壓電晶體聲控電燈電路圖
2010-04-02 18:10:58
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在新思科技（Synopsys）于美國硅谷舉行年度使用者大會上，參與一場座談會的產(chǎn)業(yè)專家表示，鰭式電晶體（FinFET）雖有發(fā)展?jié)摿?，但也有風(fēng)險，而且該技術(shù)的最佳時機尚未達到。Cavium 估計FinFET將使閘極電容提升40%。
2013-04-01 10:30:141173 宜普公司推出內(nèi)含增強型氮化鎵（eGAN）場效電晶體（FET）的 EPC9005 開發(fā)板。該開發(fā)板是一款7A最大輸出電流半橋電路設(shè)計，內(nèi)含兩個EPC2014場效應(yīng)電晶體，并采用最佳化閘極驅(qū)動器LM5113。
2013-05-08 15:59:561212 先進制程晶圓代工市場戰(zhàn)火愈演愈烈。繼臺積電宣布將分別于2015、2017年推出16和10奈米鰭式電晶體（FinFET）制程后，格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）日前也喊出將超前
2013-06-11 10:14:031067 臺積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優(yōu)化處理器性能并改善電晶體漏電流問題，臺積電除攜手硅智財（IP）業(yè)者，推進鰭式電晶體 （FinFET）制程商用腳步外，亦計畫從晶圓導(dǎo)線
2013-07-01 09:16:58524 晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場效電晶體制程世代后，與整合元件制造商的競爭將更為激烈，因此臺積電正積極籌組大聯(lián)盟，串連矽智財、半導(dǎo)體設(shè)備/材料，以及電子設(shè)計自動化供應(yīng)商等合作夥伴的力量，強化在FinFET市場的競爭力。
2013-07-24 10:12:501077 EDA 業(yè)者正大舉在FinFET市場攻城掠地。隨著臺積電、聯(lián)電和英特爾（Intel）等半導(dǎo)體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發(fā)，EDA工具開發(fā)商也亦步亦趨，并爭相發(fā)布相應(yīng)解決方案，以協(xié)助IC設(shè)計商克服電晶體結(jié)構(gòu)改變所帶來的新挑戰(zhàn)，卡位先進制程市場。
2013-08-26 09:34:041899 
在歷史上，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長仰賴制程節(jié)點每一次微縮所帶來的電晶體成本下降；但下一代晶片恐怕不會再伴隨著成本下降，這將會是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近20~30年來面臨的最嚴重挑戰(zhàn)。FinFET會是半導(dǎo)體工藝演進最佳選項？
2014-04-01 09:07:473015 
美國普渡大學(xué)（Purdue University）研究人員已經(jīng)證明可與互補式金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）相容、且速度可達4THz（Terahertz）的全光敏電晶體（All-optical
2015-08-07 07:04:08829 打開這一年來半導(dǎo)體最熱門的新聞，大概就屬FinFET了，例如：iPhone 6s內(nèi)新一代A9應(yīng)用處理器采用新晶體管架構(gòu)很可能為鰭式晶體管（FinFET），代表FinFET開始全面攻占手機處理器，三星
2015-09-19 16:48:004522 
“不必擔(dān)心‘摩爾定律’走到盡頭，因為在整個半導(dǎo)體發(fā)展藍圖上還有許多好辦法?！北蛔u為“FinFET教父”的中研院院士胡正明在日前于美國舉行的“新思科技產(chǎn)品使用者研討會”上指出，新的電晶體概念能夠為芯片產(chǎn)業(yè)點燃持續(xù)發(fā)展數(shù)十年的動力。
2016-05-11 09:24:361280 比利時微電子在2016國際電子元件會議中首度提出由硅納米線垂直堆疊的環(huán)繞式閘極金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體的CMOS集成電路，其關(guān)鍵技術(shù)在于雙功率金屬閘極，使得n型和p型裝置的臨界電壓得以相等，且針對7納米以下技術(shù)候選人，IMEC看好環(huán)繞式閘極納米線電晶體會雀屏中選。
2016-12-12 13:48:212538 今年得獎?wù)邽槊绹又荽髮W(xué)柏克萊分校講座教授胡正明，他也曾是臺積電前技術(shù)長，主辦單位表示，胡研發(fā)的3D鰭式電晶體（FinFET），突破物理極限，使元件更小，能源使用效率提高，堪稱半導(dǎo)體工業(yè)40多年來最大變革，也使得摩爾定律得以延續(xù)至今
2016-12-30 07:41:271295 FinFET稱為鰭式場效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。
2017-02-04 10:30:2214159 
埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣佈推出專為諸如數(shù)位視訊廣播（DVBT）和特高頻（UHF）類比電視等UHF廣播應(yīng)用設(shè)計的BLF989射頻（RF）功率電晶體。
2018-06-07 11:43:237780 如圖是激光門報警器電路的發(fā)射端和接收端。其中Laser Pointer為激光發(fā)射器（或激光筆），L14F1為光電晶體管。
2019-01-28 15:13:2813 使用光電晶體管和光電二極管的光檢測功能，是微處理器或微控制器了解物理世界并相應(yīng)地進行控制或分析算法的一種手段。光電晶體管的應(yīng)用與光電二極管相同，但各有優(yōu)勢。
2022-07-27 11:53:412151 
Finfet技術(shù)（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
現(xiàn)在的房地產(chǎn)行業(yè)真的是越來越火，因此也帶動了周邊裝修行業(yè)的發(fā)展，現(xiàn)在人們在裝修的時候都會選擇一些比較好的集成墻面，格羅佳美智能軟晶墻飾就憑借它特有的特色在市場上迎來了不少的消費者關(guān)注，那么格羅
2016-10-22 15:37:05
羅德與施瓦茨攜手華為成功調(diào)試完成V2X模塊DA2300及RSU（RSU5210）測試方案
2021-01-12 07:04:24
羅德與施瓦茨CMW100 無線通信生產(chǎn)測試儀 羅德與施瓦茨CMW100 無線通信生產(chǎn)測試儀 TELE:189 3868 3940深圳華波電子儀器有限公司 適用于旗艦版智能手機生產(chǎn)線的全新
2020-04-01 15:45:54
工廠閑置/倒閉電子儀器，個人處理儀器，歡迎您的來電?。?趙經(jīng)理：188~~~8361~~~1172 （V信同號） 企鵝：25722~~38817 地址：東莞市塘廈鎮(zhèn)蓮湖怡景路8號羅德與施瓦茨公司新推出
2020-01-11 09:01:11
蘋果晶圓代工龍頭臺積電16納米鰭式場效晶體管升級版（FinFET Plus）將在明年1月全產(chǎn)能量產(chǎn)，搭配整合型扇出晶圓尺寸封裝（InFO WLP）的系統(tǒng)級封裝（SiP）技術(shù)，在x86及ARM架構(gòu)64位
2014-05-07 15:30:16
兩種比光敏二極管產(chǎn)生更高輸出電流的光敏器件的一些基本信息: 光敏晶體管和光敏集成電路。后一個術(shù)語指的是基本上是一個光電二極管和放大器集成到同一封裝。什么是光電晶體管？光電二極管可以產(chǎn)生光電流，因為它的結(jié)
2022-04-21 18:05:28
場效應(yīng)管的演變 鰭式場效應(yīng)晶體管的未來發(fā)展前景 FinFET在5nm之后將不再有用，因為它沒有足夠的靜電控制，需要晶體管的新架構(gòu)。然而，隨著技術(shù)節(jié)點的進步，一些公司可能會出于經(jīng)濟原因決定在同一節(jié)點上
2023-02-24 15:25:29
的寬度，也被稱為柵長。柵長越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
什么叫壓電效應(yīng)？壓電晶體又是什么？壓電晶體有何作用？
2021-06-08 06:33:16
制作的濾波器，保證了圖像和聲音的清晰度。你手上戴的石英電子表中有一個核心部件叫石英振子。就是這個關(guān)鍵部件保證了石英表比其他機械表更高的走時準(zhǔn)確度。 裝有壓電晶體元件的儀器使技術(shù)人員研究蒸汽機、內(nèi)燃機
2021-05-13 07:19:48
基于ARM 架構(gòu)處理器的手持多媒體播放裝置設(shè)計從2004 年至今，手持式裝置的多媒體播放功能逐漸被消費者所注重，許多大廠也針對原本只針對單一用途的隨身聽、手機系統(tǒng)，加入了視訊播放的能力，而不少廠商也
2009-10-05 08:13:57
大小核(big.LITTLE)晶片設(shè)計架構(gòu)正快速崛起。在安謀國際(ARM)全力推廣下，已有不少行動處理器開發(fā)商推出采用big.LITTLE架構(gòu)的新方案，期透過讓大小核心分別處理最適合的運算任務(wù)，達到兼顧最佳效能與節(jié)能效果的目的，以獲得更多行動裝置制造商青睞。
2019-09-02 07:24:33
光電晶體管和光電二極管是密切相關(guān)的電光傳感器，它們在位置/存在感測、光強度測量和高速光脈沖檢測等應(yīng)用中可將入射光轉(zhuǎn)換成電流。但是，要充分利用這些器件，設(shè)計人員需要特別注意接口電路、波長和光學(xué)機械校準(zhǔn)
2021-01-12 07:56:44
` 消費者今天利用電子裝置能做的事情比以往任何時候都多當(dāng)談到行動運算時，我們通常是指智能型手機和平板計算機。去年，行動裝置已擴展至涵蓋更多樣的新型態(tài)裝置，包括穿戴式裝置、二合一筆電，以及其他行動
2016-07-29 16:33:37
微型無線傳感器的架構(gòu)與優(yōu)化
2021-02-25 06:01:06
德州儀器（TI）推出新一代KeyStone II架構(gòu)
2021-05-19 06:23:29
相比，能夠為通信和多媒體應(yīng)用提供高達10倍速的更高的設(shè)計和驗證能力。Synphony HLS為ASIC 和 FPGA的應(yīng)用、架構(gòu)和快速原型生成最優(yōu)化的RTL。Synphony HLS解決方案架構(gòu)圖
2019-08-13 08:21:49
求能控制羅德與施瓦茨FSL的測試程序
2017-05-27 10:15:41
的量子物理問題。這個時候就要導(dǎo)入FinFET（Tri-Gate）來改善這個問題。導(dǎo)入這項技術(shù)后，電晶體漏電的問題就會減少（并非是完全消除）。此外，FinFET（Tri-Gate）還可以增加下層和Gate
2016-12-16 18:20:11
大家都在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認為20 nm節(jié)點以后，FinFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統(tǒng)開發(fā)人員而言，其未來會怎樣呢?
2019-09-27 06:59:21
請教音叉開關(guān)上面的振動壓電晶體在什么地方能買到
2023-09-08 08:49:16
用可規(guī)劃積體電路開發(fā)第三代行動通訊亂碼接收器第三代行動通訊是以CDMA技術(shù)為主軸，而CDMA 又以亂碼的產(chǎn)生（發(fā)射端）與尋找（接收端）為主，在歐規(guī)ＷCDMA中，各個基地臺是用
2009-11-22 17:19:31
5 Rosenberger羅森伯格 LTE2600M互調(diào)儀 便攜式互調(diào)儀為了滿足客戶現(xiàn)場測量互調(diào)失真的需求，羅森伯格推出了一款小型、高集成度、便攜式無源互調(diào)分析儀，它能夠快速地在線測量連接器
2023-04-28 11:47:24
電晶體之交流分析
教學(xué)目標(biāo)1. 熟悉共射極放大器的輸入、輸出特性。2. 熟悉共集極放大器的輸入、輸出特性。3. 熟悉
2010-06-11 17:13:270 有一類十分有趣的晶體，當(dāng)你對它擠壓或拉伸時，它的兩端就會產(chǎn)生不同的電荷。這種效應(yīng)被稱為壓電效應(yīng)。能產(chǎn)生壓電效應(yīng)的晶體就叫壓電晶體。水晶（α-石英）是一種有名的壓
2006-06-08 18:04:531075 電晶體化３Ｍ～２００ＭＨｚ寬頻帶放大器
圖７－１系儀器計測用前置放大器及
2008-08-17 14:21:36830 
無線電衛(wèi)星站用電晶體控制交換型充電器電路
2008-11-04 10:16:40500 
壓電晶體揚聲器聲控電燈電路圖
2009-06-08 15:54:03500 
光電晶體管控制的繼電器電路圖
2009-07-03 14:20:091026 
光電晶體三極管電路
這里顯示出了在光電晶體
2009-09-22 17:19:431705 
提升行動裝置屏幕的觀賞效果
行動上網(wǎng)裝置(MID)與上網(wǎng)本(Netbook)一項成功關(guān)鍵是使用者的使用體驗——尤其是屏幕顯示效果。 消費者對這些裝置的
2009-11-05 16:36:53405 壓電晶體定義 有一類十分有趣的晶體，當(dāng)你對它擠壓或拉伸時，它的兩端就會產(chǎn)生不同的電荷。這種效應(yīng)被稱為壓電效應(yīng)。能產(chǎn)生壓電效應(yīng)的晶體就
2009-12-03 11:34:04874 壓電晶體是什么
有一類十分有趣的晶體，當(dāng)你對它擠壓或拉伸時，它的兩端就會產(chǎn)生不同的電荷。這種效應(yīng)被稱為壓電效應(yīng)。能產(chǎn)生壓電效應(yīng)的晶
2010-01-16 09:21:183989 用自置偏電路以實現(xiàn)穩(wěn)定的光電晶體管受光電路
電路的功能
在光
2010-05-18 11:38:57594 
逆向工程分析公司 Chipworks 稍早前公布英特爾（Intel） 22nm Ivy Bridge處理器的剖面圖，從中可見英特爾稱為叁閘極（tri-gate）電晶體的FinFET元件，從剖面圖看來，它實際上是幾乎呈現(xiàn)三
2012-05-23 09:54:442050 
NEC日前發(fā)表一項專為行動裝置設(shè)計的影像辨識技術(shù)，利用行動裝置上的攝影機，拍攝食品、汽車、或是印刷物等物品，并且透過其影像辨識技術(shù)進行高精準(zhǔn)度的辨識，將其物品的詳
2012-06-19 11:01:51681 晶圓代工廠聯(lián)電（2303）昨（29）日宣布與IBM簽訂技術(shù)授權(quán)合約，將以3D架構(gòu)的鰭式場效晶體管（FinFET），促進次世代尖端20納米CMOS制程的開發(fā)，以加速聯(lián)電次世代尖端技術(shù)的研發(fā)時程。
2012-06-30 11:27:11527 高功率氮化鎵（GaN）電晶體因容易過熱而令人詬病，最近美國科學(xué)家研發(fā)出一種由石墨及石墨烯（graphene）制成的「排熱被」，能夠有效降溫而解決此問題。這個由碳材料所組成的補丁結(jié)
2012-08-17 08:48:231411 
GLOBALFOUNDRIES 推出一項專為快速增長的移動市場的最新科技，進一步拓展其頂尖的技術(shù)線路圖。GLOBALFOUNDRIES 14 nm-XM技術(shù)將為客戶展現(xiàn)三維 “FinFET”晶體管的性能和功耗優(yōu)勢，不僅風(fēng)險更低
2012-09-24 08:55:51550 為與臺積電爭搶下一波行動裝置晶片制造商機，格羅方德將率先導(dǎo)入三維鰭式電晶體（3D FinFET）架構(gòu)于14nm制程產(chǎn)品中，預(yù)計明年客戶即可開始投片，后年則可望大量生產(chǎn)。
2012-10-09 12:02:37911 個原子組成。為了進展到下一個矽晶世代，除了各種缺陷和摻雜不均的問題以外，業(yè)界還面臨著矽電晶體尺寸進一步縮小的挑戰(zhàn)。
2014-07-07 09:59:42761 英國劍橋大學(xué)（Cambridge University）日前推出新的電晶體設(shè)計，可讓穿戴式等裝置利用周遭電晶體的電力作為能源供應(yīng)來源并可在1伏特下運作且耗電低于10億分之1瓦特。
2016-11-10 10:14:11779 融合，如以IPv6架構(gòu)為基礎(chǔ)的M2M、行動物聯(lián)網(wǎng)、行動云端運算、SDN、網(wǎng)絡(luò)功能虛擬化(NFV)等，以改
2017-02-09 09:00:02149 功耗低，面積小的優(yōu)點，臺灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）等主要半導(dǎo)體代工已經(jīng)開始計劃推出自己的FinFET晶體管［4］，為未來的移動處理器等提供更快，更省電的處理器。從2012年起，FinFET已經(jīng)開始向20納米節(jié)點和14納米節(jié)點推進。
2018-07-18 13:49:00119524 
鰭式場效晶體管（簡稱 finFET）的推出標(biāo)志著 CMOS 晶體管首次被看作是真正的三維器件。由于源漏區(qū)以及與其周圍連接的三維結(jié)構(gòu)方式（包括本地互連和接觸通孔），導(dǎo)致了復(fù)雜性和不確定性。
2018-01-28 14:28:013592 
三星電子(Samsung Electronics)計劃于2021年量產(chǎn)FinFET電晶體架構(gòu)的后繼產(chǎn)品——采用3nm制程節(jié)點的環(huán)繞式閘極(gate-all-around；GAA)電晶體。
2018-05-30 11:37:134765 ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯(lián)華電子（UMC）的先進14納米FinFET制程技術(shù)認證。ANSYS和聯(lián)電透過認證和完整套裝半導(dǎo)體設(shè)計解決方案，支援共同客戶滿足下一代行動和高效能運算（HPC）應(yīng)用不斷成長的需求。
2018-07-17 16:46:003390 高通新一代Snapdragon 855為全球首款可同時支持千兆等級(multi-gigabit)5G服務(wù)、人工智能(AI)及沉浸式延展實境(XR)技術(shù)的商用行動平臺，訴求將迎來革命性行動裝置的下一個嶄新十年。
2018-12-11 11:01:592808 我國科學(xué)家首次研制出高銦含量三元光電晶體!
2019-04-28 16:45:122845 非中心對稱晶體，在機械力作用下，產(chǎn)生形變，使帶電質(zhì)點發(fā)生相對位移，從而在晶體表面出現(xiàn)正、負束縛電荷，這樣的晶體稱為壓電晶體。壓電晶體極軸兩端產(chǎn)生電勢差的性質(zhì)稱為壓電性。
2019-06-27 14:30:0515707 Intel之前已經(jīng)宣布在2021年推出7nm工藝，首發(fā)產(chǎn)品是數(shù)據(jù)中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工藝更加重要了，因為Intel在這個節(jié)點會放棄FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA晶體管。
2020-03-11 09:51:095687 
如果說在2019 年年中三星宣稱將在2021年推出其“環(huán)繞式柵極（GAA）”技術(shù)取代FinFET晶體管技術(shù)，FinFET猶可淡定；而到如今，英特爾表示其5nm制程將放棄FinFET而轉(zhuǎn)向GAA，就已有一個時代翻篇的跡象了。
2020-03-16 15:36:392616 有消息表示，處理器龍頭廠商英特爾在 5 納米節(jié)點上將會放棄 FinFET 電晶體，轉(zhuǎn)向 GAA 環(huán)繞柵極電晶體。
2020-03-17 16:35:262811 已全部加載完成
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