9月2日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布,其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存(每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位,每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存)正式量產(chǎn),以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151204 Kioxia(原東芝存儲(chǔ)),西部數(shù)據(jù)(WD)聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開(kāi)發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前,原東芝存儲(chǔ)就在國(guó)際會(huì)議VLSI研討會(huì)
2019-12-13 10:46:0711441 資料來(lái)源:Kioxia Kioxia(原為東芝存儲(chǔ))有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品,與QLC NAND閃存相比,該產(chǎn)品可提供更高的存儲(chǔ)密度。這項(xiàng)于周四宣布的新技術(shù)允許存儲(chǔ)芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:214222 據(jù)報(bào)道,Kioxia已告知其客戶(hù),其一家工廠的生產(chǎn)工具在星期二早些時(shí)候著火了。據(jù)生產(chǎn)合作伙伴西部數(shù)據(jù)(Western Digital)稱(chēng),這場(chǎng)大火被迅速撲滅,沒(méi)有人員傷亡的報(bào)道,并且對(duì)合資公司
2020-01-11 06:00:005483 昆騰宣布已從西部數(shù)據(jù)(Western Digital)收購(gòu)ActiveScale對(duì)象存儲(chǔ)業(yè)務(wù)。Western Digital的ActiveScale云存儲(chǔ)解決方案用于存儲(chǔ)需要大量廉價(jià),快速和可靠
2020-02-12 01:32:001473 Western Digital和Kioxia宣布成功開(kāi)發(fā)了最新一代的3D NAND閃存。他們的第五代BiCS 3D NAND已以512 Gbit TLC部件的形式開(kāi)始生產(chǎn),但要到今年下半年才能增加到
2020-02-13 01:00:005791 7月24日國(guó)外消息:SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個(gè)區(qū)域記錄層的堆疊在一個(gè)閃存芯片放到另一個(gè)提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:23988 一周之前,三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個(gè)禮拜的時(shí)間,同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤(pán)。
2013-08-15 09:11:161205 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比,具有包括讀寫(xiě)速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢(shì)。
2013-08-29 10:46:512064 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了,TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。
2016-07-13 10:32:436006 目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月,先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng),如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨(dú)大的情況將畫(huà)下
2016-08-11 13:58:0640846 目前NAND閃存需求依然居高不下,廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了,SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存,這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁,把三星和蘋(píng)果的市場(chǎng)份額搶占不少,但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日,高啟全接受媒體采訪時(shí)表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊:三星今天在韓國(guó)宣布,開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb(32GB)、3bit的V-NAND閃存芯片,是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002000 全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷(xiāo)領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO)宣布該公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-09-11 10:03:292569 KIOXIA鎧俠近日宣布,其已達(dá)成一座新的里程碑——2022年是公司發(fā)明NAND閃存的35周年。 ? ? 回溯到1987年,人們很難想象這項(xiàng)當(dāng)時(shí)的全新技術(shù)會(huì)以何種方式影響世界。NAND閃存開(kāi)創(chuàng)了一個(gè)嶄新的技術(shù)時(shí)代,并淘汰了使用多年的技術(shù)和產(chǎn)品——在不同方面改變了人們的生活
2022-04-25 18:26:212196 11月12日消息今日,美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存,刷新行業(yè)紀(jì)錄,實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。這款176層NAND產(chǎn)品采用美光第五代3D NAND技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。
2020-11-13 09:40:162883 Kioxia(鎧俠)和西部數(shù)據(jù)宣布,雙方合作開(kāi)發(fā)了第六代162層3D閃存技術(shù)。這是兩家企業(yè)建立20年合作關(guān)系的又一里程碑,也是兩家公司迄今密度最高、最先進(jìn)的3D NAND技術(shù)。 Kioxia首席技術(shù)
2021-02-20 15:30:152151 什么是3D NAND?什么是4D NAND?3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場(chǎng)爆炸性成長(zhǎng)?如何提升SSD壽命及效能?3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場(chǎng)主流的原因是什么?
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術(shù)資料:器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
什么是3D圖形芯片?3D圖像生成算法的原理是什么?
2021-06-04 06:29:06
3D顯示技術(shù)的原理是什么?3D顯示技術(shù)有哪些應(yīng)用?3D拍好了到底怎么樣傳輸?
2021-05-31 06:53:03
SLC NAND Flash有8Gb的MX60L系列,512Mb-4Gb的MX30L系列;在工控產(chǎn)品和通信產(chǎn)品中,有MX30U/L、MX60U/L系列;而3D NAND Flash, 48層128Mb
2020-11-19 09:09:58
給PCB添加了3D模型之后,讓封裝旋轉(zhuǎn)45度,自己填加的3D模型旋轉(zhuǎn)45度后,代表3D模型的機(jī)械層不會(huì)和PCB重合;而用封裝向?qū)М?huà)的模型會(huì)和PCB重合。請(qǐng)問(wèn)這個(gè)改怎么解決?雖然旋轉(zhuǎn)45度之后,在3D 模式下,3D圖也是旋轉(zhuǎn)了45度,但是在2D模式下的機(jī)械層看著很不舒服。
2017-07-20 22:46:11
請(qǐng)教大家一個(gè)問(wèn)題: Altium designer 的3D封裝在機(jī)械層是有線的,我的板子在機(jī)械層也畫(huà)了線來(lái)切掉一部分。那么在PCB的生產(chǎn)加工中,3D封裝位于機(jī)械層的線是否會(huì)影響加工效果。請(qǐng)實(shí)際操作過(guò)的回答下,非常感謝。如下圖:
2016-07-22 14:05:18
Altium designer summer 09 怎么建立3D庫(kù),及PCB怎么導(dǎo)出3D圖,請(qǐng)教各位前輩們
2016-11-23 19:48:22
科技,ALI揚(yáng)智科技,Kioxia鎧俠,Western Digital西部數(shù)據(jù),Kingston金士頓,lnfineon英飛凌+CYPRESS,GiqaDevice兆易創(chuàng)新,Rockchip瑞芯微,AW全
2021-12-02 12:40:02
Stero 3D的3D功能。有一個(gè)討論這個(gè)問(wèn)題的線程,有些人對(duì)此真的不滿(mǎn)意嗎?在播放藍(lán)光3D時(shí),這會(huì)如何影響3D功能?任何人都可以更廣泛地解釋這一點(diǎn),最好是英特爾的人。來(lái)自英特爾技術(shù)規(guī)范:“LSP 2.0
2018-10-26 14:52:52
3D NAND的生產(chǎn)狀況。之前西部資料制定過(guò)一個(gè)目標(biāo),希望今年采用BiCS 3技術(shù)生產(chǎn)的64層3D NAND能占到3D NAND產(chǎn)量的75%,不過(guò)現(xiàn)在這個(gè)數(shù)字有望能提升到90%以上。另一組資料顯示
2022-02-03 11:41:35
6工廠,于2018年9月正式落成,主要是量產(chǎn)最新研發(fā)的96層3D NAND,這次西部數(shù)據(jù)宣布延后導(dǎo)入新設(shè)備,應(yīng)是第二期設(shè)備,第一期已于落成時(shí)導(dǎo)入。不過(guò),這次西部數(shù)據(jù)宣布四日市工廠將減少投入晶圓,可能是
2022-02-01 23:19:53
THGAF8G8T23BAIL閃存芯片THGAF8G9T43BAIR鎧俠宣布推出采用QLC NAND的嵌入式存儲(chǔ)UFS3.1產(chǎn)品。適用于需要高密度的應(yīng)用,例如尖端智能手機(jī),鎧俠的 QLC 技術(shù)能夠在
2022-01-25 08:37:22
SK海力士雖然并未有擴(kuò)產(chǎn)消息傳出,但是近期相繼宣布下一代(176層)NAND閃存技術(shù)取得顯著進(jìn)展。其中,美光最新的176層3D NAND已經(jīng)在新加坡工廠量產(chǎn),將在2021年推出基于該技術(shù)的新產(chǎn)品,SK
2022-01-26 08:35:58
`批量快速打印不是夢(mèng)是桌面3D打印機(jī)的8倍以上成型速度 4工位3D打印機(jī)打印尺寸:300*215*300 mm * 4噴頭 ⑴ 設(shè)備特性:可實(shí)現(xiàn)小批量的相同模型,不同材料和不同顏色的快速生產(chǎn)⑵ 設(shè)備
2015-12-18 16:37:06
pcb 3D導(dǎo)step用creo打開(kāi)為什么絲印層顯示不出來(lái) PCB3D.doc (219 KB )
2019-05-10 00:18:51
)首先確定Mechanical層打開(kāi),因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">3D Body只有在Mechanical層可有效放置成功。跳轉(zhuǎn)到Mechanical層,執(zhí)行菜單命令“放置-放置3D元件體”,會(huì)出現(xiàn)如圖4-71所示的3D模型
2021-09-22 15:14:20
娛樂(lè)等,未來(lái)AI實(shí)時(shí)應(yīng)用、分析、移動(dòng)性,對(duì)存儲(chǔ)要求低延遲、高吞吐量、高耐久性、低功耗、高密度、低成本等。為了滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的需求,西部數(shù)據(jù)在2017年發(fā)布第四代96層3D NAND,F(xiàn)ab工廠每天可生產(chǎn)
2018-09-20 17:57:05
使用DLP技術(shù)的3D打印光固化成形法 (SLA),一個(gè)常見(jiàn)的3D打印工藝,與傳統(tǒng)打印很相似。與硒鼓將碳粉沉積在紙張上很類(lèi)似,3D打印機(jī)在連續(xù)的2D橫截面上沉淀數(shù)層材料,這些材料一層層的疊加
2022-11-18 07:32:23
親, 我第1次用ALLEGRO是版本是14.2,隨著軟件的升級(jí),他也有3D的封裝庫(kù)。誰(shuí)有,可以提供嗎?
2015-09-10 10:38:26
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品,可用于各種廣泛的數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品【轉(zhuǎn)】東芝公司宣布推出全球最小級(jí)別嵌入式NAND閃存產(chǎn)品,這些產(chǎn)品整合了采用尖端的15納米工藝技術(shù)制造的NAND芯片。新產(chǎn)品符合
2018-09-13 14:36:33
的3D閃存了,三星公司7月初宣布了第五代V-NAND閃存(3DNAND閃存中的一種),率先支持ToggleDDR4.0接口,傳輸速度達(dá)到了1.4Gbps,相比64層堆棧的V-NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
`如何把3D文件(STEP)添加到3D庫(kù)?復(fù)制到3D庫(kù)不能用.`
2013-08-21 12:42:02
以下是我的請(qǐng)求列表,
你能分享 8MPLUS-BB 的 3D cad 模型嗎?
我可以請(qǐng)求共享 8MPLUS-BB 的 Altium 設(shè)計(jì)文件嗎?
我們已經(jīng)采購(gòu)了 EVM 板,并計(jì)劃設(shè)計(jì)一個(gè)外殼。
2023-06-05 13:37:08
3D打印技術(shù)是綜合了三維數(shù)字技術(shù)、控制技術(shù)、信息技術(shù)眾多技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)技術(shù),具有設(shè)計(jì)樣式多元化、試制成本低、制作材料豐富等特點(diǎn)。通過(guò)數(shù)字化設(shè)計(jì)工具+3D打印技術(shù)相結(jié)的模式,可以幫助企業(yè)高效實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新
2021-05-27 19:05:15
在3D打印機(jī)上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓,自帶壞塊管理,10W次擦寫(xiě)壽命,1萬(wàn)次隨機(jī)掉電測(cè)試。解決TF卡在3D打印機(jī)上常讀寫(xiě)錯(cuò)誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
128層甚至更高,外圍電路可能會(huì)占到芯片Xtacking技術(shù)將外圍電路連接到存儲(chǔ)單元之上,從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存產(chǎn)品將在2020年進(jìn)入
2020-03-19 14:04:57
在3D模式下能不能隱藏元件的3D,就是3D模式下只能看見(jiàn)PCB板
2019-04-18 05:51:13
Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布,已經(jīng)開(kāi)始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片,并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 Hynix宣布已成功開(kāi)發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布,繼半年前成功開(kāi)發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品,并于去年8月份開(kāi)始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081045 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在:
1) 閃存芯片讀寫(xiě)的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 現(xiàn)在,西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存,其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)(下半年出樣,2018年開(kāi)始量產(chǎn)),除了TLC類(lèi)型外,其還會(huì)支持QLC,這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40710 上周,隨著英特爾和美光宣布未來(lái)雙方將各自獨(dú)立開(kāi)發(fā)3D NAND,其維持多年的長(zhǎng)期合作關(guān)系也將結(jié)束。與此同時(shí),有外媒報(bào)道,英特爾將于紫光合作,在中國(guó)生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來(lái)幾年,英特爾將會(huì)
2018-01-16 14:37:554492 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司,他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司,內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼,而閃存方面,美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過(guò)2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031188 )也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨(dú)大的情況將畫(huà)下句點(diǎn),加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入,3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。什么是3D NAND閃存?從新聞到評(píng)測(cè)
2018-10-08 15:52:39395 11月15日, 國(guó)產(chǎn)知名SSD主控芯片原廠聯(lián)蕓科技(MAXIO)再下一城,正式對(duì)外宣布MAS0902固態(tài)硬盤(pán)主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒,并對(duì)外提供搭載聯(lián)蕓科技自主
2018-11-19 17:22:316838 的單位面積上,TLC閃存比MLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)更多,而MLC又比SLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱(chēng)為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過(guò)在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲(chǔ)單元,這種類(lèi)型的閃存可以獲得更大的密度。
2018-12-17 15:50:241684 的單位面積上,TLC閃存比MLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)更多,而MLC又比SLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱(chēng)為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過(guò)在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲(chǔ)單元,這種類(lèi)型的閃存可以獲得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345462 Western Digital Corp.(NASDAQ:WDC)在RISC-V Summit大會(huì)上發(fā)表了三項(xiàng)創(chuàng)新的開(kāi)源技術(shù),專(zhuān)為支持Western Digital內(nèi)部RISC-V架構(gòu)開(kāi)發(fā)專(zhuān)案,以及日益成長(zhǎng)的RISC-V架構(gòu)生態(tài)系統(tǒng)所設(shè)計(jì)的。
2018-12-23 10:04:204532 Western Digital 為推動(dòng)ZB( Zettabyte 皆字節(jié))規(guī)模數(shù)據(jù)中心,最近公布了分區(qū)儲(chǔ)存( Zoned Storage )技術(shù),包括ZNS NVMe SSD 及ZNS SSD 。
2019-06-24 15:54:115344 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 英特爾透露,2019年第四季度將會(huì)推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤(pán)的144層QLC(四級(jí)單元)NAND,預(yù)計(jì)將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321074 美光宣布,已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片,應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu),并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:32791 根據(jù)消息報(bào)道,西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布,他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開(kāi)發(fā)成功,第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開(kāi)始以512 Gb顆粒形式生產(chǎn),今年下半年可能會(huì)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
2020-02-04 16:25:344317 Western Digital宣布將在其WD Red產(chǎn)品系列中增加三個(gè)新的NAS驅(qū)動(dòng)器,旨在為依靠NAS驅(qū)動(dòng)器滿(mǎn)足其存儲(chǔ)需求的小型企業(yè)和家庭辦公室提供更高的性能,耐用性,容量和可訪問(wèn)性。
2020-03-11 16:19:252440 2020年4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:522653 長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功,型號(hào)為X2-6070,并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:062793 全球第二大NAND型閃存廠商鎧俠(Kioxia)于官網(wǎng)宣布,其已于27日獲得上市許可,將在10月6日首次掛牌上市。這將是日本今年最大的IPO案,在鎧俠宣布得到上市許可后,其股東同天宣布擬出售部分
2020-09-09 17:04:461966 全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷(xiāo)領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation,NASDAQ:SIMO)宣布該公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-09-11 11:12:161889 全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷(xiāo)領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation,NASDAQ:SIMO)宣布該公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-09-11 11:12:191922 全 球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷(xiāo)領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation,NASDAQ:SIMO)宣布該公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-09-11 11:12:341883 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專(zhuān)注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 據(jù)美媒Anandtech報(bào)道,美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存,新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報(bào)道指出,新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲(chǔ)器合作解散以來(lái)推出的第二代產(chǎn)品,此后美光從浮柵( floating-gate)存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap)單元。
2020-11-10 14:56:592809 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù),達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后,自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日,美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存,刷新行業(yè)紀(jì)錄,實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:571857 存儲(chǔ)器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599 日前,TechInsights高級(jí)技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會(huì)上作了兩次演講,詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲(chǔ)器的未來(lái)。
2020-11-19 16:11:182910 NAND 非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限,以及晶體管越來(lái)越小,NAND 的編程時(shí)間變長(zhǎng),擦寫(xiě)次數(shù)變少,能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的 3D
2020-11-20 16:07:132330 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND,氧化層越來(lái)越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來(lái)的 3D NAND 將如何發(fā)展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 在 2020 年的閃存峰會(huì)
2020-11-20 17:15:443030 ? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著2D NAND容量達(dá)到極限,以及晶體管越來(lái)越小,NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng),擦寫(xiě)次數(shù)變少,能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的3D
2020-12-09 10:35:492766 層3D NAND;長(zhǎng)江存儲(chǔ)于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉(zhuǎn)眼來(lái)到2020年末,美光和SK海力士相繼發(fā)布了176層3D NAND。這也是唯二進(jìn)入176層的存儲(chǔ)廠商。不得不說(shuō),存儲(chǔ)之戰(zhàn)沒(méi)有最烈,只有更烈。
2020-12-09 14:55:373659 三星最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Kioxia在2020年第三季度的市場(chǎng)份額為21.4%。Western Digital的市場(chǎng)份額為14.3%,SK Hynix的市場(chǎng)份額為11.3%,Micron的市場(chǎng)份額為10.5%,Intel的市場(chǎng)份額為7.9%。
2021-01-22 14:15:262370 日本芯片制造商Kioxia開(kāi)發(fā)了大約170層的NAND閃存,加入了與美國(guó)同行Micron Technology和韓國(guó)的SK Hynix的競(jìng)賽。
2021-02-20 11:10:002580 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100 我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來(lái)了,理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 鎧俠株式會(huì)社(Kioxia Corporation)和西部數(shù)據(jù)公司(Western Digital Corp., NASDAQ: WDC)今天公布了雙方合作開(kāi)發(fā)的新3D閃存技術(shù)的細(xì)節(jié),展示了兩家
2023-04-03 09:52:37408 來(lái)源:KIOXIA鎧俠中國(guó) 為展示先進(jìn)閃存技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新,鎧俠株式會(huì)社與西部數(shù)據(jù)公司今日(3月31日)發(fā)布了他們最新的3D閃存技術(shù)的細(xì)節(jié),該技術(shù)目前正在備產(chǎn)中。該3D閃存采用先進(jìn)的微縮和晶圓鍵合技術(shù)
2023-04-04 16:39:43491 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開(kāi)發(fā)計(jì)劃,預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:291744
評(píng)論
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