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英飛凌推出CoolSiC™肖特基二極管2000V,直流母線電壓最高可達(dá)1500 VDC2024-10-25 08:04
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新品 | 采用OptiMOS™ 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板2024-10-24 08:03
新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模塊化半橋功率板該套件功率板模塊采用OptiMOS6功率MOSFET135V,D²PAK7引腳封裝,是LVD可擴(kuò)展功率演示板平臺(tái)的功率部分。它是一個(gè)帶功率開(kāi)關(guān)和柵極驅(qū)動(dòng)器接口的單半橋,可輕松構(gòu)建任何基于半橋的功率拓?fù)?。相關(guān)器件:IPF021N13NM6(OptiMOS6powerMOSFET135V)該系列還有各種功 -
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(一)——功率半導(dǎo)體的熱阻2024-10-22 08:01
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。散熱功率半導(dǎo)體器件在開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中和導(dǎo)通電流時(shí)會(huì)產(chǎn)生損耗,損失的能量會(huì)轉(zhuǎn)化為熱能,表現(xiàn)為半導(dǎo)體器件發(fā)熱 -
新品 | 3300W無(wú)橋圖騰柱PFC參考設(shè)計(jì)2024-10-17 08:03
新品3300W無(wú)橋圖騰柱PFC參考設(shè)計(jì)REF_3K3W_TP_SIC_TOLL3300W無(wú)橋圖騰柱PFC參考設(shè)計(jì)是采用英飛凌功率半導(dǎo)體、驅(qū)動(dòng)器和微控制器的系統(tǒng)解決方案。它采用無(wú)橋圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),非常適合要求卓越的效率和功率密度的高端應(yīng)用。圖騰柱設(shè)計(jì)簡(jiǎn)便易行,減少了元件數(shù)量,并充分利用了PFC電感器和功率開(kāi)關(guān),從而以有限的系統(tǒng)成本實(shí)現(xiàn)高功率密度。相關(guān)器件:RE -
10月25日|英飛凌儲(chǔ)存器解決方案線上技術(shù)論壇2024-10-15 08:04
誠(chéng)邀您參加英飛凌儲(chǔ)存器解決方案線上技術(shù)論壇。本次論壇將由Infineon和業(yè)內(nèi)專(zhuān)家共同主持,向您全方位展示Infineon儲(chǔ)存器解決方案在汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用中的最新設(shè)計(jì)趨勢(shì)和用例。論壇面向?qū)ο螅罕緦谜搲饕嫦蚍桨冈O(shè)計(jì)群體(系統(tǒng)架構(gòu)師、設(shè)計(jì)工程師等),探討(由多種需求驅(qū)動(dòng)的)設(shè)計(jì)復(fù)雜度增加,和資格認(rèn)證所帶來(lái)的挑戰(zhàn),以及如何減少開(kāi)發(fā)成本并縮短上市時(shí)間。話題涵蓋:可 -
新品 | 1200A 4500V IGBT模塊FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S72024-10-13 08:04
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新品 | 采用IGBT7的CIPOS™ Maxi 10-20A 1200V IPM2024-10-09 08:04
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采用IGBT5.XT技術(shù)的PrimePACK™為風(fēng)能變流器提供卓越的解決方案2024-10-01 08:06
本文由英飛凌科技的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師MarcelMorisse與高級(jí)技術(shù)市場(chǎng)經(jīng)理MichaelBusshardt共同撰寫(xiě)。鑒于迫切的環(huán)境需求,我們必須確保清潔能源基礎(chǔ)設(shè)施的啟用,以減少碳排放對(duì)環(huán)境的負(fù)面影響。在這一至關(guān)重要的舉措中,風(fēng)力發(fā)電技術(shù)扮演了關(guān)鍵角色,并已處于領(lǐng)先地位。在過(guò)去的20年中,風(fēng)力渦輪機(jī)的尺寸已擴(kuò)大三倍,其發(fā)電功率大幅提升,不久后將突破15MW -
新疆如何實(shí)現(xiàn)給全國(guó)充電?2024-09-30 08:03
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新品 | 第2代CoolSiC™ MOSFET 400V2024-09-27 08:05
新品第2代CoolSiCMOSFET400VCoolSiCMOSFET400VG2將高堅(jiān)固性與超低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻結(jié)合在一起,同時(shí)改善了系統(tǒng)成本。400VSiCMOSFET可在2電平和3電平硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)渲刑峁┏錾墓β拭芏群拖到y(tǒng)效率。目標(biāo)應(yīng)用為人工智能服務(wù)器PSU、SMPS、電機(jī)控制、可再生能源和儲(chǔ)能以及D類(lèi)放大器中的功率轉(zhuǎn)換。產(chǎn)品型號(hào):■IMBG4