資料來源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲密度。這項于周四宣布的新技術(shù)允許存儲芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:21
4222 全球首款支持Micron新型16nm TLC NAND的SSD控制器，有助實現(xiàn)高性能、成本最優(yōu)化的TLC SSD
2015-06-04 11:36:281577 2022年4月25日，中國上海 — 20世紀90年代的MP3播放器與如今的智能手機有什么共同之處？如果沒有NAND閃存這一影響力貫穿幾十年的創(chuàng)新技術(shù)，這兩者都將不會存在。全球存儲器解決方案領(lǐng)導(dǎo)者
2022-04-25 18:26:212196 
制造、設(shè)計或啟用NAND閃存的公司組成的行業(yè)工作組,主要是Intel和鎂光。致力于簡化NAND閃存集成到消費電子產(chǎn)品、計算平臺和任何其他需要固態(tài)大容量存儲的應(yīng)用程序中。為NAND閃存定義標(biāo)準化的組件
2023-06-21 17:36:325873 
將在IBM紐約州East Fishkill 300 mm晶圓廠內(nèi)聯(lián)合開發(fā)32 nm bulk CMOS工藝。2007年2月美光推出25 nm NAND閃存，3年后量產(chǎn)25 nm閃存。目前32 nm/22 nm工藝尚處于研發(fā)階段。
2019-07-01 07:22:23
1310nm-10km光模塊。 什么是25G SFP28光模塊？ 25G SFP28光模塊就是傳輸速率是25Gbps的光模塊，主要用于25G以太網(wǎng)和100G（4x25Gbps）以太網(wǎng)中，并且它能夠提供最節(jié)能的方式
2018-05-03 15:35:38
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
本帖最后由 小水滴02 于 2012-9-24 17:04 編輯
觀點：盡管NAND閃存市場需求在一定程度上受到了經(jīng)濟形勢的影響，但美光市場卻逆勢增長，其市場份額首次突破20%大光。這是其
2012-09-24 17:03:43
美光科技公司宣布，將推出面向全球手機用戶的新型MT9D011低功耗200萬像素CMOS成像傳感器。 隨著消費者對手機、第三代智能電話等設(shè)備的高分辨率相機的要求，美光為此提供一種新款成像傳感器
2018-10-26 16:48:45
生產(chǎn)出像素尺寸為0.2的圖像傳感器?！痹摲治鰩煴硎?。“但在他講話后不到一周，美光就宣布能夠生產(chǎn)0.17的像素尺寸?！? 實際上，美光的競爭對手三星電子是美光的最大圖像傳感器客戶之一。三星也銷售圖像傳感器。他說：“我們的消息暗示，美光在一個月以前獲得了三星的幾項design win?！?
2018-11-20 16:03:30
，25nm新工藝NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計今年晚些時候就可以看到相關(guān)U盤、記憶卡、固態(tài)硬盤等各種產(chǎn)品。IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產(chǎn)，這也是該領(lǐng)域的制造工藝首次進軍到
2022-01-22 07:59:46
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D閃存MT29F4G08ABAEAWP-IT:E美系內(nèi)存大廠美光(Micron)日前正式推出25奈米NAND Flash制程，預(yù)計于2010年中
2022-01-22 08:05:39
全球前3名，尤其是和合作伙伴英特爾合計，市占率超過15%。美光在NAND Flash市場上突圍，主要是拜2009年34奈米制程領(lǐng)先所賜，2010年再度領(lǐng)先宣布年中量產(chǎn)25奈米制程，成本競爭力促使美光市
2022-01-22 08:14:06
%；美光2019第二財季營業(yè)利潤率保持在36.2%，NAND Flash營收占比為30%。由于缺少DRAM的盈利支撐，西部數(shù)據(jù)營業(yè)利潤率僅為5%，將處于不利地位。現(xiàn)在NAND Flash仍在持續(xù)跌價，Q2
2022-01-31 12:29:27
SK海力士雖然并未有擴產(chǎn)消息傳出，但是近期相繼宣布下一代（176層）NAND閃存技術(shù)取得顯著進展。其中，美光最新的176層3D NAND已經(jīng)在新加坡工廠量產(chǎn)，將在2021年推出基于該技術(shù)的新產(chǎn)品，SK
2022-01-26 08:35:58
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對內(nèi)存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
根據(jù)數(shù)據(jù)表，斯巴達6家族有廣泛的第三方SPI（高達x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺，我當(dāng)時
2019-05-21 06:43:17
，大數(shù)據(jù)存儲需求持續(xù)增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增長率達40%-45%，而美光NAND技術(shù)從40nm到16nm，再到64層3D技術(shù)，一直為市場提供更好的產(chǎn)品和解決方案。就在幾個月前美
2018-09-20 17:57:05
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動數(shù)碼消費產(chǎn)品，包括手機和數(shù)碼相機，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產(chǎn)
2008-08-14 11:31:20
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，可用于各種廣泛的數(shù)字消費產(chǎn)品【轉(zhuǎn)】東芝公司宣布推出全球最小級別嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，這些產(chǎn)品整合了采用尖端的15納米工藝技術(shù)制造的NAND芯片。新產(chǎn)品符合
2018-09-13 14:36:33
時間回到2018年第一季度，三星、東芝、美光等公司的NAND芯片利潤率是40％，但是第一季度過后NAND價格就開始暴降，據(jù)統(tǒng)計去年上半年NAND閃存價格下跌了至少50％，而根據(jù)分析師表示，未來每年
2021-07-13 06:38:27
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個鏈接器來構(gòu)建 .stldr？我走對路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠離ML403板支持的CFI兼容性，您無法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項目僅限于Virtex 4平臺，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
大家好，我做FPGA開發(fā)，需要用到大的內(nèi)存，ise12只有美光和現(xiàn)代的庫，我對美光內(nèi)存使用有如下疑惑：美光2G內(nèi)存位寬16位，速率可達200M，4G內(nèi)存怎么才8位，速率還慢，才125M~150MHz.這樣的話，用更多的內(nèi)存反而降低性能？
2013-06-22 21:46:08
至 2015 年之間， NAND的市場復(fù)合年增長率將達到 7%。技術(shù)方面，內(nèi)存密度因采用 25nm 及以下制程技術(shù)，讓制造商能進一步擴大優(yōu)勢。領(lǐng)先的 NAND 閃存制造商開始用 20-30nm 范圍
2014-04-22 16:29:09
DRAM補全計劃？此前曾傳出紫光將斥資230億美元收購美的消息，后因美國***的限制，使這筆交易暫時壓后。美光就不需要給大家介紹，它的DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導(dǎo)體組件以及存儲器模塊
2016-07-29 15:42:37
你好，對于Linux 3.14的32 nm閃存驅(qū)動程序是否有更新。事實上，我們正面臨NAND從UBoad讀取的問題。烏迪
2019-10-24 11:02:20
NAND）。 標(biāo)配的HyperX SSD附帶有5K 25nm Intel MLC NAND，而HyperX 3K配備3K 25nm Intel MLC NAND。英特爾的零件編號沒有明顯的區(qū)別，所以
2017-11-27 16:50:14
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年
2010-08-30 15:48:01
183 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988
2010-11-03 16:40:29112 From M-system公司Arie TAL NAND和NOR的比較
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年
2009-09-13 14:07:371002 三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23533 Intel-鎂光反擊,2xnm制程NAND芯片將試制
在本月22日召開的一次電話會議上，鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品，并對其進行取樣測試。盡管
2009-12-26 09:56:491134 東芝32nm制程NAND閃存SSD硬盤將于二季度上市
日本東芝公司在NAND閃存制造領(lǐng)域的地位可謂舉足輕重，其有關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)銷量僅次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤
2010-01-08 17:15:13988 震撼存儲產(chǎn)業(yè)，IMFT發(fā)布25nm SSD
去年8月份，Intel剛剛發(fā)布了全球首批34nm MLC NAND閃存新工藝固態(tài)硬盤，從50nm進化至34nm。而現(xiàn)在，Intel與Micron所合資的公司IMFT此次再次推動
2010-02-02 09:05:47785 
技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽
在最近舉辦的一次會議上，Intel公司屬下NAND閃存集團的新任老總Tom Rampone透露了有關(guān)Intel閃存業(yè)務(wù)的一個驚人規(guī)劃，
2010-02-09 10:50:09497 Intel大連晶圓廠今年10月投產(chǎn)
Intel公司宣布，位于我國大連市的“Fab 68”晶圓廠將于今年10月份正式投入生產(chǎn)。
Fab 68工廠將使用65nm工藝制造
2010-02-10 10:27:05665 Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081045 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511087 IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開售
Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計今年晚
2010-03-23 11:58:41600 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個20納米級(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
美光科技 (Micron Technology Inc.) 日前宣布，美光獲獎的25nm NAND 已獲日立LG數(shù)據(jù)儲存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡稱 HLDS) 采用作為其新型混合
2010-11-03 09:40:211653 
目前，限制SSD普及的門檻依然是昂貴的價格和較小的容量，而各大閃存制造廠商也在為SSD的普及，積極地研制新制程技術(shù)，以期望帶來更具性價比的產(chǎn)品。顯然，英特爾和美光的合
2011-01-02 12:57:48891 據(jù)報道：Intel將繼續(xù)推出緩存式SSD新品，屬于313系列，代號為"Hawley Creek"，替代代號為"Larson Creek"的311系列，容量有20GB、24GB，預(yù)計將在4月上市，售價分別為99美元和119美元。
2012-02-23 10:33:06810 一周前Intel正式發(fā)布了SSD 313,全面為Ivy Bridge平臺SRT技術(shù)準備,而在主流市場intel不久前曝光的SSD 330近日正式上市,產(chǎn)品加入到SATA 6Gbps的大軍中。Intel SSD 330采用了25nm MLC NAND閃存,最大持續(xù)讀寫
2012-04-17 11:14:281245 嵌入式市場閃存解決方案的創(chuàng)新領(lǐng)軍者Spansion公司今日宣布其首個單層單元（SLC）系列Spansion NAND閃存產(chǎn)品開始出樣。這一最新SLC NAND閃存產(chǎn)品采用4x nm浮柵技術(shù)，專門用于汽車、消費及網(wǎng)
2012-05-29 08:55:471159 東京—東芝公司 （TOKYO：6502）今天宣布，該公司在閃存峰會（Flash Memory Summit）上展示其最新的NAND閃存和存儲產(chǎn)品。
2014-09-03 11:40:13849 據(jù)報道，市場傳出，聯(lián)發(fā)科上周向臺積電大砍6月至8月間約2萬片28nm訂單;以聯(lián)發(fā)科在臺積電28nm單季投片逾6萬片計算，占比近三成。
2017-04-19 01:02:19489 三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 三星電子、NAND型快閃存儲器商今(2018)年紛紛延遲投產(chǎn)，分析師擔(dān)憂這恐怕會沖擊明年的半導(dǎo)體設(shè)備市況。
2018-07-20 12:55:00927 據(jù)悉，東芝的第 6 座工廠（Fab 6）還沒有完工，東芝就宣布將在日本興建第7座NAND Flash工廠，韋德就是能在2018年與三星，Intel、及 SK 海力士進行實力競爭。94 層 V-NAND 閃存生產(chǎn)將會是東芝的下一個計劃。
2017-12-27 14:06:091773 據(jù)韓國媒體報道，為了滿足PC、智能手機市場對NAND閃存的持續(xù)高需求，Intel正在與中國紫光集團談判，授權(quán)其生產(chǎn)64層3D NAND閃存。這種閃存技術(shù)來自Intel、美光合資的IMFlash，不過到明年初，雙方將結(jié)束合作。
2018-03-15 11:45:485454 的堆棧厚度為2.5μm，層厚度大約70nm，48層的閃存堆棧厚度為3.5μm，層厚度減少到62nm，現(xiàn)在的64/72層閃存堆棧厚度大約4.5μm，每層厚度減少到60nm，而到了140+層，堆疊厚度將增至
2018-05-28 16:25:4847895 據(jù)外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 美光、三星釋放信號僅是個開端，SK海力士、Intel、東芝、西數(shù)/閃迪等都表態(tài)在幾年內(nèi)將持續(xù)擴充閃存產(chǎn)能，為跨入96層、甚至更高層數(shù)而加大投入力度?？梢?，3D NAND閃存已經(jīng)成為國際存儲器廠商間的“主戰(zhàn)場”。
2018-07-17 10:34:084865 
從NAND閃存中啟動U-BOOT的設(shè)計 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對大容量數(shù)據(jù)存儲的需求越來越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存 設(shè)備就是
2018-09-21 20:06:01485 ）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情況將畫下句點，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。什么是3D NAND閃存？從新聞到評測
2018-10-08 15:52:39395 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:32791 在NAND閃存市場，三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能，留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中，兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進24nm閃存研發(fā)。
2020-04-02 08:54:342726 在NAND閃存市場，三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能，留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中，兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進24nm閃存研發(fā)。
2020-04-02 08:46:522302 近日，三星電子宣布了在韓國平澤廠區(qū)的擴產(chǎn)計劃，除擴建采用極紫外光（EUV）的晶圓代工生產(chǎn)線及DRAM產(chǎn)能之外，還將擴大3DNAND閃存方面的產(chǎn)能規(guī)模。業(yè)界預(yù)估三星電子僅用于3DNAND閃存方面
2020-06-16 10:07:173162 SanDisk（閃迪）宣布，已于去年底開始投產(chǎn)19nm新工藝的NAND閃存芯片，并對此工藝所能帶來的更好性能、更低成本寄予厚望。
2020-07-24 15:19:141632 無論消費者還是企業(yè)機構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞。基于塊尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對您的數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 2020年10月20日上午消息，存儲大廠SK海力士與Intel在韓國當(dāng)?shù)貢r間10月20日上午共同宣布簽署收購協(xié)議，根據(jù)協(xié)議約定，SK海力士將以90億美元收購Intel的NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)。
2020-10-20 16:51:392273 
作價 90 億美元，Intel 又賣出了旗下的一個重要業(yè)務(wù)。這個業(yè)務(wù)，就是 NAND 閃存。這是繼 NVIDIA 宣布以 400 億美元收購 ARM 之后，全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一筆重大交易。
2020-10-21 09:37:571755 據(jù)國外媒體報道，SK海力士宣布出資600億收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)！ SK海力士已在官網(wǎng)宣布了他們將收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)的消息，SK海力士在官網(wǎng)上表示，兩家公司已經(jīng)簽署了相關(guān)
2020-10-23 11:05:152133 在這筆交易中，中國大連的Fab 68工廠尤其引人注目，該工廠最早在2007年投資建立，2010年正式投產(chǎn)，主要是做芯片封測業(yè)務(wù)，不過2015年Intel宣布斥資最多55億美元升級閃存工廠。
2020-10-28 12:08:511584 前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士，業(yè)內(nèi)嘩然。
2020-11-05 09:37:321345 前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士，業(yè)內(nèi)嘩然。
2020-11-05 09:43:421123 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-10 16:22:391671 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀錄，實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:571856 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599 芯片巨頭美光11月10日正式宣布，將向客戶交付176層TLC NAND閃存。 這使得美光成為全球第一家量產(chǎn)176層TLC NAND閃存的芯片商。 176層NAND支持的接口速度為 1600MT
2020-11-13 14:25:131552 ，即使隔著屏幕也能感受到Intel撲面而來的“殺氣”。 此次Intel仍然發(fā)布了3D NAND產(chǎn)品，3款產(chǎn)品中有2款都拿到一個“業(yè)界第一”，即便是其閃存業(yè)務(wù)出售給SK海力士，其閃存產(chǎn)品性能依然風(fēng)騷“不減”。 在傲騰業(yè)務(wù)方面，Intel公司執(zhí)行副總裁兼數(shù)據(jù)平臺事業(yè)部總經(jīng)理Navin She
2020-12-17 14:09:371728 近日，Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品，不過對于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392060 近日，Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品，不過對于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:48:342354 去年10月份，Intel宣布將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價格出售給SK海力士。這筆交易在3月份通過了美國審批，日前通過了歐盟的審批，中國的審批會是未來的關(guān)鍵之一。 ? 上周末歐盟
2021-05-27 09:23:571847 近日，SK海力士宣布將在中國大連新建閃存工廠，該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲器制造項目的一部分，將被用于生產(chǎn)非易失性存儲器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購Intel閃存業(yè)務(wù)
2022-05-19 14:32:533107 在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊將變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲時，他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存，而忽略了單獨的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431518 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達到最高
2023-07-19 19:02:21864 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281
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