據(jù)4月19日消息,三星半導體近期在韓國官網(wǎng)上發(fā)布兩位高層關(guān)于HBM內(nèi)存的訪問錄。其中,他們透露出三星正計劃將TC-NCF技術(shù)應用于16層HBM4內(nèi)存制造。
TC-NCF是有凸塊的傳統(tǒng)多層DRAM間鍵合工藝,相比無凸塊的混合鍵合技術(shù)更為成熟,然而由于凸塊的存在,采用TC-NCF生產(chǎn)的同層數(shù)HBM內(nèi)存厚度會相應增加。
三星透露,近期已成功運用TC-NCF鍵合工藝推出12層堆疊的36GB HBM3E內(nèi)存。在此過程中,三星通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化解決了發(fā)熱問題,確保了高堆疊層數(shù)下HBM的穩(wěn)定性。
除了繼續(xù)沿用TC-NCF鍵合技術(shù),據(jù)IT之家早先報道,三星在HBM4內(nèi)存生產(chǎn)中還將采用混合鍵合技術(shù),采取“雙管齊下”策略。
三星高層認為,若AI處理器及內(nèi)存制造商各自優(yōu)化產(chǎn)品,難以滿足未來AGI對算力的需求,故雙方需緊密協(xié)作,為特定AI需求量身打造HBM內(nèi)存便是實現(xiàn)AGI的關(guān)鍵步驟。
三星電子將充分發(fā)揮其全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢,包括邏輯芯片代工、內(nèi)存生產(chǎn)以及先進封裝業(yè)務,構(gòu)建HBM內(nèi)存定制生態(tài)平臺,以迅速響應用戶的個性化需求。
另外,三星電子已經(jīng)開始與客戶探討未來的3D HBM內(nèi)存(即將HBM與邏輯芯片垂直整合)方案。
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