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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>工藝/制造>7nm半導(dǎo)體工藝極限又被突破的原因

7nm半導(dǎo)體工藝極限又被突破的原因

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2020-08-23 08:23:005212

突破摩爾定律 臺(tái)積電17年要試產(chǎn)7nm芯片

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2016-10-21 10:23:23881

7nm處理器是極限么?

從芯片的制造來(lái)看,7nm就是硅材料芯片的物理極限,到了7nm節(jié)點(diǎn)即使是finfet也不足以在保證性能的同時(shí)抑制漏電,所以工業(yè)界用砷化銦鎵取代了單晶硅溝道來(lái)提高器件性能。
2016-10-21 14:46:306088

三星vs臺(tái)積電 7nm工藝誰(shuí)能領(lǐng)先一步?

三星與臺(tái)積電工藝之戰(zhàn)從三星跳過(guò)20nm工藝而直接開(kāi)發(fā)14nmFinFET打響,從10nm到如今的7nm之爭(zhēng),無(wú)論誰(shuí)領(lǐng)先一步,都是半導(dǎo)體工藝的重大突破。 在半導(dǎo)體代工市場(chǎng)上,臺(tái)積電一直都以領(lǐng)先的工藝
2017-03-02 01:04:491675

中芯國(guó)際今年將投資7nm工藝 問(wèn)世或2020年之后

日前中芯國(guó)際CEO邱慈云表態(tài)今年晚些時(shí)候會(huì)投資研發(fā)7nm工藝,不過(guò)他并沒(méi)有給出國(guó)產(chǎn)7nm工藝問(wèn)世時(shí)間,考慮到14nm工藝目標(biāo)定在2018-2020年左右,估計(jì)國(guó)產(chǎn)的7nm工藝至少也得在2020年之后了。
2017-03-17 09:28:312307

一文詳解芯片的7nm工藝

芯片的7nm工藝我們經(jīng)常能聽(tīng)到,但是7nm是否真的意味著芯片的尺寸只有7nm呢?讓我們一起來(lái)看看吧!
2023-12-07 11:45:311603

重大突破! 臺(tái)積電5nm馬上試產(chǎn)!

10月10日晚間消息,著名半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電宣布了有關(guān)極紫外光刻(EUV)技術(shù)的兩項(xiàng)重磅突破,一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶(hù)芯片的流片工作,二是5nm工藝將在六個(gè)月后開(kāi)始試產(chǎn)!
2018-10-11 11:45:233704

博通宣布推出全新Tomahawk 4網(wǎng)絡(luò)芯片 基于臺(tái)積電7nm工藝打造

半導(dǎo)體巨頭博通宣布,基于臺(tái)積電7nm工藝,打造了全新的Tomahawk 4網(wǎng)絡(luò)芯片,可以單芯片承載64口400Gbps(40萬(wàn)兆)或256口100GbE(10萬(wàn)兆)交換和路由服務(wù)。
2019-12-16 17:35:345212

臺(tái)積電再度突破半導(dǎo)體材料限制,離1nm又進(jìn)一步

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10nm、7nm等制程到底是指什么?宏旺半導(dǎo)體和你聊聊

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展,芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級(jí)到到現(xiàn)在比較主流的10nm7nm,而最近據(jù)媒體報(bào)道,半導(dǎo)體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動(dòng)
2019-12-10 14:38:41

2020年半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)前瞻

?!    ⑻貭?b class="flag-6" style="color: red">7nm首發(fā)產(chǎn)品將是面向數(shù)據(jù)中心的GPU:Xe  另外,英特爾還解釋了有關(guān)10nm工藝延期以及未來(lái)的7nm工藝研發(fā)的問(wèn)題。正如英特爾多次表示的那樣,10nm延期的原因是由于目標(biāo)設(shè)定過(guò)高。在從22nm
2020-07-07 11:38:14

2024年全球與中國(guó)7nm智能座艙芯片行業(yè)總體規(guī)模、主要企業(yè)國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)占有率及排名

7nm智能座艙芯片市場(chǎng)報(bào)告主要研究: 7nm智能座艙芯片市場(chǎng)規(guī)模: 產(chǎn)能、產(chǎn)量、銷(xiāo)售、產(chǎn)值、價(jià)格、成本、利潤(rùn)等 7nm智能座艙芯片行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析:原材料、市場(chǎng)應(yīng)用、產(chǎn)品種類(lèi)、市場(chǎng)需求、市場(chǎng)供給,下游
2024-03-16 14:52:46

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2021-06-26 07:05:34

半導(dǎo)體工藝

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯 半導(dǎo)體工藝
2012-08-20 09:02:05

半導(dǎo)體工藝

有沒(méi)有半導(dǎo)體工藝方面的資料啊
2014-04-09 22:42:37

半導(dǎo)體工藝幾種工藝制程介紹

  半導(dǎo)體發(fā)展至今,無(wú)論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn),如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測(cè)的一樣,半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小,芯片的集成度也在不斷提升,工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40

半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)

  業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
2019-07-05 08:13:58

半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)是什么?

業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
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半導(dǎo)體工藝講座

半導(dǎo)體工藝講座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
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半導(dǎo)體光刻蝕工藝

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2021-02-05 09:41:23

半導(dǎo)體制造企業(yè)未來(lái)分析

們的投入中,80%的開(kāi)支會(huì)用于先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增,包括7nm、5nm及3nm,另外20%主要用于先進(jìn)封裝及特殊制程。而先進(jìn)工藝中所用到的EUV極紫外光刻機(jī),一臺(tái)設(shè)備的單價(jià)就可以達(dá)到1.2億美元,可見(jiàn)半導(dǎo)體
2020-02-27 10:42:16

半導(dǎo)體器件與工藝

半導(dǎo)體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08

半導(dǎo)體材料有什么種類(lèi)?

半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展,從使用到創(chuàng)新,擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初,就曾出現(xiàn)過(guò)點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年,氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用,是半導(dǎo)體材料開(kāi)始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成,成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15

突破氮化鎵功率半導(dǎo)體的速度限制

突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49

AMD 7nm芯片的封測(cè)廠商通富微電介紹

國(guó)內(nèi)的通富微電成為AMD 7nm芯片的封測(cè)廠商之一
2020-12-30 07:48:47

EUV熱潮不斷 中國(guó)如何推進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展?

。日前,ASML中國(guó)區(qū)總裁金泳璇在接受《中國(guó)電子報(bào)》記者采訪時(shí)否認(rèn)了這一說(shuō)法。據(jù)金泳璇透漏:“國(guó)內(nèi)某知名半導(dǎo)體晶圓廠現(xiàn)已與ASML展開(kāi)7nm工藝制程EUV訂單的商談工作,第一臺(tái)EUV設(shè)備落戶(hù)于中國(guó)
2017-11-14 16:24:44

Fusion Design Platform?已實(shí)現(xiàn)重大7nm工藝里程碑

技(Synopsys, Inc., 納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼: SNPS)近日宣布,在設(shè)計(jì)人員的推動(dòng)下,F(xiàn)usion Design Platform?已實(shí)現(xiàn)重大7nm工藝里程碑,第一年流片數(shù)突破100,不僅
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XX nm制造工藝是什么概念

XX nm制造工藝是什么概念?為什么說(shuō)7nm是物理極限
2021-10-20 07:15:43

[課件]半導(dǎo)體工藝

一個(gè)比較經(jīng)典的半導(dǎo)體工藝制作的課件,英文的,供交流……
2012-02-26 13:12:24

半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記

`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
2012-08-20 19:40:32

為什么說(shuō)移動(dòng)終端發(fā)展引領(lǐng)了半導(dǎo)體工藝新方向?

哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用?對(duì)此,業(yè)界存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
2019-08-02 08:23:59

為何說(shuō)7nm就是硅材料芯片的物理極限

的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么,為何說(shuō)7nm就是硅材料芯片的物理極限,碳納米管復(fù)合材料又是怎么一回事呢?面對(duì)美國(guó)的技術(shù)突破,中國(guó)應(yīng)該怎么做呢?XX nm制造工藝是什么概念?芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25

主流的射頻半導(dǎo)體制造工藝介紹

1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi),元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍,非常適合
2019-07-29 07:16:49

介紹分析7nm和更小工藝節(jié)點(diǎn)高性能時(shí)鐘的挑戰(zhàn)

450 萬(wàn)個(gè)門(mén)、包含數(shù)十億個(gè)晶體管的時(shí)鐘電路上;跟蹤需要 4.5 小時(shí),仿真總共需要 12 小時(shí),在 250 個(gè) CPU 上運(yùn)行。總結(jié)設(shè)計(jì) 7nm 和更小工藝節(jié)點(diǎn)的 SoC 是一項(xiàng)艱巨的任務(wù),需要專(zhuān)業(yè)的時(shí)鐘分析知識(shí)以確保首次通過(guò)硅片成功。原作者:EETOP編譯整理
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光刻機(jī)工藝的原理及設(shè)備

來(lái)源:wikichip)  盡管EUV光刻機(jī)相當(dāng)之貴,接近1.2億美元一臺(tái),但半導(dǎo)體廠商還是愿意去投入,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">7nm以及以上的工藝的確需要EUV光刻機(jī),幾時(shí)同樣的7nm工藝,使用EUV光刻技術(shù)之后晶體管
2020-07-07 14:22:55

全球進(jìn)入5nm時(shí)代

45-50臺(tái)的交付量。這其中很大一部分都供給了臺(tái)積電,用于擴(kuò)充5nm,以及7nm產(chǎn)能。中微半導(dǎo)體除光刻機(jī)之外,蝕刻機(jī)也是5nm制程工藝不可缺少的,目前,全球高端刻蝕機(jī)玩家僅剩下應(yīng)用材料、Lam
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有些失靈了,因?yàn)閺男酒闹圃靵?lái)看,7nm就是物理極限。一旦晶體管大小低于這一數(shù)字,它們?cè)谖锢硇螒B(tài)上就會(huì)非常集中,以至于產(chǎn)生量子隧穿效應(yīng),為芯片制造帶來(lái)巨大挑戰(zhàn)。因此,業(yè)界普遍認(rèn)為,想解決這一問(wèn)題就必須
2016-10-08 09:25:15

有關(guān)半導(dǎo)體工藝的問(wèn)題

問(wèn)個(gè)菜的問(wèn)題:半導(dǎo)體(或集成電路)工藝   來(lái)個(gè)人講講 半導(dǎo)體工藝 集成電路工藝工藝 CMOS工藝的概念和區(qū)別以及聯(lián)系吧。查了一下:集成電路工藝(integrated
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求一份tsmc 7nm standard cell library求一份28nm或者40nm 的數(shù)字庫(kù)
2021-06-25 06:39:25

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10nm、7nm等到底是指什么?芯片工藝從目前的7nm升級(jí)到3nm后,到底有多大提升呢?
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適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況介紹

,元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無(wú)線通信的發(fā)展,高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣,今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41

龍芯3A6000今年上半年流片,已評(píng)估7nm工藝

目前的GS464V升級(jí)到LA664,因此單核性能有較大提升,達(dá)到市場(chǎng)上主流設(shè)計(jì)。至于未來(lái)的工藝,龍芯表示目前公司針對(duì)7nm工藝制程對(duì)不同廠家的工藝平臺(tái)做評(píng)估,不過(guò)他們沒(méi)有透露什么時(shí)候跟進(jìn)7nm工藝
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Intel:后10nm時(shí)代遠(yuǎn)景規(guī)劃,著手7nm、5nm工藝研發(fā)工作

Intel CEO Paul Otellini近日對(duì)投資者透露, 半導(dǎo)體 巨頭已經(jīng)開(kāi)始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作,這也是Intel第一次官方披露后10nm時(shí)代的遠(yuǎn)景規(guī)劃。 他說(shuō):我們的研究和開(kāi)發(fā)是相當(dāng)深遠(yuǎn)的,我是
2012-05-14 09:17:51627

三星/TSMC/Intel/AMD爭(zhēng)先恐后研發(fā)7nm

10nm主要針對(duì)低功耗移動(dòng)芯片,下下個(gè)節(jié)點(diǎn)7nm才是高性能工藝,是首次突破10nm極限,也是三方爭(zhēng)搶的重點(diǎn),TSMC及三星都準(zhǔn)備搶首發(fā)。
2016-05-30 11:53:53858

GF確認(rèn)將直奔7nm工藝 AMD將同步?

2015年以來(lái),英特爾(Intel)、三星、臺(tái)積電(TSMC)紛紛發(fā)力16/14nm FinFET工藝,而當(dāng)下芯片廠商正爭(zhēng)相蓄力2017款10nm半導(dǎo)體制造工藝。隨著高通CEO爆料,高通2017
2016-08-19 14:34:10809

7nm制程工藝或?yàn)槲锢?b class="flag-6" style="color: red">極限 1nm晶體管又是怎么回事

為什么說(shuō)7nm是物理極限?縮短晶體管柵極的長(zhǎng)度可以使CPU集成更多的晶體管或者有效減少晶體管的面積和功耗,并削減CPU的硅片成本。不過(guò)這種做法也會(huì)使電子移動(dòng)的距離縮短,容易導(dǎo)致晶體管內(nèi)部電子自發(fā)通過(guò)
2016-10-10 16:49:395833

臺(tái)積電張忠謀談大陸28nm工藝:增長(zhǎng)很快

TSMC臺(tái)積電是全球首屈一指的晶圓代工廠,在10nm7nm節(jié)點(diǎn)工藝上甚至有可能(紙面)領(lǐng)先Intel一步,可以說(shuō)是臺(tái)灣高科技產(chǎn)業(yè)的最佳代表。大陸這邊半導(dǎo)體工藝落后,但在奮起直追,SMIC中芯國(guó)際
2016-10-27 14:15:521538

5nm是物理極限,芯片發(fā)展將就此結(jié)束?

,人們也開(kāi)始擔(dān)心硅芯片極限的逐漸逼近,會(huì)不會(huì)意味著摩爾定律最終失效,進(jìn)而導(dǎo)致半導(dǎo)體行業(yè)停滯不前。 為什么說(shuō)5nm是現(xiàn)有芯片工藝極限呢?
2016-12-22 10:23:1142226

臺(tái)積電未必能在7nm工藝上領(lǐng)先三星

臺(tái)媒指臺(tái)積電已開(kāi)始試產(chǎn)7nm工藝,最快將在明年一季度正式投產(chǎn),并傳言高通將可能回歸采用7nm工藝生產(chǎn)其高端芯片,筆者對(duì)這一消息有一定的疑問(wèn)。
2017-01-03 15:10:15751

臺(tái)積電又要領(lǐng)跑7nm工藝,英特爾連三星都干不過(guò)?

Intel宣布投資70億美元升級(jí)Fab 42工廠,3-4年后準(zhǔn)備生產(chǎn)7nm工藝,拉開(kāi)了下下代半導(dǎo)體工藝競(jìng)爭(zhēng)的帷幕。 Intel宣布投資70億美元升級(jí)Fab 42工廠,3-4年后準(zhǔn)備生產(chǎn)7nm工藝
2017-02-11 02:21:11277

中芯國(guó)際CEO發(fā)話:今年研發(fā)7nm工藝!

國(guó)內(nèi)把半導(dǎo)體技術(shù)作為重點(diǎn)來(lái)抓,首先要突破的是3D NAND閃存,這方面主要是長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技在做,而在芯片制造工藝方面,國(guó)內(nèi)比Intel、三星、TSMC落后的更多,這方面追趕還得看SMIC中芯國(guó)際。日前
2017-03-17 10:07:306802

AMD徹底逆襲:GF直奔7nm工藝 Intel的10nm卻要等到2020年

近日,GlobalFoundries公布了7nm的進(jìn)度、技術(shù)指標(biāo)和量產(chǎn)安排,令半導(dǎo)體界為之一振。
2017-06-26 17:08:583537

 對(duì)飆臺(tái)積電7nm!三星絕地反擊:硬上6nm工藝 2019年量產(chǎn)

據(jù)韓國(guó)ETnews報(bào)道稱(chēng),在7nm工藝上,三星已經(jīng)深知落后臺(tái)積電不少,后者除了手握蘋(píng)果、聯(lián)發(fā)科、華為客戶(hù)外,還憑借7nm工藝把高通新一代驍龍?zhí)幚砥饔唵螕屪?,這是三星所不能忍。
2017-06-27 14:20:53647

什么是半導(dǎo)體工藝制程,16nm、10nm都代表了什么

隨著智能手機(jī)的發(fā)展,半導(dǎo)體工藝也急速提升,從28nm、16nm、10nm7nm這些半導(dǎo)體代工廠們每天爭(zhēng)相發(fā)布最新的工藝制程,讓很多吃瓜群眾一臉懵逼不知道有啥用。
2018-06-10 01:38:0046910

AMD將是首家采用7nm工藝的企業(yè) 將大步領(lǐng)先于Intel

工藝制程的進(jìn)步是摩爾定律的關(guān)鍵一環(huán),目前商用的最先進(jìn)是10nm,下一個(gè)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)是7nm,后者將宣告半導(dǎo)體正式邁進(jìn)入10nm階段。
2017-07-25 15:13:24949

芯片廠集體奔7nm 聯(lián)電還在倒騰28nm

半導(dǎo)體行業(yè),先進(jìn)的制造工藝無(wú)疑是一大法寶,各大代工廠、芯片廠經(jīng)常都會(huì)不惜一切代價(jià)追逐新工藝。10nm工藝基本量產(chǎn)普及的同時(shí),各大廠商都在奔向7nm,臺(tái)積電、三星、GlobalFoundries莫不
2017-07-31 11:35:01152

芯片廠集體奔7nm 聯(lián)電還在倒騰28nm

半導(dǎo)體行業(yè),先進(jìn)的制造工藝無(wú)疑是一大法寶,各大代工廠、芯片廠經(jīng)常都會(huì)不惜一切代價(jià)追逐新工藝。10nm工藝基本量產(chǎn)普及的同時(shí),各大廠商都在奔向7nm,臺(tái)積電、三星、GlobalFoundries莫不
2017-07-31 11:35:01185

高通驍龍855芯片突破制程工藝采用7nm制程

驍龍855芯片突破制程工藝,采用7nm制程,比較前身更加節(jié)能。如果高通在2019年推出驍龍855,那么它有可能就是A13芯片,2019年的iPhone手機(jī)也會(huì)采用這個(gè)芯片。
2017-10-12 18:25:003387

對(duì)于2017半導(dǎo)體設(shè)備的總結(jié)以及2018半導(dǎo)體設(shè)備的預(yù)測(cè)

半導(dǎo)體行業(yè)觀察:得益于儲(chǔ)存芯片和邏輯芯片對(duì)10 / 7nm先進(jìn)工藝的強(qiáng)勁需求,早些的預(yù)測(cè)都看好2018年半導(dǎo)體設(shè)備的穩(wěn)健增長(zhǎng)。
2017-12-29 11:22:178097

7nm芯片成為今年旗艦處理器標(biāo)配 三星宣布5/4/3nm工藝技術(shù)

此前,不少消息稱(chēng)蘋(píng)果今年發(fā)布的A12處理器將會(huì)采用全新的7nm工藝,并且會(huì)交由臺(tái)積電獨(dú)家生產(chǎn);高通驍龍855、華為麒麟980等處理器也將采用7nm工藝……如無(wú)意外,7nm將會(huì)成為今年旗艦處理器
2018-05-25 11:09:003532

臺(tái)積電著手7nm制程工藝大規(guī)模生產(chǎn)

臺(tái)積電已經(jīng)在著手將其7nm制程工藝擴(kuò)大到大規(guī)模生產(chǎn),臺(tái)積電的7nm制程工藝被稱(chēng)作N7,將會(huì)在今年下半年開(kāi)始產(chǎn)能爬坡。
2018-06-12 15:14:413315

格羅方德退出7nm工藝大戰(zhàn)

縮減硅工藝的可怕競(jìng)爭(zhēng),最近又難倒了一位參賽選手。格羅方德(GlobalFoundries)今日宣布,它將無(wú)限期地暫停 7nm LP 工藝的開(kāi)發(fā),以便將資源轉(zhuǎn)移到更加專(zhuān)業(yè)的 14nm 和 12nm FinFET 節(jié)點(diǎn)的持續(xù)開(kāi)發(fā)上。
2018-09-06 10:31:342742

7nm工藝的挑戰(zhàn):江豐電子已掌握7nm工藝濺射靶材核心技術(shù)

,濺射靶材也是其中之一。國(guó)內(nèi)濺射靶材行業(yè)龍頭公司江豐電子日前表示該公司已經(jīng)掌握了用于7nm工藝節(jié)點(diǎn)的金屬濺射靶材核心技術(shù),目前正在積極與客戶(hù)溝通評(píng)價(jià)事宜。 高純金屬濺射靶材主要是指純度為 99.9%-99.999%的金屬靶材,應(yīng)用于電子元器件
2018-09-07 15:33:013900

巨頭布局7nm制程需要克服怎樣的困難?

晶圓代工巨頭企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF(格芯),在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來(lái)越迅猛,10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半,7nm制程便已經(jīng)好似近在眼前。
2018-09-28 14:49:554147

重磅突破!臺(tái)積電5nm工藝將在六個(gè)月后開(kāi)始試產(chǎn)!

10月10日晚間消息,著名半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電宣布了有關(guān)極紫外光刻(EUV)技術(shù)的兩項(xiàng)重磅突破,一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶(hù)芯片的流片工作,二是5nm工藝將在六個(gè)月后開(kāi)始試產(chǎn)!
2018-10-11 08:44:334918

盤(pán)點(diǎn)那些搭載7nm工藝處理器或芯片

隨著市場(chǎng)對(duì)芯片集成度和功耗的新要求,半導(dǎo)體工藝也在不斷的進(jìn)步,從90nm到65nm,再到28nm、10nm……如今,全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體制程工藝可達(dá)7nm,英特爾、三星、臺(tái)積電、格羅方德等知名的半導(dǎo)體代工企業(yè)均有這樣的實(shí)力。
2018-10-11 14:33:3712642

為什么7nm工藝制程這么難?除了臺(tái)積電還有誰(shuí)?

和1Xnm半導(dǎo)體工藝的百花齊放相比,個(gè)位數(shù)的制程就顯得單調(diào)許多了,很多在10Xnm大放異彩的半導(dǎo)體公司都在7nm制程處遭遇到了苦頭。
2018-10-26 15:40:3116638

7nm的難度到底在哪?從7nm又能看出什么問(wèn)題?

和1Xnm半導(dǎo)體工藝的百花齊放相比,個(gè)位數(shù)的制程就顯得單調(diào)許多了,很多在 1Xnm大放異彩的半導(dǎo)體公司都在7nm制程處遭遇到了苦頭,隨著AMD御用代工廠商GF宣布無(wú)限期延期7nm制程工藝,目前僅剩
2018-10-28 11:34:137198

3nm制程工藝或?qū)⒂瓉?lái)希望

現(xiàn)在的EUV光刻機(jī)使用的是波長(zhǎng)13.5nm的極紫外光,而普通的DUV光刻機(jī)使用的是193nm的深紫外光,所以升級(jí)到EUV光刻機(jī)可以大幅提升半導(dǎo)體工藝水平,實(shí)現(xiàn)7nm及以下工藝
2018-11-01 09:44:264269

全新的7nm工藝加持的AMDZen2架構(gòu)有何神奇?

AMD Zen架構(gòu)取得了空前成功,今年還優(yōu)化為Zen+增強(qiáng)版,并有同樣優(yōu)化的12nm工藝輔助,而現(xiàn)在我們終于迎來(lái)了全新的第二代Zen 2架構(gòu),以及全新的7nm工藝加持。 AMD原計(jì)劃采用
2018-11-29 15:35:02186

臺(tái)積電預(yù)計(jì)到2019年底會(huì)有100多款客戶(hù)產(chǎn)品基于其7nm工藝

半導(dǎo)體工藝越來(lái)越復(fù)雜,不過(guò)憑借強(qiáng)大的實(shí)力、不斷的投入,再加上技術(shù)上的一些“偷懶”,臺(tái)積電還是相繼征服了10nm、7nm、5nm,其中7nm工藝已經(jīng)迅速普及開(kāi)來(lái),也成了臺(tái)積電最大的收入來(lái)源。
2019-01-18 16:15:15804

我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)水平達(dá)到7nm級(jí)別 也即將量產(chǎn)14nm工藝

年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額達(dá)到了6532億元,復(fù)合增長(zhǎng)率為20.3%,其中國(guó)內(nèi)公司的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)水平達(dá)到了7nm級(jí)別,半導(dǎo)體制造上也即將量產(chǎn)14nm工藝,但與國(guó)外先進(jìn)水平依然有很大的差距。
2019-04-10 14:39:423730

2020年投產(chǎn)的安培架構(gòu)GPU上,英偉達(dá)將改用三星的7nm EUV工藝進(jìn)行生產(chǎn)

通過(guò)使用三星7nm EUV工藝代替臺(tái)積電的7nm工藝,Nvidia可能能夠獲得更多供應(yīng)。
2019-06-10 09:06:126225

臺(tái)積電要進(jìn)行2nm半導(dǎo)體工藝的研究了大概需要多久

半導(dǎo)體工藝上,近年來(lái)幾大巨頭都紛紛出殺招。Intel終于進(jìn)入了10nm工藝時(shí)代,同時(shí)宣布在后年轉(zhuǎn)入7nm,
2019-06-16 09:42:514287

全球第一家!臺(tái)積電官宣2nm工藝!

這幾年,雖然摩爾定律基本失效或者說(shuō)越來(lái)越遲緩,但是在半導(dǎo)體工藝上,幾大巨頭卻是殺得興起。Intel終于進(jìn)入10nm工藝時(shí)代并將在后年轉(zhuǎn)入7nm,臺(tái)積電、三星則紛紛完成了7nm工藝的布局并奔向5nm、3nm。
2019-06-17 09:32:224069

AMD不需要三星7nm工藝代工,臺(tái)積電和GF可以滿足

高通今年發(fā)布的驍龍765系列處理器使用了三星的7nm EUV,這意味著三星的7nm工藝也可以量產(chǎn)了,這對(duì)其他半導(dǎo)體公司來(lái)說(shuō)也是一個(gè)機(jī)遇,因?yàn)榕_(tái)積電的7nm產(chǎn)能現(xiàn)在要搶?zhuān)珹MD的銳龍3000高端型號(hào)也遭遇了供不應(yīng)求的問(wèn)題,那AMD會(huì)使用三星代工嗎?
2019-12-12 10:54:243116

博通打造基于7nm工藝的omahawk 4網(wǎng)絡(luò)芯片,功耗降低75%

半導(dǎo)體巨頭博通宣布,基于臺(tái)積電7nm工藝,打造了全新的Tomahawk 4網(wǎng)絡(luò)芯片,可以單芯片承載64口400Gbps(40萬(wàn)兆)或256口100GbE(10萬(wàn)兆)交換和路由服務(wù)。
2019-12-16 16:50:013546

中芯國(guó)際或直接跳過(guò)10nm工藝節(jié)點(diǎn) 今年有望看到國(guó)產(chǎn)7nm工藝

作為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)最薄弱但也是最重要的環(huán)節(jié),芯片工藝一直是國(guó)內(nèi)的痛點(diǎn),所以國(guó)內(nèi)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際任重而道遠(yuǎn)。此前中芯國(guó)際已經(jīng)表態(tài)14nm工藝已經(jīng)試產(chǎn),今年就會(huì)迎來(lái)一輪爆發(fā),年底的產(chǎn)能將達(dá)到目前的3-5倍,同時(shí)今年內(nèi)還有可能試產(chǎn)更先進(jìn)的7nm工藝。
2020-01-07 09:54:455790

中芯國(guó)際14nm能夠發(fā)揮7nm工藝存疑

我們要不要過(guò)分夸大中芯國(guó)際呢,14nm能夠發(fā)揮7nm工藝的水平?如果說(shuō)14nm高于12nm,筆者是相信的,畢竟當(dāng)年的iphone 6s的兩個(gè)處理器是混用的。
2020-03-09 11:59:343314

臺(tái)積電已生產(chǎn)了10億顆完好的7nm工藝芯片

在今年上半年,臺(tái)積電5nm工藝所生產(chǎn)的芯片,尚未出貨,營(yíng)收排在首位的,也還是7nm工藝,在一季度和二季度,7nm分別貢獻(xiàn)了35%和36%的營(yíng)收,超過(guò)三分之一。
2020-09-02 16:52:152373

AMD加速甩掉14nm工藝,IO核心有望使用臺(tái)積電7nm工藝

去年AMD推出了7nm Zen2架構(gòu)的銳龍、霄龍?zhí)幚砥?,這是首款7nm工藝的x86處理器。不過(guò)嚴(yán)格來(lái)說(shuō)它是7nm+14nm混合,現(xiàn)在AMD要加速甩掉14nm工藝了,IO核心也有望使用臺(tái)積電7nm工藝
2020-09-24 10:12:581765

英特爾推出10nm SF工藝,號(hào)稱(chēng)比其他家7nm工藝還要強(qiáng)

關(guān)于芯片工藝,Intel前幾天還回應(yīng)稱(chēng)友商的7nm工藝是數(shù)字游戲,Intel被大家誤會(huì)了。不過(guò)今年Intel推出了新一代的10nm工藝,命名為10nm SuperFin工藝,簡(jiǎn)稱(chēng)10nm SF,號(hào)稱(chēng)是有史以來(lái)節(jié)點(diǎn)內(nèi)工藝性能提升最大的一次,沒(méi)換代就提升15%性能,比其他家的7nm還要強(qiáng)。
2020-09-27 10:35:063538

先進(jìn)制程是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的絕對(duì)主流?中國(guó)為什么要研發(fā)28nm工藝?

8nm、7nm、5nm.。..在品牌大廠的耳濡目染之中,極易讓我們產(chǎn)生一絲錯(cuò)覺(jué),即所有半導(dǎo)體廠商都在瘋狂研發(fā)先進(jìn)制程,或者說(shuō)先進(jìn)制程才是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的絕對(duì)主流。
2020-10-15 10:47:3810610

傳AMD明年的7nm晶圓訂單暴漲80%

AMD今年推出了7nm工藝的銳龍5000、RDNA2架構(gòu)的RX 6000系列顯卡,不過(guò)上市一兩個(gè)月來(lái)還是在缺貨,原因7nm產(chǎn)能緊張,這個(gè)問(wèn)題可能要到明年才能緩解了。
2020-12-21 11:17:071377

臺(tái)積電擴(kuò)充7nm 工藝產(chǎn)能 AMD 今年將是臺(tái)積電 7nm 工藝的第一大客戶(hù)

1 月 15 日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在蘋(píng)果轉(zhuǎn)向 5nm,華為無(wú)法繼續(xù)采用臺(tái)積電的先進(jìn)工藝代工芯片之后,臺(tái)積電 7nm 的產(chǎn)能,也就有了給予其他廠商更多的可能,去年下半年 AMD 獲得的產(chǎn)能
2021-01-15 11:27:282631

我國(guó)首款7nm GPGPU芯片成功被點(diǎn)亮

上海天數(shù)智芯半導(dǎo)體公司宣布,旗下旗艦級(jí)的7nm工藝GPGPU(通用并行)云端計(jì)算芯片“BI”,已于近日成功點(diǎn)亮。
2021-01-16 10:25:443739

12nm!上海已突破芯片極限,今年即可大規(guī)模量產(chǎn)

12nm!上海正式宣布,已突破芯片極限,今年即可大規(guī)模量產(chǎn)!,芯片,華為,半導(dǎo)體,nm,中芯國(guó)際
2021-02-05 17:51:465502

牙膏踩爆!Intel 5nm工藝曝光:直逼IBM 2nm

”也不小,三星的3nm工藝密度才跟Intel的7nm差不多。 Digitimes日前發(fā)表了研究報(bào)告,分析了三星、臺(tái)積電、Intel及IBM四家的半導(dǎo)體工藝密度問(wèn)題,對(duì)比了10nm、7nm、5nm、3nm
2021-07-15 09:36:391679

2nm芯片與7nm芯片的差距

全球首顆2nm芯片已經(jīng)被IBM研制出來(lái)了,在這一顆指甲蓋大小面積的芯片上可以容納500億顆晶體管,芯片制程工藝的進(jìn)步必將讓半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展越來(lái)越快。接下來(lái)我們?cè)敿?xì)了解下這款2nm芯片的特性、功耗等,跟7nm芯片做個(gè)對(duì)比,看下2nm芯片與7nm芯片之間有何差距。
2022-06-22 09:52:434352

芯片的極限是多少納米

 目前手機(jī)處理器的工藝制程是7nm,臺(tái)積電也即將量產(chǎn)5nm芯片,未來(lái)還有2nm甚至1nm芯片的出現(xiàn)。臺(tái)積電的研發(fā)負(fù)責(zé)人曾在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體工藝極限的問(wèn)題時(shí),認(rèn)為到2050年,晶體管可達(dá)0.1nm的氫原子尺度。
2022-06-24 16:10:0322959

二維半導(dǎo)體晶體管實(shí)際溝道長(zhǎng)度的極限

高性能單層二硫化鉬晶體管的實(shí)現(xiàn)讓科研界看到了二維半導(dǎo)體的潛力,二維半導(dǎo)體材料的發(fā)展讓我們看到了晶體管縱向尺寸下目前的縮放極限(< 1 nm),同樣的科學(xué)家們也沒(méi)有停止追尋二維半導(dǎo)體晶體管橫向尺寸的極限(也就是晶體管溝道長(zhǎng)度的縮放極限)。
2022-10-17 10:50:042020

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