。金屬污染對(duì)芯片有害，所以應(yīng)避免裸晶圓片上有金屬污染。本文的研究目的是交流解決裸硅圓片上金屬污染問(wèn)題的經(jīng)驗(yàn)，介紹如何使用互補(bǔ)性測(cè)量方法檢測(cè)裸硅圓片上的少量金屬污染物并找出問(wèn)題根源，解釋從多個(gè)不同的檢測(cè)方法中選擇適合方法的難度，以及用壽命測(cè)量技術(shù)檢測(cè)污染物對(duì)熱處理的依賴(lài)性。 I.前言 本文旨
2021-02-23 17:08:39
4648 
本文討論并演示了痕量污染物分析儀的功能。該分析工具利用電噴霧飛行時(shí)間質(zhì)譜儀對(duì)晶圓清洗溶液進(jìn)行全自動(dòng)在線監(jiān)測(cè)。該分析儀通過(guò)其在正負(fù)模式下提供強(qiáng)(元素)和弱(分子)電離的能力，提供了關(guān)于金屬、陰離子
2022-03-08 14:06:581412 
在超大規(guī)模集成(ULSI)制造的真實(shí)生產(chǎn)線中，器件加工過(guò)程中存在各種污染物。由于超大規(guī)模集成電路器件工藝需要非常干凈的表面，因此必須通過(guò)清潔技術(shù)去除污染物，例如使用批量浸漬工具進(jìn)行濕法清潔批量旋轉(zhuǎn)
2022-03-16 11:54:09948 
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體的制造。在清洗步驟后，“PIRANHA-RCA”清洗順序的“SC 1”步驟中加入了預(yù)定濃度的EDTA等絡(luò)合物形成劑，以減少殘留在硅晶片表面的金屬雜質(zhì)。
2022-04-08 13:59:221755 
本發(fā)明一般涉及清洗和蝕刻硅表面的方法，以及更具體地涉及使用NF在低溫下預(yù)清洗晶片，在使用硅晶片制造半導(dǎo)體器件的過(guò)程中，在硅晶片的硅表面上可能會(huì)形成污染物和雜質(zhì)，如外延硅沉積或氧化物層生長(zhǎng)，去除污染物
2022-06-29 17:06:563373 
浴(S(1，S(2或SPM)在其配方中包括過(guò)氧化氫[1]。所述浴從硅表面去除顆粒、有機(jī)和金屬污染物，避免了由污染引起的電不可操作性和少數(shù)載流子壽命的降低[2]。為了避免因鍍液本身造成的污染，所有成分都需要極高的純度，因此必須嚴(yán)格控制這些化學(xué)物質(zhì)中的
2022-07-07 17:16:442763 
半導(dǎo)體制造業(yè)面臨的最大挑戰(zhàn)之一是硅的表面污染薄片。最常見(jiàn)的是，硅晶片僅僅因?yàn)楸┞对诳諝庵卸?b class="flag-6" style="color: red">污染，空氣中含有高度的有機(jī)顆粒污染物。由于強(qiáng)大的靜電力，這些污染物牢固地結(jié)合在硅晶片表面，給半導(dǎo)體制造行業(yè)帶來(lái)了許多令人頭痛的問(wèn)題。
2022-07-08 17:18:503380 
在整個(gè)晶圓加工過(guò)程中，仔細(xì)維護(hù)清潔的晶圓表面對(duì)于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此，濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用最重復(fù)的處理步驟。
2023-03-30 10:00:091940 
1、全自動(dòng)化的在線式清洗機(jī) 一種全自動(dòng)化的在線式清洗機(jī)，該清洗機(jī)針對(duì)SMT/THT的PCBA焊接后表面殘留的松香助焊劑、水溶性助焊劑、免清洗性助焊劑/焊膏等有機(jī)、無(wú)機(jī)污染物進(jìn)行徹底有效的清洗
2021-02-05 15:27:50
水清洗技術(shù)是今后清洗技術(shù)的發(fā)展方向，須設(shè)置純凈水源和排放水處理車(chē)間。它以水作為清洗介質(zhì)，并在水中添加表面活性劑、助劑、緩蝕劑、螯合劑等形成一系列以水為基的清洗劑。可以除去水溶劑和非極性污染物。其清洗
2018-09-14 16:39:40
表面活性劑、助劑、緩蝕劑、螯合劑等形成一系列以水為基的清洗劑。可以除去水溶劑和非極性污染物。其清洗工藝特點(diǎn)是： ?。?） 安全性好，不燃燒、不爆炸，基本無(wú)毒； ?。?） 清洗劑的配方組成自由度大，對(duì)極性
2018-09-13 15:47:25
表面活性劑、助劑、緩蝕劑、螯合劑等形成一系列以水為基的清洗劑?？梢猿ニ軇┖头菢O性污染物。其清洗工藝特點(diǎn)是： 1） 安全性好，不燃燒、不爆炸，基本無(wú)毒； 2） 清洗劑的配方組成自由度大，對(duì)極性與非
2012-07-23 20:41:56
清潔 - 表面問(wèn)題：金屬污染的起源：來(lái)源：設(shè)備、工藝、材料和人力，Si表面的過(guò)渡金屬沉淀是關(guān)鍵。去污：可以對(duì)一些暴露于堿或其他金屬污染物的基材進(jìn)行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。這通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
：空氣污染物在線測(cè)試儀器，是國(guó)家近年來(lái)比較重視的一塊，此次公司能有幸加入其中進(jìn)行研發(fā)與生產(chǎn)。此套儀器主要檢測(cè)空氣中的污染物比如甲烷非甲烷總烴，苯揮發(fā)物等有害物質(zhì)。其中包括高速AD采集（多路傳感器），數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換與傳輸（can接口、485接口、lan接口）等
2015-08-05 09:01:42
污染物質(zhì)有殘留，便極容易出現(xiàn)附著力不良、顏色不均勻、斑點(diǎn)等問(wèn)題。而傳統(tǒng)的測(cè)試方法，如目測(cè)、達(dá)因筆測(cè)試，都無(wú)法保障清洗質(zhì)量穩(wěn)定性。本次網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，由翁開(kāi)爾集團(tuán)帶來(lái)的德國(guó)工業(yè)清洗成熟方案，為行業(yè)展現(xiàn)在德國(guó)
2017-06-12 11:13:04
顆粒表面氧化層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而使氣體進(jìn)入焊點(diǎn)； ·PCB中的水汽蒸發(fā)參與了焊接過(guò)程當(dāng)中； ·焊接過(guò)程中液態(tài)焊料周?chē)械目諝膺M(jìn)入到了焊點(diǎn)中： ·金屬焊盤(pán)受到有機(jī)物污染（如指印等），在焊接
2018-09-06 16:40:06
脫落，通過(guò)循環(huán)將粘泥清洗出來(lái)?！ ≈醒肟照{(diào)清洗過(guò)程三：加入化學(xué)清洗劑、分散劑、將管道系統(tǒng)內(nèi)的浮銹、垢、油污清洗下來(lái)，分散排出，還原成清潔的金屬表面。 中央空調(diào)清洗過(guò)程四：投入預(yù)膜藥劑，在金屬表面形成
2010-12-21 16:22:40
。對(duì)清洗工業(yè)相機(jī)的過(guò)程也是有要求的，不適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">清洗會(huì)損壞基層上或鏡頭上磨光的表面和專(zhuān)用的覆蓋物，玻璃或覆蓋物表面的損壞會(huì)降低所有應(yīng)用中的性能。所以，要選擇合適的工業(yè)相機(jī)護(hù)理方法和清洗程序。 以下小編就與
2015-10-22 14:14:47
使用等離子清洗技術(shù)清洗晶圓去除晶圓表面的有機(jī)污染物等雜質(zhì)，但是同時(shí)在等離子產(chǎn)生過(guò)程中電極會(huì)出現(xiàn)金屬離子析出，如果金屬離子附著在晶圓表面也會(huì)對(duì)晶圓造成損傷，如果在使用等離子清洗技術(shù)清洗晶圓如何規(guī)避電極產(chǎn)生的金屬離子？
2021-06-08 16:45:05
污染物質(zhì)有殘留，便極容易出現(xiàn)附著力不良、顏色不均勻、斑點(diǎn)等問(wèn)題。而傳統(tǒng)的測(cè)試方法，如目測(cè)、達(dá)因筆測(cè)試，都無(wú)法保障清洗質(zhì)量穩(wěn)定性。`
2017-06-27 14:53:40
; 手機(jī)金屬、陶瓷、玻璃外殼、屏幕、指紋片，在沖壓、CNC、拋光、絲印時(shí)，無(wú)可避免地使用到各種切削液、潤(rùn)滑油、冷卻液、拋光物質(zhì)和膠水等。假如在進(jìn)行表面處理——如陽(yáng)極氧化、電鍍、噴砂及AF鍍膜前，這些污染物
2017-06-16 15:41:04
設(shè)備進(jìn)場(chǎng)消除靜電紅外測(cè)溫清洗主設(shè)備機(jī)柜表面除塵客戶驗(yàn)收填寫(xiě)施工驗(yàn)收單用戶評(píng)價(jià)反饋由于機(jī)房中的網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備在長(zhǎng)期的連續(xù)運(yùn)行過(guò)程中，空氣中漂浮的各種塵垢、金屬鹽類(lèi)、油污等綜合污染物，通過(guò)物理的吸附作用，微粒
2020-09-10 08:45:55
波峰焊接缺陷
解析1.沾錫不良 POOR WETTING: 這種情況是不可接受的缺點(diǎn),在焊點(diǎn)上只有部分沾錫.分析其原因及改善方式如下: 1-1.外界的
污染物如油,脂,臘等,此類(lèi)
污染物通?？捎萌軇?/div>
2010-03-16 09:32:18
特點(diǎn)是： 1） 清洗能力比較強(qiáng)，能同時(shí)除去極性污染物和非極性污染物，洗凈能力持久性較強(qiáng)； 2） 清洗和漂洗使用兩種不同性質(zhì)的介質(zhì)，漂洗一般采用純水； 3） 漂洗后要進(jìn)行干燥。 該技術(shù)不足之處
2018-09-13 15:50:54
的風(fēng)險(xiǎn)不斷增加。其中大氣環(huán)境作為電路板腐蝕發(fā)生的外部條件，大氣污染物在產(chǎn)品腐蝕發(fā)生的過(guò)程中扮演了重要角色。由于與大氣污染物相關(guān)的故障通常在電子產(chǎn)品使用一段時(shí)間后才能顯現(xiàn)出來(lái)，這意味著一旦發(fā)生了腐蝕
2019-10-25 13:32:43
污染物的問(wèn)題正日益突出。盡管傳統(tǒng)表面貼裝技術(shù)（SMT）很好地利用了低殘留和免清洗的焊接工藝，在具有高可靠性的產(chǎn)品中，產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)致密化和部件的小型化裝配使得越來(lái)越難以達(dá)到合適的清潔等級(jí)，同時(shí)由于清潔問(wèn)題導(dǎo)致
2023-04-21 16:03:02
都可自由活動(dòng)，當(dāng)有碳元素存在，可能產(chǎn)生電化學(xué)反應(yīng)； 當(dāng)RH達(dá)到60%時(shí)，設(shè)備表面層會(huì)形成2~4個(gè)水分子厚的水膜，當(dāng)有污染物溶入時(shí)，會(huì)有化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生； 當(dāng)大氣中RH＜20%時(shí)，幾乎所有腐蝕現(xiàn)象都停止
2023-04-07 14:59:01
的污染物軟化、分離、溶解，并減輕下道清洗工序的負(fù)荷。2）超聲波清洗：利用超聲波產(chǎn)生的強(qiáng)烈空化作用及振動(dòng)將工件表面的污垢剝離脫落，同時(shí)還可將油脂性的污物分解、乳化，3）冷漂洗：利用流動(dòng)的凈水將已脫落但尚
2009-06-18 08:55:02
：relative fluorescence units (相對(duì)熒光單位)，常被用于做表面殘留污染物檢測(cè)，數(shù)值越大，則表明測(cè)試點(diǎn)的各類(lèi)有機(jī)污染物（拉伸油、切削油、清洗劑、脫模蠟、膠黏劑、助焊劑等）殘留量越大
2021-04-23 10:06:10
油污檢測(cè)儀產(chǎn)品介紹在金屬加工以及汽車(chē)生產(chǎn)流程中，由于金屬零部件加工過(guò)程中清洗不完全，容易在表面殘留油脂、油污、冷卻液、清洗劑、指紋等污染物，這些污染物的殘留會(huì)造成后續(xù)生產(chǎn)工藝的中的一系列問(wèn)題如涂層
2022-06-06 17:21:25
上海銳族激光設(shè)備是上海專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)手持式激光清洗機(jī)的廠家。銳族手持式激光清洗機(jī)采用輕便型的手持清洗激光器，具有無(wú)研磨、非接觸特點(diǎn)，不但可以用來(lái)清洗有機(jī)的污染物，也可以用來(lái)清洗
2023-05-09 13:28:12
;激光除銹機(jī)產(chǎn)品特點(diǎn) 高效性：激光除銹機(jī)可以快速、高效地去除各種金屬表面的氧化層、銹蝕層、油污等污染物。精度高：激光除銹機(jī)可以精確控制激光束的能量和焦點(diǎn)
2023-09-15 09:56:53
銳族手持式激光除銹機(jī)具有無(wú)研磨、非接觸特點(diǎn)，不但可以用來(lái)清洗有機(jī)的污染物，也可以用來(lái)清洗無(wú)機(jī)物，包括金屬的輕度銹蝕、金屬微粒、灰塵等，應(yīng)用功效包括：除銹、脫漆、去油污、文物修復(fù)、除膠、去涂層、去鍍層
2023-10-31 10:39:49
綜述了半導(dǎo)體材料SiC拋光技術(shù)的發(fā)展,介紹了SiC單晶片CMP技術(shù)的研究現(xiàn)狀, 分析了CMP的原理和工藝參數(shù)對(duì)拋光的影響,指出了SiC單晶片CMP急待解決的技術(shù)和理論問(wèn)題,并對(duì)其發(fā)展方
2010-10-21 15:51:21
0 本文做了一個(gè)1.4Ah的多層軟包樣本做的實(shí)驗(yàn),來(lái)驗(yàn)證金屬污染物對(duì)電芯安全性的影響。
2018-07-13 16:12:504431 的影響方面變得越來(lái)越突出。盡管傳統(tǒng)的表面貼裝技術(shù)（SMT）很好地利用了低殘留和免清洗的焊接工藝，但在可靠性高的產(chǎn)品中，產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)致密化和部件的小型化組裝使得越來(lái)越難以達(dá)到合適的尺寸。由清潔問(wèn)題引起的產(chǎn)品故障增加導(dǎo)致的清潔等級(jí)。本文將簡(jiǎn)要討論污染物殘留物對(duì)PCB點(diǎn)焊的影響以及與清洗有關(guān)的一些問(wèn)題。
2019-08-03 10:22:493982 表面組裝板焊后清洗是指利用物理作用、化學(xué)反應(yīng)的方法去除SMT貼片加工再流焊、波峰焊和手工焊后殘留在表面組裝板表面的助焊劑殘留物及組裝工藝過(guò)程中造成的污染物、雜質(zhì)的工序。那么我們不僅要問(wèn)了，為什么我們貼片加工完成之后還要清洗，這不是浪費(fèi)時(shí)間和工時(shí)嗎？
2019-10-16 11:21:525634 消洗介質(zhì)在被洗物表面形成一層均勻的薄，潤(rùn)濕被洗物表面，使被洗物表面的污染物發(fā)生溶脹。表面潤(rùn)濕的條件是要求消洗介質(zhì)的表面張力小于被洗物的表面張力。在清洗介質(zhì)中加入些表面活性劑可以明顯提高潤(rùn)濕能力。
2019-12-23 10:55:5912006 表面的作用。激光清洗原理下圖所示。當(dāng)工件表面污染物吸收激光的能量后,其快速氣化或瞬間受熱膨脹后克服污染物與基體表面之間的作用力,由于受熱能量升高,污染物粒子進(jìn)行振動(dòng)后而從基體表面脫落。 激光清洗的應(yīng)用 激光清洗在工業(yè)
2020-08-03 11:09:176795 
本發(fā)明的工藝一般涉及到半導(dǎo)體晶片的清洗。更確切地說(shuō)，本發(fā)明涉及到可能存在于被研磨的單晶硅晶片的表面上的有機(jī)殘留物、金屬雜質(zhì)和其它特定的沾污物的清洗處理步驟的順序。 集成電路制造中所用的半導(dǎo)體晶片
2020-12-29 14:45:211999 摘要：介紹了半導(dǎo)體IC制程中存在的各種污染物類(lèi)型及其對(duì)IC制程的影響和各種污染物的去除方法,并對(duì)濕法和干法清洗的特點(diǎn)及去除效果進(jìn)行了分析比較。 1前言 半導(dǎo)體IC制程主要以20世紀(jì)50年代以后發(fā)明
2020-12-29 14:49:159207 介紹了半導(dǎo)體IC制程中存在的各種污染物類(lèi)型及其對(duì)IC制程的影響和各種污染物的去除方法， 并對(duì)濕法和干法清洗的特點(diǎn)及去除效果進(jìn)行了分析比較。
2021-04-09 09:55:2170 近年來(lái)，在半導(dǎo)體工業(yè)中，逐漸確立了將臭氧運(yùn)用于晶圓清洗工藝中，這主要是利用了臭氧在水相中氧化有機(jī)污染物和金屬污染物的性能。
2021-09-27 17:39:032292 硅片經(jīng)過(guò)線切割機(jī)的切割加工后，其表面已受到嚴(yán)重沾污，要達(dá)到工業(yè)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)，就必須經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的清洗工序。由于切割帶來(lái)的嚴(yán)重污染，其表面的清洗工序也必然需要比較復(fù)雜和精細(xì)的工藝流程。
2021-06-20 14:07:255880 本方法一般涉及半導(dǎo)體的制造，更具體地說(shuō)，涉及在生產(chǎn)最終半導(dǎo)體產(chǎn)品如集成電路的過(guò)程中清洗半導(dǎo)體或 硅晶片，由此中間清洗步驟去除在先前處理步驟中沉積在相關(guān)硅晶片表面上的污染物。
2021-12-20 17:21:051171 
，表面準(zhǔn)備是獲得干凈、鏡面拋光、未受損硅表面的關(guān)鍵步驟?；瘜W(xué)清洗是一種行之有效的方法，用于去除晶圓表面的污染物。最常見(jiàn)的工藝是RCA清洗，通過(guò)兩個(gè)連續(xù)的標(biāo)準(zhǔn)溶液清洗晶圓。標(biāo)準(zhǔn)清潔1 SC1浴(或氨過(guò)氧化物混合物APM)由N
2022-01-05 17:36:58266 被認(rèn)為是去除晶片表面污染物的最佳有效清潔方法之一。然而，許多研究人員指責(zé)全接觸擦洗導(dǎo)致了晶片表面的劃痕，并建議應(yīng)避免全接觸。非接觸式去除力較弱，但不會(huì)產(chǎn)生劃痕。如果在非接觸模式下，去除力可以通過(guò)流體動(dòng)力阻力的最大化
2022-01-26 16:40:36405 
摘要 該公司提供了一種用于清洗半導(dǎo)體晶片的方法和設(shè)備 100，該方法和方法包括通過(guò)從裝載端口 110 中的盒中取出兩個(gè)或多個(gè)晶片來(lái)填充化學(xué)溶液的第一罐將晶片放入。將晶片放入裝滿液體的第一槽(137
2022-02-28 14:56:03927 
摘要 研究了吸附在硅片表面的有機(jī)污染物的吸附行為。污染物是由潔凈室環(huán)境和塑料儲(chǔ)物箱中存在的揮發(fā)性有機(jī)污染物引起的。晶片上的污染物通過(guò)將它們?nèi)芙庠谌軇┲衼?lái)收集，并通過(guò)氣相色譜-質(zhì)譜分析進(jìn)行表征。發(fā)現(xiàn)有
2022-03-01 14:38:531167 
摘要 研究了泵送方法對(duì)晶片清洗的影響。兩種類(lèi)型的泵，例如隔膜泵和離心泵，用于在濕浴和單晶片工具中循環(huán)和供應(yīng)用于晶片清潔的去離子水。清洗研究表明，泵送方法對(duì)清洗性能有很大影響。實(shí)驗(yàn)研究表明，在 MLC
2022-03-02 13:56:46521 
摘要 本文介紹了半導(dǎo)體晶片加工中為顆粒去除(清洗)工藝評(píng)估而制備的受污染測(cè)試晶片老化的實(shí)驗(yàn)研究。比較了兩種晶片制備技術(shù):一種是傳統(tǒng)的濕法技術(shù)，其中裸露的硅晶片浸泡在充滿顆粒的溶液中，然后干燥；另一種
2022-03-04 15:03:502588 
我們?nèi)A林科納研究了基于檸檬酸(CA)的清洗液來(lái)去除金屬污染物硅片表面。 采用旋涂法對(duì)硅片進(jìn)行Fe、Ca、Zn、Na、Al、Cu等標(biāo)準(zhǔn)污染，并在各種添加Ca的清洗液中進(jìn)行清洗。 金屬的濃度采用氣相分
2022-03-07 13:58:161071 
本文通過(guò)繪制少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度、體中鐵濃度和表面污染（表面電荷和表面重組），介紹了表面光電電壓(SPV)在監(jiān)測(cè)化學(xué)清洗和化學(xué)品純度方面的應(yīng)用。新的SPV方法和精密儀器的非接觸性、晶片級(jí)的特性使該技術(shù)
2022-03-09 14:38:22715 
晶圓-機(jī)械聚晶(CMP)過(guò)程中產(chǎn)生的漿體顆粒對(duì)硅晶片表面的污染對(duì)設(shè)備工藝中收率（Yield）的下降有著極大的影響。
2022-03-14 10:50:141077 
實(shí)驗(yàn)研究了預(yù)清洗對(duì)KOH/IPA溶液中單晶硅表面紋理化的影響。如果沒(méi)有適當(dāng)?shù)念A(yù)清洗，表面污染會(huì)形成比未污染區(qū)域尺寸小的金字塔，導(dǎo)致晶片表面紋理特征不均勻，晶片表面反射率不均勻。根據(jù)供應(yīng)商的不同，晶片的表面質(zhì)量和污染水平可能會(huì)有所不同，預(yù)清洗條件可能需要定制，以達(dá)到一致和期望的紋理化結(jié)果。
2022-03-17 15:23:08501 隨著器件尺寸縮小到深亞微米級(jí)，半導(dǎo)體制造中有效的濕法清洗工藝對(duì)于去除硅晶片表面上的殘留污染物至關(guān)重要。GOI強(qiáng)烈依賴(lài)于氧化前的晶片清潔度，不同的污染物對(duì)器件可靠性有不同的影響，硅表面上的顆粒導(dǎo)致
2022-03-21 13:39:405472 
隨著器件的集成化，對(duì)Si晶片的要求也變得更加嚴(yán)格，降低晶片表面的金屬污染變得重要，這是因?yàn)镾i晶片表面的金屬污染被認(rèn)為是氧化膜耐壓和漏電流等電特性劣化的原因。在Si晶圓的清洗中RCA清洗被廣泛
2022-03-21 13:40:12471 
本研究的目的是為高效半導(dǎo)體器件的制造提出高效的晶圓清洗方法，主要特點(diǎn)是清洗過(guò)程是在室溫和標(biāo)準(zhǔn)壓力下進(jìn)行的，沒(méi)有特殊情況。盡管該方法與實(shí)際制造工藝相比，半導(dǎo)體公司的效率相對(duì)較低，但本研究可以提出在室溫
2022-03-21 15:33:52373 
本研究為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對(duì)硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中金屬雜質(zhì)的方法。
2022-03-21 16:15:07339 
在半導(dǎo)體制造過(guò)程中的每個(gè)過(guò)程之前和之后執(zhí)行的清潔過(guò)程是最重要的過(guò)程之一，約占總過(guò)程的30%，基于RCA清洗的濕式清洗工藝對(duì)于有效地沖洗清洗化學(xué)物質(zhì)以使它們不會(huì)在學(xué)位處理后殘留在晶片表面上，以及諸如
2022-03-22 13:30:211161 VLSI制造過(guò)程中，晶圓清洗球定義的重要性日益突出。這是當(dāng)晶片表面存在的金屬、粒子等污染物對(duì)設(shè)備的性能和產(chǎn)量(yield)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響時(shí)的門(mén)。在典型的半導(dǎo)體制造工藝中，清潔工藝在工藝前后反復(fù)進(jìn)行
2022-03-22 14:13:163580 
本研究在實(shí)際單位工藝中容易誤染，用傳統(tǒng)的濕式清潔方法去除的Cu和Fe等金屬雜質(zhì)，為了提高效率，只進(jìn)行了HF濕式清洗，考察了對(duì)表面粗糙度的影響，為了知道上面提出的清洗的效果，測(cè)量了金屬雜質(zhì)的去除
2022-03-24 17:10:271760 
隨著器件的集成化，對(duì)Si晶片的要求也變得更加嚴(yán)格，降低晶片表面的金屬污染變得重要，這是因?yàn)镾i晶片表面的金屬污染被認(rèn)為是氧化膜耐壓和漏電流等電特性劣化的原因。在Si晶圓的清洗中RCA清洗被廣泛
2022-03-28 15:08:53990 
為了成功地清除來(lái)自晶片表面的顆粒污染，有必要了解顆粒與接觸的基底之間的附著力和變形,變形亞微米顆粒的粘附和去除機(jī)理在以往的許多研究中尚未得到闡明。亞微米聚苯乙烯乳膠顆粒（0.1-0.5mm）沉積
2022-04-06 16:53:501046 
在超大規(guī)模集成(ULSI)制造的真實(shí)生產(chǎn)線中，器件加工過(guò)程中存在各種污染物。由于超大規(guī)模集成電路器件工藝需要非常干凈的表面，因此必須通過(guò)清潔技術(shù)去除污染物，例如使用批量浸漬工具進(jìn)行濕法清潔批量旋轉(zhuǎn)
2022-04-08 14:48:32585 
法與添加臭氧的超純水相結(jié)合的新清洗法，與以往的方法相比，具有更好的清洗能力，在抑制自然氧化膜生成的同時(shí)，可以在短時(shí)間內(nèi)完全除去晶片表面的有機(jī)物。
2022-04-13 15:25:211593 
，重要的是有效地沖洗，防止清潔化學(xué)液在道工序后在晶片表面殘留，以及防止水斑點(diǎn)等污染物再次污染。因此，最近在濕清洗過(guò)程中，正在努力減少化學(xué)液和超純水的量，回收利用，開(kāi)發(fā)新的清洗過(guò)程，在干燥過(guò)程中，使用超純水和IPA分離層的
2022-04-13 16:47:471239 
比的APM清洗被發(fā)現(xiàn)可以非常有效地清除硅表面的顆粒和金屬雜質(zhì)。由于APM清洗而導(dǎo)致的微粒度的增加在不同的晶片類(lèi)型中有所不同;在EPI晶圓上觀察到很少增加，但在CZ和FZ晶片上觀察到顯著增加。然而，
2022-04-14 13:57:20459 
本發(fā)明公開(kāi)了一種用濕式均勻清洗半導(dǎo)體晶片的方法,所公開(kāi)的本發(fā)明的特點(diǎn)是:具備半導(dǎo)體晶片和含有預(yù)定清潔液的清潔組、對(duì)齊上述半導(dǎo)體晶片的平坦區(qū)域，使其不與上述清潔組的入口相對(duì)、將上述對(duì)齊的半導(dǎo)體晶片浸入
2022-04-14 15:13:57605 半導(dǎo)體器件的高集成化，硅晶圓表面的高清潔度化成為極其重要的課題。在本文中，關(guān)于硅晶圓表面的金屬及粒子的附著行為，對(duì)電化學(xué)的、膠體化學(xué)的解析結(jié)果進(jìn)行解說(shuō)，并對(duì)近年來(lái)提出的清洗方法進(jìn)行介紹。
2022-04-18 16:33:59879 
CMP裝置被應(yīng)用于納米級(jí)晶圓表面平坦化的拋光工藝。拋光顆粒以各種狀態(tài)粘附到拋光后的晶片表面。必須確實(shí)去除可能成為產(chǎn)品缺陷原因的晶圓表面附著物，CMP后的清洗技術(shù)極為重要。在本文中，關(guān)于半導(dǎo)體制造工序
2022-04-18 16:34:342912 
為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對(duì)硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中消除金屬雜質(zhì)的方法。
2022-04-24 14:59:23497 
介紹 聚乙烯醇刷洗是化學(xué)溶液清洗過(guò)程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分為兩大類(lèi)，根據(jù)其接觸類(lèi)型(非接觸，完全接觸)。全接觸擦洗被認(rèn)為是去除晶片表面污染物的最佳有效清潔方法之一。然而，許多研究人員指責(zé)
2022-04-27 16:56:281310 
全接觸洗滌被認(rèn)為是去除晶圓表面污染的最佳有效清潔方法之一。為了使刷與晶片之間的小間隙最大限度地增加水動(dòng)力阻力，在晶片上安裝了壓電傳感器（圓片型）。為了研究磨料顆粒在Cu和PETEOS（等離子體增強(qiáng)
2022-05-06 15:24:47298 
本文闡述了金屬雜質(zhì)和顆粒雜質(zhì)在硅片表面的粘附機(jī)理，并提出了一些清洗方法。
2022-05-11 16:10:274 本文提出了一種拋光硅片表面顆粒和有機(jī)污染物的清洗方法，非離子型表面活性劑可以有效地去除表面上的顆粒，因?yàn)樗梢燥@著降低液體的表面張力和界面張力，非離子型表面活性劑分子具有親水和疏水兩部分，實(shí)驗(yàn)選擇了脂肪醇-聚氧乙烯醚作為一種非離子型表面活性劑，這種非離子表面活性劑不能被電離，因此不會(huì)帶來(lái)離子污染物。
2022-05-18 16:01:22829 
表面和亞微米深溝槽的清洗在半導(dǎo)體制造中是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。在這項(xiàng)工作中，使用物理數(shù)值模擬研究了使用脈動(dòng)流清洗毯式和圖案化晶片。毯式晶片清洗工藝的初步結(jié)果與文獻(xiàn)中的數(shù)值和實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合良好。毯式和圖案化晶片的初步結(jié)果表明，振蕩流清洗比穩(wěn)定流清洗更有效，并且振蕩流的最佳頻率是溝槽尺寸的函數(shù)。
2022-06-07 15:51:37291 
本文講述了我們?nèi)A林科納的一種在單個(gè)晶圓清洗工藝中使用新型清洗溶液的方法，該方法涉及在單一晶片模式下使用清洗溶液，并且清洗溶液包括至少包括氫氧化銨（NH-OH）、過(guò)氧化氫(HO)、水(HO)和螯合劑
2022-06-30 17:22:112101 
的實(shí)驗(yàn)和理論分析來(lái)建立晶片表面清潔技術(shù)。本文解釋了金屬和顆粒雜質(zhì)在硅片表面的粘附機(jī)理，并提出了一些清洗方法。 介紹 LSI(大規(guī)模集成電路)集成密度的增加對(duì)硅片質(zhì)量提出了更高的要求。更高質(zhì)量的晶片意味著晶體精度、成形質(zhì)量和
2022-07-11 15:55:451026 
低壓紫外汞燈發(fā)射的雙波段短波紫外光照射到試件表面后，與有機(jī)污染物發(fā)生光敏氧化作用,不僅能去除污染物而且能改善表面的性能，從而提高物體表面的浸潤(rùn)性和粘合強(qiáng)度，或者使材料表面得到穩(wěn)定的表面性能。根據(jù)
2022-08-18 16:16:301082 
金屬污染物，如碳化硅表面的銅，不能通過(guò)使用傳統(tǒng)的RCA清洗方法完全去除。RCA清洗后，在碳化硅表面沒(méi)有形成化學(xué)氧化物，這種化學(xué)穩(wěn)定性歸因于RCA方法對(duì)金屬污染物的不完全去除，因?yàn)樗ㄟ^(guò)氧化和隨后
2022-09-08 17:25:461453 
半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到129\.1億美元。到 2029 年。晶圓清洗是在不影響半導(dǎo)體表面質(zhì)量的情況下去除顆?；?b class="flag-6" style="color: red">污染物的過(guò)程。器件表面晶圓上的污染物和顆粒雜質(zhì)對(duì)器件的性能和可靠性有重大影響。本報(bào)告?zhèn)戎赜诎雽?dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)的不同部分（產(chǎn)品、晶圓尺寸、技術(shù)、操作模式、應(yīng)用和區(qū)域）。
2023-04-03 09:47:511643 
脈沖，在適度的主要參數(shù)下不容易損害金屬材料板材。 ? ? 激光清洗不僅可用于清洗有機(jī)污染物質(zhì)，還可以用來(lái)清洗無(wú)機(jī)化合物，包含金屬生銹、金屬材料顆粒、塵土等。 1、非接觸式清洗，不損傷零件基體; 2、精準(zhǔn)清洗，可實(shí)現(xiàn)精確
2023-05-08 17:08:46423 
激光清洗不僅可用于清洗有機(jī)污染物質(zhì)，還可以用來(lái)清洗無(wú)機(jī)化合物。激光清洗的原理是利用激光束的高能量密度，使污垢或涂層等物質(zhì)發(fā)生蒸發(fā)或剝離，從而清洗表面。這個(gè)過(guò)程并不依賴(lài)于物質(zhì)的化學(xué)性質(zhì)，因此激光清洗
2023-05-08 17:11:07571 
隨著半導(dǎo)體科技的發(fā)展，在固態(tài)微電子器件制造中，人們對(duì)清潔基底表面越來(lái)越重視。濕法清洗一般使用無(wú)機(jī)酸、堿和氧化劑，以達(dá)到去除光阻劑、顆粒、輕有機(jī)物、金屬污染物以及硅片表面上的天然氧化物的目的。然而，隨著硅電路和器件結(jié)構(gòu)規(guī)模的不斷減小，英思特仍在專(zhuān)注于探索有效可靠的清潔方法以實(shí)現(xiàn)更好的清潔晶圓表面。
2023-06-05 17:18:50437 
符合用戶對(duì)產(chǎn)品清潔度的標(biāo)準(zhǔn)。因此，對(duì)PCBA板進(jìn)行清洗是很有必要的。 PCBA生產(chǎn)加工污染物有哪些 污染物的界定為所有使PCBA的化學(xué)、物理或電氣性能減少到不達(dá)標(biāo)水準(zhǔn)表面堆積物、雜物、夾渣及其被吸附物。主要有以下幾個(gè)方面： 1、組成PCBA的電子
2023-06-13 15:30:281696 
零部件進(jìn)行激光焊接往往需要進(jìn)行焊接前表面處理，否則容易因工件表面污染物清洗不干凈導(dǎo)致焊接質(zhì)量缺陷或者產(chǎn)生次品。德國(guó)析塔SITA表面清潔度檢測(cè)儀有效量化監(jiān)控工件表面清潔度。
2022-05-24 14:16:51437 
活塞軸表面超微細(xì)的剩余殘留污染物會(huì)導(dǎo)致后面工序中篩中的抗摩擦涂層的附著力不足。使用新型表面清潔度測(cè)試儀-德國(guó)析塔SITA CleanoSpector，你可以監(jiān)測(cè)監(jiān)控活塞軸的清潔度來(lái)評(píng)估清潔過(guò)程。
2022-05-24 14:25:36355 表面油污快速檢測(cè)儀|油污等有機(jī)污染物殘留對(duì)焊接的影響
2022-06-08 10:36:29376 大氣壓等離子體表面超細(xì)清洗是去除有機(jī)、無(wú)機(jī)、微生物表面污染物和強(qiáng)附著粉塵顆粒的過(guò)程。它高效，對(duì)處理后的表面非常溫和。在較高的強(qiáng)度下，它可以去除表面弱邊界層，交聯(lián)表面分子，甚至還原硬金屬氧化物。
2022-09-08 10:53:03316 
鋁金屬材料的等離子體表面處理可以消除原材料表面的微觀污染物、氧化物等成分。等離子清洗機(jī)因其工作效率高、操作方便等優(yōu)點(diǎn)，在該領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。
2022-09-29 14:34:39582 
CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據(jù)工藝
2023-07-18 11:48:183035 
使用德國(guó)析塔FluoScan 3D自動(dòng)表面污染物檢測(cè)儀檢測(cè)不銹鋼等離子清洗后表面的油污清洗，對(duì)不銹鋼等離子清洗效果進(jìn)行評(píng)估。翁開(kāi)爾是德國(guó)析塔中國(guó)獨(dú)家代理。
2022-06-27 11:48:08363 
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