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DPWM原理及其仿真分析2024-04-24 08:14
隨著功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,三電平拓?fù)鋸V泛應(yīng)用在光伏逆變器,儲(chǔ)能PCS和UPS等各種系統(tǒng)中。在設(shè)計(jì)中,追求的重要目標(biāo)是功率密度和性價(jià)比,充分挖掘逆變器的潛力,在不提升成本的同時(shí)增加IGBT模塊的輸出電流能力,同時(shí)提高整機(jī)效率。本文以英飛凌的Easy4B模塊應(yīng)用為例,引入DPWM(DiscontinuePulseWidthModulation)調(diào)制方式,這就可以 -
英飛凌為麥田能源提供功率半導(dǎo)體,助力提升儲(chǔ)能應(yīng)用效率2024-04-18 08:14
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)為快速成長的綠色能源行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者、逆變器及儲(chǔ)能系統(tǒng)制造商——麥田能源提供功率半導(dǎo)體器件,共同推動(dòng)綠色能源發(fā)展。英飛凌將為麥田能源提供CoolSiCMOSFET1200V功率半導(dǎo)體器件,配合EiceDRIVER柵極驅(qū)動(dòng)用于工業(yè)儲(chǔ)能應(yīng)用。同時(shí),麥田能源的組串式光伏逆變器將使用英飛凌的IGBT7H7 -
iSSI系列固態(tài)隔離器2024-04-16 08:14
新品iSSI系列固態(tài)隔離器新穎的固態(tài)隔離器系列帶集成式隔離型柵極驅(qū)動(dòng)電源,以驅(qū)動(dòng)MOS電壓驅(qū)動(dòng)型功率晶體管,如CoolMOS,OptiMOS,TRENCHSTOPIGBT或CoolSiC。固態(tài)隔離器系列的驅(qū)動(dòng)側(cè)不需要專用電源來驅(qū)動(dòng)功率晶體管的柵極。并提供了先進(jìn)的控制功能,如快速開通和關(guān)斷柵極,過流保護(hù)和過溫保護(hù)功能,可輕松安全地為各種應(yīng)用設(shè)計(jì)固態(tài)繼電器。產(chǎn)品 -
管腳兼容的驅(qū)動(dòng)集成電路在哪里?2024-04-15 08:14
功率半導(dǎo)體IGBT、MOSFET以及SiC、GaN等都離不開驅(qū)動(dòng)集成電路,以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)、保護(hù)和隔離……電力電子技術(shù)在發(fā)展,功率器件對(duì)驅(qū)動(dòng)的要求越來越高,這推動(dòng)著驅(qū)動(dòng)技術(shù)和產(chǎn)品的發(fā)展。例如:英飛凌DSO-8寬體封裝工業(yè)級(jí)的產(chǎn)品,最大規(guī)格做到了18A2300V;在英飛凌驅(qū)動(dòng)系列產(chǎn)品中,還有一些嶄新的技術(shù),譬如數(shù)字化可編程的芯片和壓擺率控制SRC的驅(qū)動(dòng)器,提高了驅(qū)動(dòng) -
英飛凌與現(xiàn)代重工韓國造船與海洋工程有限公司聯(lián)合開發(fā)船舶電氣化技術(shù)2024-04-12 08:14
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)與現(xiàn)代重工韓國造船與海洋工程有限公司(HDKSOE)簽署諒解備忘錄(MoU),這是雙方為了低碳節(jié)能,利用功率半導(dǎo)體技術(shù)聯(lián)合開發(fā)新興船用發(fā)動(dòng)機(jī)和機(jī)械電氣化的第一步。HDKSOE的LH2運(yùn)輸艦概念設(shè)計(jì)HDKSOE是船舶制造領(lǐng)域的先驅(qū)和全球領(lǐng)導(dǎo)者,致力于開發(fā)使用電力和氫能的環(huán)保低碳船舶技術(shù)。其將與 -
MPPT常用拓?fù)湓砼c英飛凌實(shí)現(xiàn)方法2024-03-29 08:13
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英飛凌推出新型固態(tài)隔離器,切換速度更快,功耗降低高達(dá)70%2024-03-27 08:13
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英飛凌1700V EconoDUAL™3 IGBT新產(chǎn)品及其在中高壓級(jí)聯(lián)變頻器和靜止無功發(fā)生器中的仿真研究2024-03-26 08:13
本文提及的相關(guān)產(chǎn)品,均會(huì)在直播中出現(xiàn)掃描上方二維碼即可報(bào)名摘要:EconoDUAL3是一款經(jīng)典的IGBT模塊封裝,其上一代的1700V系列產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于級(jí)聯(lián)型中高壓變頻器、靜止無功發(fā)生器(SVG)和風(fēng)電變流器,覆蓋了中功率和一部分大功率的應(yīng)用場合。隨著芯片技術(shù)的發(fā)展和市場對(duì)高功率密度IGBT模塊的需求增加,英飛凌已經(jīng)基于最新的1700VIGBT7技術(shù)開發(fā) -
英飛凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V,在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度2024-03-20 08:13
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IGBT并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)綜述2024-03-15 08:13