英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• 英飛凌推出CoolSiC™肖特基二極管2000V，直流母線電壓最高可達(dá)1500 VDC2024-10-25 08:04

  

  如今，許多工業(yè)應(yīng)用可以通過(guò)提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時(shí)，向更高的功率水平過(guò)渡。為滿(mǎn)足這一需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolSiC肖特基二極管2000VG5，這是市面上首款擊穿電壓達(dá)到2000V的分立碳化硅二極管。該產(chǎn)品系列適用于直流母線電壓高達(dá)1500VD

  直流母線 肖特基二極管 英飛凌 115瀏覽量

• 新品 | 采用OptiMOS™ 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板2024-10-24 08:03

  

  新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模塊化半橋功率板該套件功率板模塊采用OptiMOS6功率MOSFET135V，D²PAK7引腳封裝，是LVD可擴(kuò)展功率演示板平臺(tái)的功率部分。它是一個(gè)帶功率開(kāi)關(guān)和柵極驅(qū)動(dòng)器接口的單半橋，可輕松構(gòu)建任何基于半橋的功率拓?fù)?。相關(guān)器件：IPF021N13NM6(OptiMOS6powerMOSFET135V)該系列還有各種功

  MOSFET 功率 驅(qū)動(dòng)器 120瀏覽量

• 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻2024-10-22 08:01

  

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。散熱功率半導(dǎo)體器件在開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中和導(dǎo)通電流時(shí)會(huì)產(chǎn)生損耗，損失的能量會(huì)轉(zhuǎn)化為熱能，表現(xiàn)為半導(dǎo)體器件發(fā)熱

  功率半導(dǎo)體 功率器件 熱設(shè)計(jì) 熱阻 546瀏覽量

• 新品 | 3300W無(wú)橋圖騰柱PFC參考設(shè)計(jì)2024-10-17 08:03

  

  新品3300W無(wú)橋圖騰柱PFC參考設(shè)計(jì)REF_3K3W_TP_SIC_TOLL3300W無(wú)橋圖騰柱PFC參考設(shè)計(jì)是采用英飛凌功率半導(dǎo)體、驅(qū)動(dòng)器和微控制器的系統(tǒng)解決方案。它采用無(wú)橋圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，非常適合要求卓越的效率和功率密度的高端應(yīng)用。圖騰柱設(shè)計(jì)簡(jiǎn)便易行，減少了元件數(shù)量，并充分利用了PFC電感器和功率開(kāi)關(guān)，從而以有限的系統(tǒng)成本實(shí)現(xiàn)高功率密度。相關(guān)器件：RE

  PFC 功率半導(dǎo)體 驅(qū)動(dòng)器 202瀏覽量

• 10月25日｜英飛凌儲(chǔ)存器解決方案線上技術(shù)論壇2024-10-15 08:04

  

  誠(chéng)邀您參加英飛凌儲(chǔ)存器解決方案線上技術(shù)論壇。本次論壇將由Infineon和業(yè)內(nèi)專(zhuān)家共同主持，向您全方位展示Infineon儲(chǔ)存器解決方案在汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用中的最新設(shè)計(jì)趨勢(shì)和用例。論壇面向?qū)ο螅罕緦谜搲饕嫦蚍桨冈O(shè)計(jì)群體（系統(tǒng)架構(gòu)師、設(shè)計(jì)工程師等），探討（由多種需求驅(qū)動(dòng)的）設(shè)計(jì)復(fù)雜度增加，和資格認(rèn)證所帶來(lái)的挑戰(zhàn)，以及如何減少開(kāi)發(fā)成本并縮短上市時(shí)間。話題涵蓋：可

  儲(chǔ)存器 汽車(chē) 英飛凌 218瀏覽量

• 新品 | 1200A 4500V IGBT模塊FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S72024-10-13 08:04

  

  新品1200A4500VIGBT模塊FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7知名的IHVB4.5kV單開(kāi)關(guān)IGBT模塊已采用我們最新一代的芯片，以滿(mǎn)足MVD、輸配電和交通行業(yè)應(yīng)用當(dāng)前和未來(lái)的要求。它采用TRENCHSTOPIGBT4和發(fā)射極控制二極管EmCon4，標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸為140x190mm²，與上一代產(chǎn)品一樣，可提供驅(qū)動(dòng)電壓VGE=25

  IGBT 二極管 芯片 158瀏覽量

• 新品 | 采用IGBT7的CIPOS™ Maxi 10-20A 1200V IPM2024-10-09 08:04

  

  新品采用IGBT7的CIPOSMaxi10-20A1200VIPM高性能CIPOSMaxi轉(zhuǎn)模封裝IPMIM12BxxxC1系列基于新型1200VTRENCHSTOPIGBT7和快速二極管Emcon7技術(shù)。由于采用了最新的微溝槽設(shè)計(jì)芯片，該產(chǎn)品具有卓越的控制能力和性能，這大大降低了損耗，提高了效率，并增加了功率密度。產(chǎn)品組合包括從10A，15A和20A三種新

  IGBT IPM 二極管 170瀏覽量

• 采用IGBT5.XT技術(shù)的PrimePACK™為風(fēng)能變流器提供卓越的解決方案2024-10-01 08:06

  

  本文由英飛凌科技的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師MarcelMorisse與高級(jí)技術(shù)市場(chǎng)經(jīng)理MichaelBusshardt共同撰寫(xiě)。鑒于迫切的環(huán)境需求，我們必須確保清潔能源基礎(chǔ)設(shè)施的啟用，以減少碳排放對(duì)環(huán)境的負(fù)面影響。在這一至關(guān)重要的舉措中，風(fēng)力發(fā)電技術(shù)扮演了關(guān)鍵角色，并已處于領(lǐng)先地位。在過(guò)去的20年中，風(fēng)力渦輪機(jī)的尺寸已擴(kuò)大三倍，其發(fā)電功率大幅提升，不久后將突破15MW

  IGBT 變流器 風(fēng)能 1616瀏覽量

• 新疆如何實(shí)現(xiàn)給全國(guó)充電？2024-09-30 08:03

  

  想象一下，僅僅在眨眼之間——0.01秒的瞬息，新疆的磅礴能源便能跨越千山萬(wàn)水，抵達(dá)3300公里外的安徽，點(diǎn)亮萬(wàn)家燈火。這，便是吉泉特高壓直流輸電工程——一項(xiàng)集電壓等級(jí)之巔、輸送能量之巨、輸電距離之遠(yuǎn)、技術(shù)水平之先進(jìn)于一身的超級(jí)工程，UHVDC！從新疆準(zhǔn)東（昌吉）換流站啟程，這條能源動(dòng)脈穿越廣袤的戈壁，翻越巍峨的天山，沿著歷史悠久的河西走廊蜿蜒前行，最終跨越奔

  清潔能源 能源 額定電壓 213瀏覽量

• 新品 | 第2代CoolSiC™ MOSFET 400V2024-09-27 08:05

  

  新品第2代CoolSiCMOSFET400VCoolSiCMOSFET400VG2將高堅(jiān)固性與超低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻結(jié)合在一起，同時(shí)改善了系統(tǒng)成本。400VSiCMOSFET可在2電平和3電平硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)渲刑峁┏錾墓β拭芏群拖到y(tǒng)效率。目標(biāo)應(yīng)用為人工智能服務(wù)器PSU、SMPS、電機(jī)控制、可再生能源和儲(chǔ)能以及D類(lèi)放大器中的功率轉(zhuǎn)換。產(chǎn)品型號(hào)：■IMBG4

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