
2022-11-12 09:13:052384 本內(nèi)容詳解了晶圓制造工藝流程，包括表面清洗，初次氧化，熱處理，光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)等
2011-11-24 09:32:106259 、 合金化6、 單面光刻（涂膠、對(duì)準(zhǔn)、曝光、顯影）7、 雙面光刻8、 LPCVD Si3N4 （氮化硅）9、 LPCVD POLY（多晶硅）10、 a-Si （非晶硅）11、 PECVD SiO2 （氧化硅
2015-01-07 16:15:47
滿足軍方對(duì)小型高功率射頻器件的需求，WBST 計(jì)劃在一定程度上依托早期氮化鎵在藍(lán)光 LED 照明應(yīng)用中的成功經(jīng)驗(yàn)。為了快速跟蹤氮化鎵在軍事系統(tǒng)中的應(yīng)用，WBST 計(jì)劃特準(zhǔn)計(jì)劃參與方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
的振動(dòng)和沖擊力，機(jī)械強(qiáng)度要求高。這就不得不提到我們今天的主角，氮化硅基板了。氮化硅的優(yōu)點(diǎn)1、在高溫下具有高強(qiáng)度和斷裂韌性。2、散熱系數(shù)高，熱膨脹系數(shù)與芯片匹配，同時(shí)具有極高的耐熱沖擊性。3、使用氮化硅陶瓷
2021-01-27 11:30:38
適應(yīng)高溫高壓的工作環(huán)境。氮化硅的散熱系數(shù)高，熱膨脹系數(shù)與芯片匹配，同時(shí)具有極高的耐熱沖擊性。能在及時(shí)散去電源系統(tǒng)中的高熱量，保證各大功率負(fù)載的正常運(yùn)行的同時(shí)，保護(hù)芯片正常工作。使用氮化硅陶瓷基板的設(shè)備
2021-01-21 11:45:54
堅(jiān)固耐用的設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)用于自動(dòng)拾取和插入聚酰亞胺劃痕保護(hù)快速切換速度：20nSLow Capacitance：50FF氮化硅鈍化MA4FCP305產(chǎn)品詳情MA4FCP305列由硅芯片倒裝PIN二極管
2018-11-16 11:53:06
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢(shì)，采用硅來(lái)做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
清洗，滿足高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn) 4.液溫加熱與自動(dòng)恒溫系統(tǒng)，溫控范圍為30-110℃ 5.獨(dú)立回收系統(tǒng)，溶劑干凈 四、其他清洗工藝 超聲清洗 1.加熱器、冷卻管 2.溫控系統(tǒng) 3.隔音系統(tǒng) 4.
2021-02-05 15:37:50
工程師的努力方向： 5．總結(jié) PoP技術(shù)在業(yè)界受到快速地接受驅(qū)動(dòng)了在元件及電路板層面上新的組裝方案的需求，同時(shí)對(duì)組裝工藝和設(shè) 備又有新的要求，組裝系統(tǒng)必須要有： ·高精度； ·高速浸蘸的能力
2018-09-06 16:32:13
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
青睞的刻蝕劑是氟化銨和醋酸1：2的混合水溶液。氮化硅濕法刻蝕對(duì)于鈍化層，另外一種受青睞的化合物是氮化硅。可以用液體化學(xué)的方法來(lái)刻蝕，但是不想其他層那樣容易。使用的化學(xué)品是熱磷酸。因酸液在此溫度下會(huì)迅速
2018-12-21 13:49:20
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-08-02 08:23:59
%。另外，以上研究結(jié)果都是建立在實(shí)驗(yàn)室基礎(chǔ)之上的，今后仍有很大的發(fā)展空間。圖4：利用“Na Flux（鈉助溶）法”和“Point Seed（點(diǎn)籽晶）法”可制作出高質(zhì)量、大尺寸的氮化硅襯底。利用“Na
2023-02-23 15:46:22
的了解有限，工藝設(shè)計(jì)方案漏洞多，很難獲得達(dá)到設(shè)計(jì)要求的MEMS器件和系統(tǒng)。因此，加強(qiáng)工藝設(shè)計(jì)是當(dāng)前MEMS設(shè)計(jì)中要解決的首要問(wèn)題。 本文所提出的IMEE系統(tǒng)，是一種以一個(gè)工藝為主線來(lái)貫穿整個(gè)
2019-06-25 06:41:25
系統(tǒng)能做得越小巧，則電動(dòng)車(chē)的電池續(xù)航力越高。這是電動(dòng)車(chē)廠商之所以對(duì)碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設(shè)備上攻城略地，氮化鎵組件則是在小型化電源應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域逐漸擴(kuò)散，與碳化硅
2021-09-23 15:02:11
1、 電子、物理、通信、材料等專(zhuān)業(yè)，本科以上學(xué)歷，3年以上的PECVD\LPCVD沉積工作經(jīng)驗(yàn)； 2、 了解半導(dǎo)體工藝、精通PECVD或LPCVD材料生長(zhǎng)技術(shù)； 3、 精通PECVD或LPCVD設(shè)備
2012-12-19 22:42:16
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來(lái)越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長(zhǎng)期
2019-08-20 08:01:20
FPGA在
系統(tǒng)中表現(xiàn)出的特性是由芯片制造的半導(dǎo)體
工藝決定的，當(dāng)然它們之間的關(guān)系比較復(fù)雜。過(guò)去，在每一節(jié)點(diǎn)會(huì)改進(jìn)
工藝的各個(gè)方面，每一新器件的最佳
工藝選擇是尺寸最小的最新
工藝?，F(xiàn)在，情況已不再如此?！ ?/div>
2019-09-17 07:40:28
是基本半導(dǎo)體針對(duì)新能源商用車(chē)等大型車(chē)輛客戶(hù)對(duì)主牽引驅(qū)動(dòng)器功率器件的高功率密度、長(zhǎng)器件壽命等需求而專(zhuān)門(mén)開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品?！ ≡摦a(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)ED3封裝，采用雙面有壓型銀燒結(jié)連接工藝、高密度銅線鍵合技術(shù)、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
氮化鎵(GaN)和射頻(RF)能量應(yīng)用為工業(yè)市場(chǎng)帶來(lái)重大變革。以前分享過(guò)氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過(guò)程，接下來(lái)在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化鎵如何用于工業(yè)加熱和干燥。從工業(yè)角度
2018-01-18 10:56:28
新型高頻感應(yīng)加熱設(shè)備工藝比較傳統(tǒng)加熱方式的優(yōu)勢(shì)新型高頻感應(yīng)加熱設(shè)備和傳統(tǒng)的加熱方式相比具有以下明顯的優(yōu)勢(shì)：①感應(yīng)加熱生產(chǎn)線的線速度、能源消耗費(fèi)用等指標(biāo)要比傳統(tǒng)加熱爐高一個(gè)數(shù)量級(jí)；②產(chǎn)品規(guī)格范圍寬
2011-06-19 09:16:38
晶體管管芯的工藝流程？光刻的工藝流程？pcb制版工藝流程？薄膜制備工藝流程？求大佬解答
2019-05-26 21:16:27
氮化硅層，摻雜磷 (P+5) 離子，形成 N 型阱 9、 退火處理，然后用 HF 去除 SiO2 層 10、干法氧化法生成一層 SiO2 層，然后 LPCVD 沉積一層氮化硅 11、利用光刻技術(shù)和離子
2011-12-01 15:43:10
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強(qiáng)度。在常溫和高溫下，碳化硅的機(jī)械強(qiáng)度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強(qiáng)度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強(qiáng)度為
2019-07-04 04:20:22
熱分解（約650 oC）淀積而成。采用選擇氧化進(jìn)行器件隔離時(shí)所使用的氮化硅薄膜也是用低壓CVD法，利用氨和SiH4 或Si2H6反應(yīng)面生成的，作為層間絕緣的SiO2薄膜是用SiH4和O2在400
2019-08-16 11:09:49
氣體在加熱基板上反應(yīng)或分解使其生成物淀積到基板上形成薄膜。CVD技術(shù)可以分為常壓、低壓、等離子體增強(qiáng)等不同技術(shù)。采用CVD所能制作的膜有多晶硅、單晶硅、非晶硅等半導(dǎo)體薄膜，氧化硅、氮化硅等絕緣體介質(zhì)
2018-11-05 15:42:42
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
請(qǐng)?jiān)敿?xì)敘述腐蝕工藝工段的工藝流程以及整個(gè)前道的工藝技術(shù)
2011-04-13 18:34:13
硅技術(shù)的迅猛發(fā)展使工程師們能夠設(shè)計(jì)和創(chuàng)建出新型電路，這些電路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)和PHEMT技術(shù)才能達(dá)到，電路的核心就是鍺化硅(SiGe)工藝
2019-07-30 07:56:50
低熱量化學(xué)氣相工藝制備氮化硅美國(guó)Aviza工藝公司開(kāi)發(fā)出一種低溫化學(xué)氣相沉積工藝(LPCVD)，可在500℃左右進(jìn)行氮化硅沉積。這個(gè)工藝使用一
2009-06-12 21:08:29729 MEMS表面微機(jī)械加工工藝是指所有工藝都是在圓片表面進(jìn)行的 MEMS 制造工藝。表面微加工中，采用低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)這一類(lèi)方法來(lái)獲得作為結(jié)構(gòu)單元的薄膜。表面微加工工藝采用若
2011-11-01 11:45:2311161 PCB工藝流程詳解
2017-01-28 21:32:49
0 ~的 太 陽(yáng) 電 池 。 RTP系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及原理概述 RTP系統(tǒng)利 用 鹵鎢燈 管 對(duì)樣品 進(jìn) 行 加熱 ，常 規(guī)熱處理 爐是 用 電 阻絲 進(jìn) 行 加 熱 。 鹵鎢
2017-11-07 09:52:0216 CMOS 工藝流程介紹
1.襯底選擇：選擇合適的襯底，或者外延片，本流程是帶外延的襯底；
2. 開(kāi)始：Pad oxide 氧化，如果直接淀積氮化硅，氮化硅對(duì)襯底應(yīng)力過(guò)大，容易出問(wèn)題；
2020-06-02 08:00:000 摘要：在半導(dǎo)體制造工藝的濕法刻蝕中，用熱磷酸刻蝕氮化硅和氮氧化硅是其中一個(gè)相對(duì)復(fù)雜又難以控制的工藝。在這個(gè)工藝中，熱磷酸刻蝕后的去離子水（ＤＩＷ）清洗更是一個(gè)非常重要的步驟。主要分析了由于去離子水
2020-12-29 14:36:072510 
瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）基礎(chǔ)科學(xué)學(xué)院的Tobias Kippenberg教授帶領(lǐng)的科學(xué)家團(tuán)隊(duì)已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造光子集成電路的新技術(shù)，得到了創(chuàng)記錄的低光學(xué)損耗，且芯片尺寸小。
2021-05-06 14:27:392334 近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）教授Tobias Kippenberg團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路（光子芯片）技術(shù)，得到了創(chuàng)紀(jì)錄的低光學(xué)損耗，且芯片尺寸小。相關(guān)研究在《自然—通訊》上發(fā)表。
2021-05-24 10:43:384490 氮化鎵晶片的化學(xué)機(jī)械拋光工藝綜述
2021-07-02 11:23:3644 在中紅外波長(zhǎng)下，演示了一種具有大纖芯-包層指數(shù)對(duì)比度的鍺基平臺(tái)——氮化硅鍺波導(dǎo)。仿真驗(yàn)證了該結(jié)構(gòu)的可行性。這種結(jié)構(gòu)是通過(guò)首先將氮化硅沉積的硅上鍺施主晶片鍵合到硅襯底晶片上，然后通過(guò)層轉(zhuǎn)移方法獲得氮化硅上鍺結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)的，該結(jié)構(gòu)可擴(kuò)展到所有晶片尺寸。
2021-12-16 17:37:571073 
關(guān)鍵詞:氮化硅，二氧化硅，磷酸，選擇性蝕刻，密度泛函理論，焦磷酸 介紹 信息技術(shù)給我們的現(xiàn)代社會(huì)帶來(lái)了巨大的轉(zhuǎn)變。為了提高信息技術(shù)器件的存儲(chǔ)密度，我們?nèi)A林科納使用淺溝槽隔離技術(shù)將半導(dǎo)體制造成無(wú)漏
2021-12-28 16:38:085460 
從晶圓到芯片，有哪些工藝流程？晶圓制造工藝流程步驟如下： 1.表面清洗 2.初次氧化 3.CVD 4.涂敷光刻膠 5.用干法氧化法將氮化硅去除 6.去除光刻膠 7.用熱磷酸去除氮化硅層 8.退火處理
2021-12-30 11:11:1617302 摘要 本文研究了氮化硅（氮化硅）基底的不同表面預(yù)處理（四種標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)蝕刻和四種金剛石粉末磨刻(CVD)的效率?？瞻?b class="flag-6" style="color: red">氮化硅樣品用膠體二氧化硅(0.25m)拋光。金剛石成核和生長(zhǎng)運(yùn)行在微波等離子體化學(xué)
2022-01-21 15:02:04652 
本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強(qiáng)原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進(jìn)行，例如在大約23丁和 大約200V之間
2022-02-15 11:11:143427 
摘要 在濕法工藝實(shí)施中使用單晶片處理器是先進(jìn)半導(dǎo)體制造的一種趨勢(shì)，因?yàn)樗哂袩o(wú)污染、靈活的工藝控制以及在不損壞圖案的情況下提高顆粒去除效率的優(yōu)點(diǎn)。然而，在氮化硅去除過(guò)程中，不僅磷酸消耗的成本
2022-02-15 16:38:571654 
摘要 等離子體蝕刻工藝，特別適用于在具有非氧化物成分的特征上選擇性蝕刻氧化物，例如氮化硅，尤其是當(dāng)該特征具有在氧化物蝕刻期間易于刻面的角部時(shí)。主要的含氟氣體，優(yōu)選六氟丁二烯 (C4F6)，與顯著更大
2022-02-24 13:42:292426 
是干法技術(shù)，其中顆粒從干燥的顆粒-氣溶膠流中沉積。晶片老化的程度通過(guò)清洗測(cè)試來(lái)量化。在顆粒沉積后的不同日子，清洗被氮化硅和鎢顆粒污染的晶片，并監(jiān)測(cè)清洗效率隨晶片儲(chǔ)存時(shí)間的變化。測(cè)試表明，與濕浸晶片相比，干沉積晶
2022-03-04 15:03:502588 
本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個(gè)方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液；(b)從硅源向等離子體提供硅；以及
2022-04-24 14:58:51979 
評(píng)估各種清洗技術(shù)的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過(guò)所需的清洗工藝處理晶片。國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖規(guī)定了從硅片上去除顆粒百分比的標(biāo)準(zhǔn)挑戰(zhàn)，該挑戰(zhàn)基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:381242 
硅局部氧化(LOCOS)的隔離效果比整面全區(qū)覆蓋式氧化效果好。LOCOS工藝使用一層很 薄的二氧化硅層200-500A作為襯墊層以緩沖LPCVD氮化硅的強(qiáng)張力。經(jīng)過(guò)氮化硅刻蝕、光 刻膠剝除和晶圓清洗后，沒(méi)有被氮化硅覆蓋的區(qū)域再生長(zhǎng)出一層厚度為3000?5000 A的氧化 層。
2022-08-12 11:18:057917 在半導(dǎo)體濕法蝕刻中， 熱磷酸廣泛地用于對(duì)氮化硅的去除工藝， 實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)溫下磷酸對(duì)氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發(fā)， 我們?nèi)A林科納分析了影響蝕刻率的各個(gè)因素， 并通過(guò)
2022-08-30 16:41:592998 
通過(guò)圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長(zhǎng)，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長(zhǎng)外延層。這個(gè)過(guò)程稱(chēng)為選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)。
2022-09-30 15:00:385893 材料。而氮化硅陶瓷板在各方面比較均衡，也是綜合性能最好的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。因此，Si3N4氮化硅在電力電子器件陶瓷基板制造領(lǐng)域具有很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。 過(guò)去，電路基板是由分立元件或集成電路與分立元件組合而成的平面材料，以滿足整
2022-10-07 10:22:001544 
RTCVD過(guò)程可以用來(lái)沉積多晶硅、氮化硅和二氧化硅，例如在淺溝槽隔離工藝中使用CVD氧化硅填充溝槽。
2022-11-08 09:52:20616 如今高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板因其優(yōu)異的機(jī)械性能和高導(dǎo)熱性而成為下一代大功率電子器件不可缺少的元件，適用于復(fù)雜和極端環(huán)境中的應(yīng)用。在這里，我們概述了制備高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷的最新進(jìn)展。
2022-11-10 10:01:332010 2022年9月，威海圓環(huán)先進(jìn)陶瓷股份有限公司生產(chǎn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板已經(jīng)達(dá)到量產(chǎn)規(guī)模，高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板各項(xiàng)理化指標(biāo)到了國(guó)際上行業(yè)領(lǐng)軍的質(zhì)量水平，突破了西方先進(jìn)國(guó)家在高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的技術(shù)保護(hù)和應(yīng)用產(chǎn)品對(duì)我國(guó)“卡脖子”難題。
2022-11-11 16:36:574150 
針對(duì)越來(lái)越明顯的大功率電子元器件的散熱問(wèn)題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進(jìn)展。對(duì)影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素、制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷的方法、燒結(jié)助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機(jī)械性能和介電性能等方面的最新研究進(jìn)展作了詳細(xì)論述
2022-12-06 09:42:40820 綜合上述研究可發(fā)現(xiàn)，雖然燒結(jié)方式不一樣，但都可以制備出性能優(yōu)異的氮化硅陶瓷。在實(shí)現(xiàn)氮化硅陶瓷大規(guī)模生產(chǎn)時(shí)，需要考慮成本、操作難易程度和生產(chǎn)周期等因素，因此找到一種快速、簡(jiǎn)便、低成本的燒結(jié)工藝是關(guān)鍵。
2022-12-06 10:30:392408 等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電子器件封裝。 由于具有優(yōu)異的硬度、機(jī)械強(qiáng)度和散熱性，氮化硅陶瓷和氮化鋁陶瓷基板都可以制成用于電子封裝的陶瓷基板，同時(shí)它們也具有不同的性能和優(yōu)勢(shì)。以下就是區(qū)別。 1、散熱差異 氮化硅陶瓷基板的導(dǎo)熱
2022-12-09 17:18:241219 
存儲(chǔ)單元中，電荷的存儲(chǔ)層可以是浮柵或氮化硅電荷俘獲層(Charge-Trapping Layer, CTL)。三維CTL垂直溝道型NAND 閃存(3D NAND 或 V-NAND)基于無(wú)結(jié)型 (Junctionless， JL)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFT)，具有更好的可靠性。
2023-02-03 09:16:578266 氮化鎵工藝發(fā)展現(xiàn)狀 氮化鎵是當(dāng)前發(fā)展最成款的競(jìng)禁帶半導(dǎo)體材料，世界各國(guó)對(duì)氮化鎵的研究重視，美歐日等不僅從國(guó)家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃。氮化鎵因具有很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應(yīng)用范圍卻超過(guò)
2023-02-03 14:58:16942 氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過(guò)高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過(guò)控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:004345 硅基氮化鎵外延生長(zhǎng)是在硅片上經(jīng)過(guò)各種氣體反應(yīng)在硅片上層積幾層氮化鎵外延層，為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路，縮小并制作在極小面積上的一種電子產(chǎn)品。氮化鎵功率器件制造主要
2023-02-11 11:31:426163 
現(xiàn)今，氮化硅（SiN）為光子集成提供了更多的途徑，包括新的200mm、高產(chǎn)量、汽車(chē)級(jí)CMOS生產(chǎn)線。在過(guò)去的幾年里，SiN緊隨確立已久的硅光子學(xué)之后，該材料平臺(tái)已經(jīng)成熟，并在光子集成電路（PIC）市場(chǎng)上，為那些需要非常低傳播損耗、可見(jiàn)波長(zhǎng)或高激光功率的應(yīng)用提供了新的機(jī)會(huì)。
2023-02-15 16:37:09878 
氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測(cè)處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3210570 Nexperia（安世半導(dǎo)體）的高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，共將分為（上）（下）兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)品及封裝等
內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperia（安世半導(dǎo)體）氮化鎵產(chǎn)品的成熟的工藝
2023-02-22 15:40:430 國(guó)產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級(jí)SiC功率模塊，提升新能源汽車(chē)加速度、續(xù)航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項(xiàng)性能優(yōu)勢(shì)
2023-03-15 17:22:551018 
氮化硅材料的引入，為人們提供了一個(gè)解決方案。氮化硅不僅具有多項(xiàng)優(yōu)異的光學(xué)特性，而且氮化硅片上集成光波導(dǎo)的加工也能完美兼容當(dāng)下標(biāo)準(zhǔn)的CMOS硅芯片制造工藝。目前，世界上僅少數(shù)幾個(gè)實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)了0.01 dB每厘米甚至更低的光傳輸損耗。
2023-03-22 09:49:29506 氮化硅研磨環(huán)由于研磨環(huán)存在內(nèi)外氣壓差，可以在密閉的真空或者很濃密的場(chǎng)景中快速的上下運(yùn)動(dòng)，氮化硅磨介圈在大的球磨機(jī)里不僅起到研磨粉碎的作用，更重要的是眾多的氮化硅磨介圈環(huán)會(huì)發(fā)生共振現(xiàn)象，氮化硅
2023-03-31 11:40:35597 
氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點(diǎn)。這使得氮化硅線路板有著廣泛的應(yīng)用前景和市場(chǎng)需求，正因?yàn)槿绱怂估ìF(xiàn)正全力研發(fā)氮化硅作為基材的線路板。
2023-04-11 12:02:401364 
近日，上海玻璃鋼研究院有限公司的高級(jí)工程師趙中堅(jiān)沿著該思路，以純纖維狀α-Si3N4粉為主要原料，通過(guò)添加一定比例氧化物燒結(jié)助劑，經(jīng)冷等靜壓成型和氣氛保護(hù)無(wú)壓燒結(jié)工藝燒結(jié)制備出了能充分滿足高性能導(dǎo)彈天線罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:461279 詳解半導(dǎo)體封裝測(cè)試工藝
2023-05-31 09:42:18997 
氮化硅陶瓷軸承球與鋼質(zhì)球相比具有突出的優(yōu)點(diǎn):密度低、耐高溫、自潤(rùn)滑、耐腐蝕。疲勞壽命破壞方式與鋼質(zhì)球相同。陶瓷球作為高速旋轉(zhuǎn)體產(chǎn)生離心應(yīng)力，氮化硅的低密度降低了高速旋轉(zhuǎn)體外圈上的離心應(yīng)力。
2023-07-05 10:37:061561 
氮化鋁具有較高的熱導(dǎo)性，比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環(huán)境中可以更有效地傳導(dǎo)熱量。
2023-07-06 15:41:231061 氮化硅是一種半導(dǎo)體材料。氮化硅具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過(guò)摻雜來(lái)調(diào)節(jié)其導(dǎo)電性能，因此被視為一種重要的半導(dǎo)體材料。
2023-07-06 15:44:433823 半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541223 
PECVD作為太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中的一種工藝，對(duì)其性能的提升起著關(guān)鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽(yáng)能電池片的表面，從而有效提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換率。但為了清晰客觀的檢測(cè)沉積后太陽(yáng)能電池
2023-09-27 08:35:491775 
PCB工藝流程詳解
2022-12-30 09:20:249 PCB工藝流程詳解
2023-03-01 15:37:447 據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道，經(jīng)過(guò)兩年、十余次的設(shè)計(jì)和工藝迭代，國(guó)科光芯（海寧）科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)：國(guó)科光芯）在國(guó)內(nèi)首個(gè)8英寸低損耗氮化硅硅光量產(chǎn)平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)了傳輸損耗-0.1 dB/cm（1550 nm波長(zhǎng)
2023-11-17 09:04:54656 京瓷株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱(chēng)京瓷）成功研發(fā)用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下簡(jiǎn)稱(chēng)SN）高性能光源。
2023-12-15 09:18:06234 
在芯片制造中，有一種材料扮演著至關(guān)重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。
2023-12-20 18:16:09511 
TOPCon 電池的制備工序包括清洗制絨、正面硼擴(kuò)散、BSG 去除和背面刻蝕、氧化層鈍化接觸制備、正面氧化鋁沉積、正背面氮化硅沉積、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)和測(cè)試分選，約 12 步左右。從技術(shù)路徑角度：LPCVD 方式為目前量產(chǎn)的主流工藝，預(yù)計(jì) PECVD 路線有望成為未來(lái)新方向。
2023-12-26 14:59:112733 
SMT關(guān)鍵工序再流焊工藝詳解
2024-01-09 10:12:30185 
LPCVD是低壓化學(xué)氣相沉積（low-pressurechemical vapor deposition）的縮寫(xiě)，低壓主要是相對(duì)于常壓的APCVD而言，主要區(qū)別點(diǎn)就是工作環(huán)境的壓強(qiáng)，LPCVD的壓強(qiáng)通常只有10~1000Pa，而APCVD壓強(qiáng)約為101.3KPa。
2024-01-22 10:38:35167 
在MEMS工藝中，常用的退火方法，如高溫爐管退火和快速熱退火（RTP）。RTP (Rapid Thermal Processing)是一種在很短的時(shí)間內(nèi)將整個(gè)硅片加熱到400~1300°C范圍的方法。
2024-03-19 15:21:05122 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論