英飛凌工業(yè)半導體文章

• 160V半橋SOI半橋驅(qū)動器驅(qū)動100V MOSFET評估套件2024-03-13 08:13

  

  新品帶iMOTIONMADK的160V半橋SOI半橋驅(qū)動器驅(qū)動100VMOSFET評估套件用于電池供電應用(BPA)的EVAL-2ED2748S01GM1評估套件包括一塊三相逆變器功率板，該功率板帶有額定電壓為160V的2ED2748S01G（3x310引腳DFN封裝）半橋柵極驅(qū)動器，可驅(qū)動12個額定電壓為100V的OptiMOSMOSFETIPTC015N

  MOSFET SOI 半橋驅(qū)動器 英飛凌 604瀏覽量

• 英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC™ MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)2024-03-12 08:13

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的CoolSiCMOSFET650V和1200VGeneration2技術在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效

  MOSFET 碳化硅 英飛凌 443瀏覽量

• 如何測量功率回路中的雜散電感2024-03-07 08:13

  

  本文支持快捷轉(zhuǎn)載影響IGBT和SiCMOSFET在系統(tǒng)中的動態(tài)特性有兩個非常重要的參數(shù)：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。功率電路寄生電感在哪里？圖1給出了半橋電路中不同位置寄生電感示意圖，主要包括三類：連接母排及功率回路中的寄生電感，IGBT模塊內(nèi)部寄生

  MOSFET 功率電路 雜散電感 744瀏覽量

• 最新IGBT7系列分立器件常見問題2024-03-05 08:17

  

  英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場熱度不減，本文為大家整理針對該產(chǎn)品系列的常見問題，一看就懂，牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測試？答：IGBT不論單管和模塊都需要通過多項可靠性測試以保證其長期使用穩(wěn)定性，與電性能相關的主要有HTGS，HTRB，H3TRB，HV-H3TRB等。高溫高濕測試H3TRB的測試條件是溫度Ta=85℃,濕度R

  IGBT 分立器件 測試 472瀏覽量

• 零碳故事 | “2024年，以戰(zhàn)略的確定性迎接未來的挑戰(zhàn)”2024-02-27 08:13

  

  “英家零碳故事”2024年系列第一期正式上線，零碳工業(yè)功率事業(yè)部大中華區(qū)負責人于代輝先生就產(chǎn)業(yè)機遇和挑戰(zhàn)分享專業(yè)洞見，并深度解析零碳工業(yè)功率事業(yè)部業(yè)務增長制勝策略。(本文因篇幅有限，只能提煉專家的部分金句）更多精彩觀點，請點擊觀看完整視頻zzzzzZzzz12023年半導體市場整體盤點“全球半導體市場整體放緩

  功率半導體 英飛凌 185瀏覽量

• T-NPC三電平電路的雙脈沖與短路測試2024-02-26 08:13

  

  上一篇我們分析了《I-NPC三電平電路的雙脈沖與短路測試方法》，對于T-NPC拓撲來說也是類似的，我們接著來看。1T-NPC三電平電路的換流方式與雙脈沖測試方法由于技術的發(fā)展和應用的需要，T型三電平應用越來越廣，我們開發(fā)了IGBT71200V62mm共發(fā)射極模塊，最大規(guī)格電流為800A，以及PrimePACK3+封裝的的共集電極模塊，規(guī)格為2400A/120

  IGBT 三電平 短路測試 1161瀏覽量

• IGBT7系列分立器件核心知識點最全整理！2024-02-23 08:13

  

  英飛凌IGBT7單管系列，作為目前炙手可熱的光儲應用新星產(chǎn)品，正受到眾多玩家的追捧。本篇文章特地為大家貼心整理該系列產(chǎn)品的核心知識大全，希望大家買得放心，用得順手~更全型號選擇，總有一款適合你IGBT7S7和T7系列主要面向需要短路電流能力的應用，例如馬達驅(qū)動。該系列可實現(xiàn)更高的功率輸出以及更高的功率密度，無需重新設計散熱器，縮短設計周期和降低設計成本。H7

  IGBT 分立器件 英飛凌 424瀏覽量

• 英飛凌攜手盛弘電氣拓展儲能市場， 共同推進綠色能源發(fā)展2024-02-19 13:15

  

  近日，英飛凌宣布與全球領先的能源互聯(lián)網(wǎng)核心電力設備及解決方案領軍企業(yè)盛弘電氣股份有限公司達成合作。英飛凌將為盛弘提供業(yè)內(nèi)領先的1200VCoolSiCMOSFET功率半導體器件，配合EiceDRIVER緊湊型1200V單通道隔離柵極驅(qū)動IC，從而進一步提升儲能變流器的效率。在“雙碳”戰(zhàn)略和新能源浪潮帶動下，近年來，國內(nèi)儲能市場保持持續(xù)快速發(fā)展。據(jù)工信部，20

  能源 英飛凌 驅(qū)動IC 539瀏覽量

• 普控科技11kW超高功率密度變頻器產(chǎn)品定義、設計和驗證2024-02-19 13:15

  

  全面介紹了滿足IEC61800-9變頻產(chǎn)品國際新能效標準的11kW重載型變頻器產(chǎn)品定義、設計和驗證，包括新一代IGBT7-FP50R12W2T7_B11的選型、整機效率、溫升、dv/dt、EMC等

  變頻器 電動機 能源 632瀏覽量

• 為什么CIPOS™ Mini更偏向于使用IGBT芯片，而非Si MOSFET？2024-02-19 13:15

  

  英飛凌作為電力電子領域創(chuàng)新解決方案的領先企業(yè)，其取得的一大顯著成就是，開發(fā)了用于集成功率模塊（IPM）的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。這些緊湊的電力電子器件有助于打造更加集成、可靠且高性價比的解決方案。本文探討了英飛凌在其CIPOSMini產(chǎn)品中，更偏向

  igbt芯片 MOSFET 半導體 302瀏覽量