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新品 | 采用固態(tài)隔離器iSSI30R11H的固態(tài)開關(guān)評(píng)估板2024-07-18 08:14
新品采用固態(tài)隔離器iSSI30R11H的固態(tài)開關(guān)評(píng)估板EVAL-iSSI30R11H用于評(píng)估應(yīng)用電路中的英飛凌iSSI固態(tài)隔離器iSSI30R11的產(chǎn)品的功能。評(píng)估板為交流固態(tài)開關(guān)配置,使用iSSI30R11H驅(qū)動(dòng)兩個(gè)CoolMOSIPQC60R010S7MOSFET,溫度采樣外接PTC。產(chǎn)品型號(hào):EVAL-iSSI30R11H評(píng)估板所用器件:固態(tài)隔離器:i -
新品 | 光伏混合逆變器用Easy模塊2024-07-16 08:14
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科普講座《讓AIGC提高你的科研和科普能力》2024-07-13 08:14
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驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET有多容易?2024-07-12 08:14
得益于寬禁帶半導(dǎo)體的材料優(yōu)勢(shì),SiCMOSFET在電力電子行業(yè)中的應(yīng)用越來越廣泛。SiCMOSFET很多性能與傳統(tǒng)Si基器件不同,對(duì)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)也提出了更高的要求。為了最大化利用SiCMOSFET的性能優(yōu)勢(shì),驅(qū)動(dòng)芯片的選擇需要著重考慮如下幾個(gè)方面:1更高的軌到軌電壓IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓一般都是15V,而 -
CoolSiC™ MOSFET G2助力英飛凌革新碳化硅市場(chǎng)2024-07-12 08:14
英飛凌憑借CoolSiCMOSFETG2技術(shù),再度突破極限,實(shí)現(xiàn)更高效率、更低功耗,這也使英飛凌在日益發(fā)展且競(jìng)爭(zhēng)激烈的碳化硅市場(chǎng),屹立于創(chuàng)新浪潮之巔。在過去三年,碳化硅市場(chǎng)經(jīng)歷了蓬勃發(fā)展,特別是在全球能源轉(zhuǎn)型相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域,例如,光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車和電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。英飛凌CoolSiC產(chǎn)品系列在這些領(lǐng)域大有可為。掃碼下載英飛凌碳化硅白皮書QCoolSi -
固態(tài)繼電器和固態(tài)斷路器時(shí)代將至2024-07-11 08:14
機(jī)電繼電器和斷路器作為一種成熟的技術(shù)已廣為人知,大量應(yīng)用在各種場(chǎng)合,但是它們?nèi)匀淮嬖谝恍┕逃腥毕荨1M管采用基于半導(dǎo)體的固態(tài)技術(shù)可以解決這些問題,但設(shè)計(jì)中又會(huì)面臨一系列挑戰(zhàn)。到底,什么才是正確的解決方案呢?目前,高壓繼電器和斷路器大部分都是機(jī)電式的。除了人們百年來已經(jīng)習(xí)慣使用繼電器和斷路器外,工程領(lǐng)域也普遍認(rèn)為,半導(dǎo)體技術(shù)不適合應(yīng)用于高壓開關(guān)。但近年的功率半導(dǎo) -
無線電能傳輸技術(shù)綜述2024-07-06 08:14
作者介紹陳武,教授,博士生導(dǎo)師,IETFellow,東南大學(xué)先進(jìn)電能變換技術(shù)與裝備研究所所長。長期從事大功率電力電子變換及其應(yīng)用領(lǐng)域的研究工作。主持國家自然科學(xué)基金3項(xiàng)、國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題1項(xiàng)。研究成果發(fā)表SCI/EI論文100余篇,出版專著5部。本文新出版的電力電子綜述和科普專著《循跡電力電子》一書內(nèi)容。邀請(qǐng)你一起來創(chuàng)作科普作品,點(diǎn)擊報(bào)名無線電能傳輸技術(shù) -
研討會(huì)報(bào)名丨電動(dòng)汽車和電動(dòng)公交/貨車(eCAV)充電與乘用車充電的對(duì)比及其對(duì)功率半導(dǎo)體的影響2024-07-05 08:14
線上研討會(huì)時(shí)間:2024年7月15日下午3點(diǎn)會(huì)議概述隨著首批商用長途電動(dòng)卡車的推出以及首個(gè)兆瓦級(jí)充電系統(tǒng)(MCS)測(cè)試的成功完成,電動(dòng)巴士和貨車的充電問題已成為行業(yè)內(nèi)頻繁討論的話題。在本次網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)上,我們將探討電動(dòng)卡車和巴士的充電情況,及其與乘用車充電的異同。我們將特別討論充電在兆瓦級(jí)范圍內(nèi)對(duì)功率半導(dǎo)體選型的影響,以及英飛凌在此領(lǐng)域的定位。掃描下方二維碼立 -
新品 | 采用 2000V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊系列產(chǎn)品擴(kuò)展2024-07-05 08:14
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2024英飛凌寬禁帶論壇倒計(jì)時(shí)丨多款創(chuàng)新產(chǎn)品首次亮相2024-07-04 08:14