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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>工藝綜述>半導(dǎo)體工藝中化學(xué)機(jī)械拋光后刷洗的理論分析

半導(dǎo)體工藝中化學(xué)機(jī)械拋光后刷洗的理論分析

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半導(dǎo)體工藝

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯 半導(dǎo)體工藝
2012-08-20 09:02:05

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半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)是什么?

業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
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三星半導(dǎo)體誠(chéng)聘以下人員

半導(dǎo)體原材料/工序不良的原因- 預(yù)防半導(dǎo)體設(shè)備配件的品質(zhì)活動(dòng)- 查明原材料基因 FAB 工序不良的真正原因及改善活動(dòng)任職資格:- 本科及以上學(xué)歷,化學(xué)、化工、材料、新原材料、機(jī)械等相關(guān)專業(yè)- 有無(wú)
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為什么說(shuō)移動(dòng)終端發(fā)展引領(lǐng)了半導(dǎo)體工藝新方向?

哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用?對(duì)此,業(yè)界存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
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什么是拋光工藝

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新型銅互連方法—電化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究進(jìn)展

化學(xué)機(jī)械平坦化技術(shù)的新穎銅平坦化工藝———電化學(xué)機(jī)械拋光(ECMP)應(yīng)運(yùn)而生,ECMP 在很低的壓力下實(shí)現(xiàn)了對(duì)銅的平坦化,解決了多孔低介電常數(shù)介質(zhì)的平坦化問(wèn)題,被譽(yù)為未來(lái)半導(dǎo)體平坦化技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)
2009-10-06 10:08:07

有關(guān)半導(dǎo)體工藝的問(wèn)題

問(wèn)個(gè)菜的問(wèn)題:半導(dǎo)體(或集成電路)工藝   來(lái)個(gè)人講講 半導(dǎo)體工藝 集成電路工藝工藝 CMOS工藝的概念和區(qū)別以及聯(lián)系吧。查了一下:集成電路工藝(integrated
2009-09-16 11:51:34

簡(jiǎn)述半導(dǎo)體超純水設(shè)備工藝流程及標(biāo)準(zhǔn)參考分析

工藝流程也不同。按照目前絕大部分線路板廠的使用情況來(lái)看,大概分為以下三種類型:預(yù)處理加離子交換純水系統(tǒng);反滲透加離子交換系統(tǒng);高效反滲透EDI超純水設(shè)備?! ?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程,F(xiàn)PC/PCB濕流程
2013-08-12 16:52:42

蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司招賢納士

刻蝕工藝以滿足工藝集成要求; 3、 與其他工程師緊密配合,進(jìn)行半導(dǎo)體工藝流程分析 任職要求: 1、大學(xué)本科學(xué)歷(含)以上 2、掌握半導(dǎo)體基礎(chǔ)理論,制品及器件技術(shù),熟悉設(shè)備 、工藝 、 制造等相關(guān)內(nèi)容
2016-10-26 17:05:04

適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況介紹

,元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無(wú)線通信的發(fā)展,高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣,今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41

化學(xué)半導(dǎo)體

化學(xué)半導(dǎo)體 本篇報(bào)告著重于半導(dǎo)體的原理、產(chǎn)業(yè)與理論性的探討。第一部分將介紹半導(dǎo)體的發(fā)展歷史;第二部份的三個(gè)單元為半導(dǎo)體的制程,分別介紹薄膜沉積、離子布植術(shù)和
2009-03-06 11:38:4927

#硬聲創(chuàng)作季 #芯片制造 IC制造工藝-8-5 平坦化技術(shù)-化學(xué)機(jī)械拋光CMP的應(yīng)用

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化學(xué)機(jī)械拋光(chemical mechanical polishing,簡(jiǎn)稱CMP)技術(shù)幾乎是迄今惟一的可以提供全局平面化的表面精加工技術(shù),可廣泛用于集成電路芯片、計(jì)算機(jī)硬磁盤、微型機(jī)械
2018-11-16 08:00:0014

全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)今(2019)年將增長(zhǎng)2%

半導(dǎo)體材料主要用于前端(晶圓制造)和后端(封裝),其占比約為6:4。前端材料包括硅晶圓、光掩膜、光刻膠、光刻膠輔助材料、濕化學(xué)品、氣體、濺射靶材料、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)漿、研磨墊和一些新材料
2019-01-18 17:43:224871

等離子電漿拋光機(jī)的優(yōu)缺點(diǎn)

等離子電漿拋光機(jī)還不能徹底取代機(jī)械拋光。等離子電漿拋光機(jī)只是對(duì)金屬表面上起微觀整平效果。宏觀的整平要靠機(jī)械拋光。等離子電漿拋光機(jī)對(duì)資料化學(xué)成分的不均勻性和顯微偏析特別靈敏,使金屬基本體和非金屬雜物
2019-03-30 15:22:373182

科創(chuàng)板首批過(guò)會(huì)名單出爐 為何半導(dǎo)體材料企業(yè)安集科技能入選?

6月5日,上交所發(fā)布科創(chuàng)板上市委第1次審議會(huì)議結(jié)果,同意微芯生物、安集科技、天準(zhǔn)科技3家公司首發(fā)上市申請(qǐng)。其中,安集科技主營(yíng)業(yè)務(wù)為關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化,目前產(chǎn)品包括不同系列的化學(xué)機(jī)械拋光
2019-07-01 18:48:382306

半導(dǎo)體是怎么成為科創(chuàng)板的“寵兒”

讓人詫異的是,其中至少半數(shù)企業(yè)都隸屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域,涵蓋材料、分立元件和集成電路設(shè)計(jì)等各個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)。而只憑借化學(xué)機(jī)械拋光液和光刻膠去除劑兩大招牌,安集科技就收獲了開盤當(dāng)天漲幅超400%的“第一股”名號(hào),這一點(diǎn)也頗讓人咋舌。
2019-08-09 16:02:505421

mems傳感器現(xiàn)狀_mems傳感器制作工藝

MEMS技術(shù)基于已經(jīng)是相當(dāng)成熟的微電子技術(shù)、集成電路技術(shù)及其加工工藝。它與傳統(tǒng)的IC工藝有許多相似之處,如光刻、薄膜沉積、摻雜、刻蝕、化學(xué)機(jī)械拋光工藝等,但是有些復(fù)雜的微結(jié)構(gòu)難以用IC工藝實(shí)現(xiàn),必須采用微加工技術(shù)制造。
2019-12-25 10:03:092630

我國(guó)CMP拋光材料國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加快,國(guó)內(nèi)CMP材料市場(chǎng)迎來(lái)發(fā)展機(jī)遇

化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是化學(xué)腐蝕與機(jī)械磨削相結(jié)合的一種拋光方法,是集成電路制造過(guò)程中實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝。從CMP材料的細(xì)分市場(chǎng)來(lái)看,拋光液和拋光墊的市場(chǎng)規(guī)模占比最大。從全球企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看
2020-09-04 14:08:074875

國(guó)內(nèi)CMP材料市場(chǎng)迎來(lái)發(fā)展機(jī)遇,國(guó)產(chǎn)化和本土化供應(yīng)進(jìn)程將加快

化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是化學(xué)腐蝕與機(jī)械磨削相結(jié)合的一種拋光方法,是集成電路制造過(guò)程中實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝
2020-11-02 16:07:401967

化學(xué)機(jī)械拋光是一種廣泛應(yīng)用的高精度全局平面化技術(shù)

摘要:化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)是目前廣泛采用的幾乎唯一的高精度全局平面化技術(shù)。拋光后表面的清洗質(zhì)量直接關(guān)系到CMP技術(shù)水平的高低。介紹了各種機(jī)械、物理及化學(xué)清洗方法與工藝技術(shù)優(yōu)缺點(diǎn),指出
2020-12-29 12:03:261548

半導(dǎo)體工藝化學(xué)原理

半導(dǎo)體工藝化學(xué)原理。
2021-03-19 17:07:23111

華海清科正在闖關(guān)科創(chuàng)板IPO,本次募資項(xiàng)目投資總額10億元

華海清科正在闖關(guān)科創(chuàng)板IPO,本次募資項(xiàng)目投資總額10億元,用于投資高端半導(dǎo)體裝備(化學(xué)機(jī)械拋光機(jī))產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、高端半導(dǎo)體裝備研發(fā)項(xiàng)目、晶圓再生擴(kuò)產(chǎn)升級(jí)項(xiàng)目以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。
2021-04-01 10:00:343604

半導(dǎo)體單晶拋光片清洗工藝分析

通過(guò)對(duì) Si , CaAs , Ge 等半導(dǎo)體材料單晶拋光片清洗工藝技術(shù)的研究 , 分析得出了半導(dǎo)體材料單晶拋光片的清洗關(guān)鍵技術(shù)條件。首先用氧化性溶液將晶片表面氧化 , 然后用一定的方法將晶片表面
2021-04-08 14:05:3949

拋光片(CMP)市場(chǎng)和技術(shù)現(xiàn)狀

介紹了硅拋光片在硅材料產(chǎn)業(yè)中的定位和市場(chǎng)情況,化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)的特點(diǎn),硅拋光片大尺寸化技術(shù)問(wèn)題和發(fā)展趨勢(shì),以及硅拋光片技術(shù)指標(biāo),清洗工藝組合情況等
2021-04-09 11:29:5935

化學(xué)機(jī)械拋光CMP技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用及存在問(wèn)題

在亞微米半導(dǎo)體制造中,器件互連結(jié)構(gòu)的平坦化正越來(lái)越廣泛采用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù),這幾乎是目前唯一的可以提供在整個(gè)硅圓晶片上全面平坦化的工藝技術(shù)。本文綜述了化學(xué)機(jī)械拋光的基本工作原理、發(fā)展?fàn)顩r及存在問(wèn)題。
2021-04-09 11:43:519

化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)的發(fā)展、應(yīng)用及存在問(wèn)題

在亞微米半導(dǎo)體制造中 , 器件互連結(jié)構(gòu)的平坦化正越來(lái)越廣泛采用化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP) 技術(shù) , 這幾乎是目前唯一的可以提供在整個(gè)硅圓晶片上全面平坦化的工藝技術(shù)。本文綜述了化學(xué)機(jī)械拋光的基本工作原理、發(fā)展?fàn)顩r及存在問(wèn)題。
2021-06-04 14:24:4712

氮化鎵晶片的化學(xué)機(jī)械拋光工藝綜述

氮化鎵晶片的化學(xué)機(jī)械拋光工藝綜述
2021-07-02 11:23:3644

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》III-V族化學(xué)-機(jī)械拋光工藝開發(fā)

書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章:III-V族化學(xué)-機(jī)械拋光工藝開發(fā) 編號(hào):JFKJ-21-214 作者:炬豐科技 摘要 ? III-V材料與絕緣子上硅平臺(tái)的混合集成是一種很有前景的技術(shù)
2023-04-18 10:05:00151

功率放大器在機(jī)械拋光研究中的應(yīng)用綜述

功率放大器在機(jī)械拋光研究中的應(yīng)用綜述
2021-08-27 16:46:3417

Si和Ge的濕式化學(xué)刻蝕—蘇州華林科納半導(dǎo)體

處理器中的覆蓋刻蝕,以及iii .硅鍺/硅異質(zhì)結(jié)構(gòu)的橫向刻蝕。 實(shí)驗(yàn) 通過(guò)減壓化學(xué)氣相沉積(RP-CVD)在Si100襯底上的厚的線性漸變Si1yGeY y x緩沖層上生長(zhǎng)厚度約為1 μm的本征Si1xGeX層.14在生長(zhǎng)的疊層上使用化學(xué)機(jī)械拋光來(lái)去除表面交叉影線。用盧瑟福背散射光譜法
2021-12-31 15:02:201608

刷洗清洗過(guò)程中的顆粒去除機(jī)理—江蘇華林科納半導(dǎo)體

引言 化學(xué)機(jī)械拋光是實(shí)現(xiàn)14納米以下半導(dǎo)體制造的最重要工藝之一。此外,化學(xué)機(jī)械拋光后缺陷控制是提高產(chǎn)量和器件可靠性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。由于亞14納米節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)器件的復(fù)雜性,化學(xué)機(jī)械拋光引起的缺陷需要固定
2022-01-11 16:31:39443

多晶硅薄膜后化學(xué)機(jī)械拋光的新型清洗解決方案

索引術(shù)語(yǔ)—清洗、化學(xué)機(jī)械拋光、乙二胺四乙酸、多晶硅、三氧化二氫。 摘要 本文為后化學(xué)機(jī)械拋光工藝開發(fā)了新型清洗液,在稀釋的氫氧化銨(NH4OH+H2O)堿性水溶液中加入表面活性劑四甲基氫氧化銨
2022-01-26 17:21:18550

化學(xué)機(jī)械拋光刷洗理論分析報(bào)告

化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗,特別是刷子擦洗,是半導(dǎo)體器件制造的一個(gè)關(guān)鍵步驟,尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評(píng)估在刷擦洗過(guò)程中去除晶圓表面的粘附顆粒,或者是否必須發(fā)生刷-粒子接觸??紤]了直徑
2022-01-27 10:25:27335

CMP后化學(xué)機(jī)械拋光清洗中的納米顆粒去除報(bào)告

化學(xué)機(jī)械拋光最初用于玻璃和硅片拋光。隨著其功能的增加,化學(xué)機(jī)械拋光被引入到平面化層間電介質(zhì)(ILD)、淺溝槽隔離(STI)和用于片上多級(jí)互連的鑲嵌金屬布線中。該工藝適用于半導(dǎo)體加工
2022-01-27 11:39:13662

III-V族化學(xué)-機(jī)械拋光工藝開發(fā)

件文章全部詳情:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁的設(shè)計(jì)和制造提供了許多優(yōu)勢(shì),但對(duì)于 一種高效的耦合,是一種非常薄(幾十納米)且均勻的鍵合層。 然而BCB在SOI波導(dǎo)結(jié)構(gòu)上的平坦性較差。 關(guān)鍵詞:消失偶聯(lián),膠接,BCB,化學(xué)機(jī)械平整度,平整度 介紹 硅光子學(xué)顯得非常有前
2022-02-24 14:02:481357

半導(dǎo)體制造過(guò)程中刷洗力的研究

為了確保高器件產(chǎn)量,在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,必須在幾個(gè)點(diǎn)監(jiān)控和控制晶片表面污染和缺陷。刷式洗滌器是用于實(shí)現(xiàn)這種控制的工具之一,尤其是在化學(xué)機(jī)械平面化工藝之后。盡管自20世紀(jì)90年代初以來(lái),刷子刷洗就已在生產(chǎn)中使用,但刷洗過(guò)程中的顆粒去除機(jī)制仍處于激烈的討論之中。這項(xiàng)研究主要集中在分析擦洗過(guò)程中作用在顆粒上的力。
2022-03-16 11:52:33432

化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的現(xiàn)狀和未來(lái)

幾乎所有的直接晶圓鍵合都是在化學(xué)機(jī)械拋光的基板之間或在拋光基板頂部的薄膜之間進(jìn)行的。在晶圓鍵合中引入化學(xué)機(jī)械拋光將使大量材料適用于直接晶圓鍵合,這些材料在集成電路、集成光學(xué)、傳感器和執(zhí)行器以及微機(jī)電系統(tǒng)中已經(jīng)發(fā)現(xiàn)并將發(fā)現(xiàn)更多應(yīng)用。
2022-03-23 14:16:001272

采用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝去除機(jī)理

采用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝,在半導(dǎo)體工業(yè)中已被廣泛接受氧化物電介質(zhì)和金屬層平面化。使用它以確保多層芯片之間的互連是實(shí)現(xiàn)了介質(zhì)材料的可靠和厚度是一致且充分的。在CMP過(guò)程中,晶圓是當(dāng)被載體
2022-03-23 14:17:511643

硅晶圓制造中需要的半導(dǎo)體設(shè)備

制作一顆硅晶圓需要的半導(dǎo)體設(shè)備大致有十個(gè),它們分別是單晶爐、氣相外延爐、氧化爐、磁控濺射臺(tái)、化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)、光刻機(jī)、離子注入機(jī)、引線鍵合機(jī)、晶圓劃片機(jī)、晶圓減薄機(jī)。
2022-04-02 15:47:495139

模具拋光工藝流程及技巧

機(jī)械拋光基本程序  要想獲得高質(zhì)量的拋光效果,最重要的是要具備有高質(zhì)量的油石、砂紙和鉆石研磨膏等拋光工具和輔助品。而拋光程序的選擇取決于前期加工后的表面狀況,如機(jī)械加工、電火花加工,磨加工等等。
2022-04-12 09:53:585219

聚乙烯醇刷非接觸擦洗對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光后清洗的影響

介紹 聚乙烯醇刷洗化學(xué)溶液清洗過(guò)程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分為兩大類,根據(jù)其接觸類型(非接觸,完全接觸)。全接觸擦洗被認(rèn)為是去除晶片表面污染物的最佳有效清潔方法之一。然而,許多研究人員指責(zé)
2022-05-07 15:49:56910

化學(xué)機(jī)械拋光工藝(Chemical Mechanical Polishing,CMP)

CMP 所采用的設(shè)備及耗材包括拋光機(jī)、拋光液(又稱研磨液)、拋光墊、拋光后清洗設(shè)備、拋光終點(diǎn)(End Point)檢測(cè)及工藝控制設(shè)備、廢物處理和檢測(cè)設(shè)備等。
2022-11-08 09:48:1211578

安集科技新增訂單持續(xù)突破:國(guó)產(chǎn)替代&海外市場(chǎng)兩手抓

均有新增訂單發(fā)生 安集科技的主要產(chǎn)品是化學(xué)機(jī)械拋光液和光刻膠去除劑,主要應(yīng)用于集成電路制造和先進(jìn)封裝領(lǐng)域。作為半導(dǎo)體材料行業(yè)上市公司,安集科技依靠先進(jìn)技術(shù)保持領(lǐng)先的市場(chǎng)地位。 ? 對(duì)于2022年前三季度的出色成績(jī),安集科技評(píng)價(jià)到,公司通過(guò)完善化學(xué)機(jī)械拋光
2022-12-01 15:44:21733

半導(dǎo)體原材料到拋光晶片的基本工藝流程

 半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體器件在世界電子工業(yè)發(fā)展扮演的角色我們前幾天已經(jīng)聊過(guò)了。而往往身為使用者的我們都不太會(huì)去關(guān)注它成品之前的過(guò)程,接下來(lái)我們就聊聊其工藝流程。今天我們來(lái)聊聊如何從原材料到拋光晶片的那些事兒。
2023-04-14 14:37:502035

碳化硅晶片的超精密拋光工藝

使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn),探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長(zhǎng)及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對(duì)晶片表面粗糙度的影響,并對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化,最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級(jí)光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215

藍(lán)寶石在化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中的材料去除機(jī)理

化學(xué)腐蝕點(diǎn)處的濃度越高,腐蝕速率越快。在拋光過(guò)程中拋光液持續(xù)流動(dòng),我們假設(shè)在腐蝕點(diǎn)處的濃度可以保持初始時(shí)的濃度,腐蝕率以最快的速度發(fā)生,則拋光液不同的PH值對(duì)應(yīng)一個(gè)腐蝕率,由此可見,去除速率與PH值有關(guān),PH越高,速率越快。
2023-06-02 15:24:06348

9.6.7 化學(xué)機(jī)械拋光液∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)鏈接:8.8.10化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)(CMP)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》?
2022-03-01 10:40:56337

9.6.8 化學(xué)機(jī)械拋光墊和化學(xué)機(jī)械修整盤∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

審稿人:浙江大學(xué)余學(xué)功https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)鏈接:8.8.10化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)(
2022-02-28 11:20:38271

超精密雙面拋光的加工原理

超精密兩面拋光加工是化學(xué)機(jī)械拋光的應(yīng)用(CMP)技術(shù)性,借助產(chǎn)品工件、碾磨顆粒物、拋光劑和拋光輪的機(jī)械作用,在工件打磨拋光環(huán)節(jié)中,發(fā)生部分持續(xù)高溫和髙壓,使產(chǎn)品與碾磨顆粒物、拋光劑和拋光輪中間最直接
2022-11-01 11:38:532191

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈叩門A股消息頻傳 盾源聚芯深主板IPO受理!

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈硅部件供應(yīng)商盾源聚芯沖刺IPO上市! 近日,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈叩門A股消息頻傳,化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)設(shè)備供應(yīng)商晶亦精微,半導(dǎo)體功率器件企業(yè)華羿微電均在沖刺科創(chuàng)板上市。 硅部件供應(yīng)商寧夏
2023-07-18 10:43:08368

cmp是什么意思 cmp工藝原理

CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝,其中根據(jù)工藝
2023-07-18 11:48:183035

半導(dǎo)體行業(yè)中的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)詳解

20世紀(jì)60年代以前,半導(dǎo)體基片拋光還大都沿用機(jī)械拋光,得到的鏡面表面損傷是極其嚴(yán)重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后,以SiO2漿料為代表的化學(xué)機(jī)械拋光工藝就逐漸代替了以上舊方法。
2023-08-02 10:48:407529

半導(dǎo)體工藝里的濕法化學(xué)腐蝕

濕法腐蝕在半導(dǎo)體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學(xué)的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705

中圖共聚焦顯微鏡在化學(xué)機(jī)械拋光課題研究中的應(yīng)用

兩個(gè)物體表面相互接觸即會(huì)產(chǎn)生相互作用力,研究具有相對(duì)運(yùn)動(dòng)的相互作用表面間的摩擦、潤(rùn)滑與磨損及其三者之間關(guān)系即為摩擦學(xué),目前摩擦學(xué)已涵蓋了化學(xué)機(jī)械拋光、生物摩擦、流體摩擦等多個(gè)細(xì)分研究方向,其研究
2023-09-20 09:24:040

等離子體基銅蝕刻工藝及可靠性

近年來(lái),銅(Cu)作為互連材料越來(lái)越受歡迎,因?yàn)樗哂械碗娮杪省⒉粫?huì)形成小丘以及對(duì)電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上,化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法用于制備銅細(xì)線。除了復(fù)雜的工藝步驟之外,該方法的一個(gè)顯著缺點(diǎn)是需要許多對(duì)環(huán)境不友好的化學(xué)品,例如表面活性劑和強(qiáng)氧化劑。
2023-11-08 09:46:21188

芯秦微獲A+輪融資,用于化學(xué)機(jī)械拋光液產(chǎn)線建設(shè)

化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是目前最主流的晶圓拋光技術(shù),拋光過(guò)程中,晶圓廠會(huì)根據(jù)每一步晶圓芯片平坦度的加工要求,選擇符合去除率(MRR)和表面粗糙度(Ra)等指標(biāo)要求的拋光液,來(lái)提高拋光效率和產(chǎn)品良率。
2023-11-16 16:16:35213

CMP拋光墊有哪些重要指標(biāo)?

CMP(Chemical Mechanical Polishing)即“化學(xué)機(jī)械拋光”,是為了克服化學(xué)拋光機(jī)械拋光的缺點(diǎn)
2023-12-05 09:35:19417

SK海力士研發(fā)可重復(fù)使用CMP拋光墊技術(shù)

需要指出的是,CMP 技術(shù)通過(guò)化學(xué)機(jī)械作用使得待拋光材料表面達(dá)到所需平滑程度。其中,拋光液中化學(xué)物質(zhì)與材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成易于拋光的軟化層。拋光墊和研磨顆粒則負(fù)責(zé)物理機(jī)械拋光,清除這一軟化層。
2023-12-27 10:58:31336

SK海力士研發(fā)可重復(fù)使用CMP拋光墊技術(shù),降低成本并加強(qiáng)ESG管理

CMP技術(shù)指的是在化學(xué)機(jī)械的協(xié)同作用下,使得待拋光原料表面達(dá)到指定平面度的過(guò)程。化學(xué)藥水與原料接觸后,生成易于拋光的軟化層,隨后利用拋光墊以及研磨顆粒進(jìn)行物理機(jī)械拋光,以清除軟化層。
2023-12-28 15:13:06410

晶亦精微科創(chuàng)板IPO成功過(guò)會(huì),募資近13億投入半導(dǎo)體裝備研發(fā)

上海證券交易所(上交所)近日宣布,北京晶亦精微科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“晶亦精微”)的首次公開募股(IPO)已經(jīng)成功過(guò)會(huì),未來(lái)該公司將在科創(chuàng)板上市。晶亦精微是一家專注于半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的公司,主要從事化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)設(shè)備及其配件的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)。
2024-02-20 09:45:34297

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